公开(公告)号：CN110249422B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN201880009944.1

申请日：2018-01-30

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 村上睦明 ,  多多见笃 ,  立花正满

IPC: H01L23/36 ,  C01B32/205 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00 ,  H01L23/373 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明的目的在于解决以往的高分子/无机复合体型层间热接合构件材料的问题，提供使用了石墨膜的低热阻且高耐热性的层间热接合方法和层间热接合构件。本发明的层间热接合方法为夹持在2个构件之间而传递热的层间热接合构件，其具有石墨膜，石墨膜的厚度T为200nm～3μm，石墨膜表面的算术平均粗糙度Ra与厚度T之比(Ra/T)为0.1～30。

公开(公告)号：CN109874344A

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201680021888.4

申请日：2016-04-14

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 村上睦明 ,  立花正满 ,  多多见笃

IPC: G21K1/14 ,  G21K1/00 ,  H05H7/08 ,  H05H13/04

Abstract: 本发明目的在于提供离子束用的电荷转换膜，所述离子束用的电荷转换膜在大强度射束使用下也不易受到损伤、放射性活化，具有高耐久性，容易控制小于10μm的膜厚。本发明为一种离子束用的电荷转换膜，其为碳成分为96原子％以上、25℃下的膜面方向的热导率为800W/mK以上的离子束用的电荷转换膜的单层体或前述离子束用的电荷转换膜的层叠体，其厚度小于10μm且为100nm以上。

公开(公告)号：CN109564789B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201780048733.4

申请日：2017-07-27

Applicant: 株式会社钟化 ,  国立研究开发法人理化学研究所

Inventor： 村上睦明 ,  立花正满 ,  多多见笃 ,  长谷部裕雄

IPC: G21K1/14 ,  C01B32/182 ,  G21K1/00 ,  G21K5/08

Abstract: 本发明目的在于，提供耐热性高、无毒性、无需担心放射性活化、并且即使膜厚较薄也能使离子束多价化、且能够长期耐受高能量的射束照射的离子束电荷转换装置的电荷转换膜。一种旋转式电荷转换膜，其为在将离子束的电荷进行转换的装置中使用的电荷转换膜，其由25℃下的膜面方向的热导率为20W/mK以上的碳膜形成，该碳膜的膜厚大于3μm且低于10μm。另外，一种旋转式电荷转换膜，其为在将离子束的电荷进行转换的装置中使用的电荷转换膜，其由利用高分子烧成法制造的碳膜形成，该碳膜的膜厚大于3μm且低(56)对比文件O Kamigaito等.Present Status andFuture Plan of RIKEN RI BeamFactory.Proceedings of IPAC2016, Busan,Korea.2016,1281-1283.O. Kamigaito.PRESENT STATUS ANDFUTURE PLAN OF RIKEN RI BEAM FACTORY.《Proceedings of IPAC2016》.2016,

公开(公告)号：CN108780670B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201780014702.7

申请日：2017-04-20

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 村上睦明 ,  多多见笃 ,  立花正满

IPC: G21K3/00

Abstract: 本发明实现一种具备充分的屏蔽性、耐久性、耐热性且放射性活化程度能降低的束流强度转换膜。衰减器(1)由石墨膜构成，该石墨膜以其膜面与荷电粒子束(X)的束轴相交的方式配置，石墨膜的厚度为1μm以上，石墨膜在其膜面方向上的热导率是在其膜厚方向上的热导率的20倍以上。

公开(公告)号：CN110249424A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201880009996.9

申请日：2018-01-30

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 村上睦明 ,  多多见笃 ,  立花正满

IPC: H01L23/36 ,  C01B32/205 ,  C09J7/20 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J183/04 ,  C09J201/00 ,  H01L23/373 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明实现即使在具有凹凸的构件间使用也显示出优异的热阻特性的使用了石墨的层间热接合构件、以及层间热接合构件的制造方法。通过制成包含柔软性或流动性物质(A)和石墨膜(B)的构成的热接合构件，并将石墨膜的厚度设为100nm～15μm的范围、将密度设为1.20～2.26g/cm3的范围、将膜面方向的热导率设为500W/mK以上、将(A)与(B)的重量比(A/B)设为0.08～25的范围，从而解决前述课题。

公开(公告)号：CN107001048A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580065746.3

申请日：2015-12-03

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 村上睦明 ,  立花正满 ,  多多见笃

IPC: C01B32/20 ,  C23C14/34 ,  G21K5/08 ,  H05H6/00

Abstract: 本发明的目的在于提供即使在高真空条件下作为层间热接合材料也导热特性优异、且不用担心装置内部的污染、释气的材料。本发明的高真空用层间热接合性石墨片的主旨在于：其厚度为9.6μm以下且50nm以上，在25℃下的a‑b面方向的导热率为1000W/mK以上。在本发明中，优选密度为1.8g/cm3以上。本发明的前述石墨片优选为在2900℃以上的温度下对高分子薄膜进行热处理而得到的石墨片，该高分子薄膜优选为选自聚酰胺、聚酰亚胺、聚喹喔啉、聚噁二唑、聚苯并咪唑等中的至少一种。

公开(公告)号：CN109074890B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201780024720.3

申请日：2017-04-20

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 村上睦明 ,  多多见笃 ,  立花正满

IPC: G21K5/08 ,  G21G4/02 ,  H05H3/06 ,  H05H6/00

Abstract: 本发明实现一种在用作加速器的靶时具备充分的耐久性、耐热性且放射性活化程度能降低的靶。本发明的靶(A)具备金属膜(3)及由石墨膜(4)构成的基板，石墨膜(4)在其面方向上的热导率为1600W/(m·K)以上，且其膜面方向上的热导率为其膜厚方向上的热导率的100倍以上，石墨膜(4)的厚度为1μm以上且100μm以下。

公开(公告)号：CN109311676B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN201780035390.8

申请日：2017-06-07

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 多多见笃 ,  村上睦明 ,  立花正满

IPC: C01B32/20

Abstract: 为实现由高品质的石墨构成并且即使进行切割加工，切断面也平滑的石墨片加工物，本发明的石墨片加工物的厚度是10nm以上且20μm以下，通过扫描型电子显微镜(SEM)进行剖面观察时，水平方向上90％以上是连续或不连续的石墨层，石墨片内部的石墨的平均结晶粒径是0.35μm以上且25μm以下，切断面上的毛刺的大小为线宽的15％以下，线宽低于400μm。

公开(公告)号：CN109311676A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780035390.8

申请日：2017-06-07

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 多多见笃 ,  村上睦明 ,  立花正满

IPC: C01B32/20

Abstract: 为实现由高品质的石墨构成并且即使进行切割加工，切断面也平滑的石墨片加工物，本发明的石墨片加工物的厚度是10nm以上且20μm以下，通过扫描型电子显微镜(SEM)进行剖面观察时，水平方向上90％以上是连续或不连续的石墨层，石墨片内部的石墨的平均结晶粒径是0.35μm以上且25μm以下，切断面上的毛刺的大小为线宽的15％以下，线宽低于400μm。

公开(公告)号：CN105579393B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201480053178.0

申请日：2014-08-07

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 多多见笃 ,  村上睦明 ,  立花正满

IPC: C01B32/20 ,  C01B32/205

CPC classification number: H05K1/09 ,  B32B9/007 ,  B32B9/045 ,  B32B27/20 ,  B32B27/281 ,  B32B27/34 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/206 ,  B32B2307/302 ,  B32B2457/00 ,  C01B32/20 ,  C01B2204/04 ,  C01B2204/24 ,  C01B2204/32 ,  H05K1/0296 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/0353 ,  H05K3/027 ,  H05K3/4611

Abstract: 本发明的第一方案为石墨片，其特征在于，其厚度为超过50nm且9.6μm以下，在25℃下的a‑b面方向的导热系数为1950W/mK以上。另外，本发明的第二方案为石墨片，其特征在于，其厚度为20nm以上且低于9.6μm的范围，面积为9mm2以上，在25℃下的a‑b面方向的载流子迁移率为8000cm2/V·秒以上。