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公开(公告)号：CN109564789B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201780048733.4
申请日：2017-07-27
Applicant: 株式会社钟化 , 国立研究开发法人理化学研究所
IPC: G21K1/14 , C01B32/182 , G21K1/00 , G21K5/08
Abstract: 本发明目的在于，提供耐热性高、无毒性、无需担心放射性活化、并且即使膜厚较薄也能使离子束多价化、且能够长期耐受高能量的射束照射的离子束电荷转换装置的电荷转换膜。一种旋转式电荷转换膜，其为在将离子束的电荷进行转换的装置中使用的电荷转换膜，其由25℃下的膜面方向的热导率为20W/mK以上的碳膜形成，该碳膜的膜厚大于3μm且低于10μm。另外，一种旋转式电荷转换膜，其为在将离子束的电荷进行转换的装置中使用的电荷转换膜，其由利用高分子烧成法制造的碳膜形成，该碳膜的膜厚大于3μm且低(56)对比文件O Kamigaito等.Present Status andFuture Plan of RIKEN RI BeamFactory.Proceedings of IPAC2016, Busan,Korea.2016,1281-1283.O. Kamigaito.PRESENT STATUS ANDFUTURE PLAN OF RIKEN RI BEAM FACTORY.《Proceedings of IPAC2016》.2016,
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公开(公告)号：CN109564789A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780048733.4
申请日：2017-07-27
Applicant: 株式会社钟化 , 国立研究开发法人理化学研究所
IPC: G21K1/14 , C01B32/182 , G21K1/00 , G21K5/08
Abstract: 本发明目的在于，提供耐热性高、无毒性、无需担心放射性活化、并且即使膜厚较薄也能使离子束多价化、且能够长期耐受高能量的射束照射的离子束电荷转换装置的电荷转换膜。一种旋转式电荷转换膜，其为在将离子束的电荷进行转换的装置中使用的电荷转换膜，其由25℃下的膜面方向的热导率为20W/mK以上的碳膜形成，该碳膜的膜厚大于3μm且低于10μm。另外，一种旋转式电荷转换膜，其为在将离子束的电荷进行转换的装置中使用的电荷转换膜，其由利用高分子烧成法制造的碳膜形成，该碳膜的膜厚大于3μm且低于10μm。
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公开(公告)号：CN109874345B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201680021978.3
申请日：2016-04-14
Applicant: 株式会社钟化 , 国立研究开发法人理化学研究所
Abstract: 本发明目的在于，提供耐热性、热导性高、对长时间的射束照射也能够耐受的高品质的离子束电荷转换膜装置的电荷转换膜。本发明为一种离子束电荷转换装置的电荷转换膜，其为通过高分子烧成法制造的碳膜，膜厚为10μm以上且150μm以下。本发明也包括如下的离子束电荷转换装置的电荷转换膜，其为25℃下的膜面方向的热导率为300W/mK以上的碳膜，膜厚为10μm以上且150μm以下。这些电荷转换膜优选的是：密度为0.90g/cm3以上且2.26g/cm3以下、每单位面积的重量为1.5mg/cm2以上且30mg/cm2以下、并且面积为4cm2以上等。
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公开(公告)号：CN109874345A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201680021978.3
申请日：2016-04-14
Applicant: 株式会社钟化 , 国立研究开发法人理化学研究所
Abstract: 本发明目的在于，提供耐热性、热导性高、对长时间的射束照射也能够耐受的高品质的离子束电荷转换膜装置的电荷转换膜。本发明为一种离子束电荷转换装置的电荷转换膜，其为通过高分子烧成法制造的碳膜，膜厚为10μm以上且150μm以下。本发明也包括如下的离子束电荷转换装置的电荷转换膜，其为25℃下的膜面方向的热导率为300W/mK以上的碳膜，膜厚为10μm以上且150μm以下。这些电荷转换膜优选的是：密度为0.90g/cm3以上且2.26g/cm3以下、每单位面积的重量为1.5mg/cm2以上且30mg/cm2以下、并且面积为4cm2以上等。
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公开(公告)号：CN110249422B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201880009944.1
申请日：2018-01-30
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L23/36 , C01B32/205 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L23/373 , H05K7/20
Abstract: 本发明的目的在于解决以往的高分子/无机复合体型层间热接合构件材料的问题，提供使用了石墨膜的低热阻且高耐热性的层间热接合方法和层间热接合构件。本发明的层间热接合方法为夹持在2个构件之间而传递热的层间热接合构件，其具有石墨膜，石墨膜的厚度T为200nm～3μm，石墨膜表面的算术平均粗糙度Ra与厚度T之比(Ra/T)为0.1～30。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109874344A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201680021888.4
申请日：2016-04-14
Applicant: 株式会社钟化
Abstract: 本发明目的在于提供离子束用的电荷转换膜，所述离子束用的电荷转换膜在大强度射束使用下也不易受到损伤、放射性活化，具有高耐久性，容易控制小于10μm的膜厚。本发明为一种离子束用的电荷转换膜，其为碳成分为96原子％以上、25℃下的膜面方向的热导率为800W/mK以上的离子束用的电荷转换膜的单层体或前述离子束用的电荷转换膜的层叠体，其厚度小于10μm且为100nm以上。
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公开(公告)号：CN110249424A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201880009996.9
申请日：2018-01-30
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L23/36 , C01B32/205 , C09J7/20 , C09J133/00 , C09J163/00 , C09J183/04 , C09J201/00 , H01L23/373 , H05K7/20
Abstract: 本发明实现即使在具有凹凸的构件间使用也显示出优异的热阻特性的使用了石墨的层间热接合构件、以及层间热接合构件的制造方法。通过制成包含柔软性或流动性物质(A)和石墨膜(B)的构成的热接合构件，并将石墨膜的厚度设为100nm～15μm的范围、将密度设为1.20～2.26g/cm3的范围、将膜面方向的热导率设为500W/mK以上、将(A)与(B)的重量比(A/B)设为0.08～25的范围，从而解决前述课题。
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公开(公告)号：CN107001048A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580065746.3
申请日：2015-12-03
Applicant: 株式会社钟化
Abstract: 本发明的目的在于提供即使在高真空条件下作为层间热接合材料也导热特性优异、且不用担心装置内部的污染、释气的材料。本发明的高真空用层间热接合性石墨片的主旨在于：其厚度为9.6μm以下且50nm以上，在25℃下的a‑b面方向的导热率为1000W/mK以上。在本发明中，优选密度为1.8g/cm3以上。本发明的前述石墨片优选为在2900℃以上的温度下对高分子薄膜进行热处理而得到的石墨片，该高分子薄膜优选为选自聚酰胺、聚酰亚胺、聚喹喔啉、聚噁二唑、聚苯并咪唑等中的至少一种。
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公开(公告)号：CN109874344B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201680021888.4
申请日：2016-04-14
Applicant: 株式会社钟化
Abstract: 本发明目的在于提供离子束用的电荷转换膜，所述离子束用的电荷转换膜在大强度射束使用下也不易受到损伤、放射性活化，具有高耐久性，容易控制小于10μm的膜厚。本发明为一种离子束用的电荷转换膜，其为碳成分为96原子％以上、25℃下的膜面方向的热导率为800W/mK以上的离子束用的电荷转换膜的单层体或前述离子束用的电荷转换膜的层叠体，其厚度小于10μm且为100nm以上。
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