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公开(公告)号：CN110998869B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN201880051001.5
申请日：2018-05-29
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/18 , C23C16/44 , C23C16/50 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/683 , H01L31/0747
Abstract: 本公开的光电转换元件的制造方法是具有第一主面、第二主面，并包含形成于半导体基板的第一主面侧的第一薄膜、以及形成于半导体基板的上述第二主面侧的第二薄膜的光电转换元件的制造方法，包含：将未形成第一薄膜以及第二薄膜的第一半导体基板配置于第一制膜室(61)中的第一制膜位置(81)的第一配置步骤；将在第一主面侧至少形成有第一薄膜，在第二主面侧未形成第二薄膜的第二半导体基板配置于第一制膜室(61)中的第二制膜位置(82)的第二配置步骤；以及在第一制膜室(61)中，在同一期间内，在第一半导体基板的第一主面侧形成第一薄膜、在第二半导体基板的第二主面侧形成第二薄膜的第一制膜步骤。
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公开(公告)号：CN103733356A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280039241.6
申请日：2012-08-10
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/056 , H01L31/076 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种具有前方光电转换单元(3)和后方光电转换单元(4)的叠层型光电转换装置的制造方法。前方光电转换单元的逆导电型层(33)的与后方光电转换单元(4)相接的一侧，是在含有硅和氧的非晶体合金中混合存在有硅结晶相的硅复合层。在本发明中，前方光电转换单元的硅复合层形成后，不取出至大气中，而是在同一制膜室内，形成后方光电转换单元(4)的晶体的一导电型层(41)以及晶体硅类光电转换层(42)。晶体硅类光电转换层(42)的形成开始时的功率密度，优选为前方光电转换单元的硅复合层形成时的功率密度的0.1倍以上且小于1倍的范围。
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公开(公告)号：CN110998869A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880051001.5
申请日：2018-05-29
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/18 , C23C16/44 , C23C16/50 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/683 , H01L31/0747
Abstract: 本公开的光电转换元件的制造方法是具有第一主面、第二主面，并包含形成于半导体基板的第一主面侧的第一薄膜、以及形成于半导体基板的上述第二主面侧的第二薄膜的光电转换元件的制造方法，包含：将未形成第一薄膜以及第二薄膜的第一半导体基板配置于第一制膜室(61)中的第一制膜位置(81)的第一配置步骤；将在第一主面侧至少形成有第一薄膜，在第二主面侧未形成第二薄膜的第二半导体基板配置于第一制膜室(61)中的第二制膜位置(82)的第二配置步骤；以及在第一制膜室(61)中，在同一期间内，在第一半导体基板的第一主面侧形成第一薄膜、在第二半导体基板的第二主面侧形成第二薄膜的第一制膜步骤。
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公开(公告)号：CN103733356B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201280039241.6
申请日：2012-08-10
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/056 , H01L31/076 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种具有前方光电转换单元(3)和后方光电转换单元(4)的叠层型光电转换装置的制造方法。前方光电转换单元的逆导电型层(33)的与后方光电转换单元(4)相接的一侧，是在含有硅和氧的非晶体合金中混合存在有硅结晶相的硅复合层。在本发明中，前方光电转换单元的硅复合层形成后，不取出至大气中，而是在同一制膜室内，形成后方光电转换单元(4)的晶体的一导电型层(41)以及晶体硅类光电转换层(42)。晶体硅类光电转换层(42)的形成开始时的功率密度，优选为前方光电转换单元的硅复合层形成时的功率密度的0.1倍以上且小于1倍的范围。
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