公开(公告)号：CN104619881A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380042867.7

申请日：2013-02-15

Applicant: 株式会社IHI ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 中村武志 ,  石崎雅人 ,  渕上健儿 ,  保户塚梢 ,  霜垣幸浩 ,  百濑健 ,  福岛康之 ,  佐藤登 ,  船门佑一 ,  杉浦秀俊

IPC: C23C16/42 ,  C04B41/87

CPC classification number: C23C16/325 ,  C23C16/045 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 在将碳化硅浸渍于陶瓷纤维预制体的耐热复合材料的制造中，兼顾碳化硅的制膜的生长速度与包埋均一性。通过化学气相沉积法或化学气相浸渍法将碳化硅沉积于反应炉11所容纳的预制体100进行制膜，通过加入供给于反应炉11的原料气体及运载气体的添加气体的添加量来控制制膜的生长速度与包埋均一性。在制膜遵从一级反应的情况下，通过添加气体的添加量来控制制膜种的附着概率，在制膜遵从朗谬尔-欣谢伍德型速度式的情况下，通过添加气体的添加量进行控制，使得利用朗谬尔-欣谢伍德型速度式的零级反应区。

公开(公告)号：CN103547248A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280014745.2

申请日：2012-03-13

Applicant: 株式会社IHI

Inventor： 江口晴树 ,  渕上健儿

IPC: A61K8/19 ,  A61K8/27 ,  A61K8/28 ,  A61K8/29 ,  A61Q17/04

CPC classification number: A61K8/27 ,  A61K8/19 ,  A61Q17/04

Abstract: 本发明提供一种紫外线吸收剂及使用其的化妆品，其具有对UV-A和UV-B的充分遮断效果、涂布在皮肤上时能够实现与该皮肤的颜色相符的自然着色、对于皮肤颜色深的人种也能够适宜地适用。在通式ABO4(这里，A为In、Bi、Ga或Gd，B为Ta、Nb或V)所表示的化合物的A或B的各自一个或二者中导入10%以下的由Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、As、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、La、In所组成的组中的至少一种而形成的紫外线吸收剂。

公开(公告)号：CN103429217A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201180061012.X

申请日：2011-11-09

Applicant: 株式会社IHI

Inventor： 江口晴树 ,  渕上健儿

IPC: A61K8/19 ,  A61Q17/04

CPC classification number: A61K8/22 ,  A61K8/19 ,  A61Q17/04 ,  C01G35/00 ,  C01P2002/50

Abstract: 本发明提供一种化妆料及其制造方法，该化妆料对UV-A和UV-B具有充分的遮蔽效果，即使配合在化妆料中也不会着色，并且在涂抹于肌肤时不会不自然地泛白。该化妆料中的InTaO4的至少一部分被Sc、Ti、V、Cr、Mn、Co、Cu、Ga、Ge、As、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、W、Re、Os、Ir、Pt、Au和Hg中的至少一种元素取代。