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公开(公告)号：CN105917024A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201580003858.6
申请日：2015-02-17
Applicant: 株式会社IHI , 国立大学法人东京大学
IPC: C23C16/42
Abstract: 向在电炉(10)内容纳的如预制体那样的具有微细结构的基材(100)供给含有原料气体、添加气体以及载流气体的混合气体，利用化学气相沉积法或化学气相含浸法沉积碳化硅来进行制膜，通过在原料气体中添加的添加气体的添加量来控制制膜的生长速度和埋入均匀性，所述原料气体含有四甲基硅烷，所述添加气体含有如氯化氢、氯代甲烷这样的含氯分子，在陶瓷纤维的预制体中含浸碳化硅的耐热复合材料的制造中，兼顾碳化硅的制膜的生长速度和埋入均匀性。
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公开(公告)号：CN105917024B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201580003858.6
申请日：2015-02-17
Applicant: 株式会社IHI , 国立大学法人东京大学
IPC: C23C16/42
Abstract: 向在电炉(10)内容纳的如预制体那样的具有微细结构的基材(100)供给含有原料气体、添加气体以及载流气体的混合气体，利用化学气相沉积法或化学气相含浸法沉积碳化硅来进行制膜，通过在原料气体中添加的添加气体的添加量来控制制膜的生长速度和埋入均匀性，所述原料气体含有四甲基硅烷，所述添加气体含有如氯化氢、氯代甲烷这样的含氯分子，在陶瓷纤维的预制体中含浸碳化硅的耐热复合材料的制造中，兼顾碳化硅的制膜的生长速度和埋入均匀性。
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公开(公告)号：CN104619881A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201380042867.7
申请日：2013-02-15
Applicant: 株式会社IHI , 国立大学法人东京大学
CPC classification number: C23C16/325 , C23C16/045 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 在将碳化硅浸渍于陶瓷纤维预制体的耐热复合材料的制造中，兼顾碳化硅的制膜的生长速度与包埋均一性。通过化学气相沉积法或化学气相浸渍法将碳化硅沉积于反应炉11所容纳的预制体100进行制膜，通过加入供给于反应炉11的原料气体及运载气体的添加气体的添加量来控制制膜的生长速度与包埋均一性。在制膜遵从一级反应的情况下，通过添加气体的添加量来控制制膜种的附着概率，在制膜遵从朗谬尔-欣谢伍德型速度式的情况下，通过添加气体的添加量进行控制，使得利用朗谬尔-欣谢伍德型速度式的零级反应区。
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公开(公告)号：CN109415212A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780040374.8
申请日：2017-07-04
Applicant: 株式会社IHI , 国立大学法人东京大学
IPC: C01B32/977 , C01B33/107 , C04B35/565 , C23C16/42
Abstract: 硅化合物材料的制造方法包含如下工序：将碳化硅的预制体容纳于反应炉中的工序；向反应炉供给包含甲基三氯硅烷的原料气体，使碳化硅含浸于预制体中的工序；以及以预定速度控制从反应炉排出的气体的温度并使其下降，对气体施加连续的热历程，从而减少源自气体的、液体或固体副产物的产生的工序。
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公开(公告)号：CN105814234B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201580003002.9
申请日：2015-02-25
Applicant: 株式会社IHI , 国立大学法人东京大学
CPC classification number: C04B41/4531 , C04B35/565 , C04B35/806 , C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/87 , C04B2235/5244 , C04B2235/5248 , C04B2235/5252 , C04B2235/5256 , C04B2235/614 , C23C16/045 , C23C16/325
Abstract: 本发明提供一种耐热复合材料的制造方法，是向在电炉(10)中容纳的预制体(100)供给包含原料气体、添加气体和载气的混合气体，利用化学气相沉积法或化学气相渗透法使碳化硅炭硅沉积，从而进行制膜的方法，预制体100包含多个纤维束，纤维束包含多根纤维，所述方法包含：使碳化硅沉积于纤维之间来将构成所述纤维束的纤维之间一体化的步骤和使碳化硅沉积于纤维束之间而将纤维束之间一体化的步骤，在碳化硅含浸于陶瓷纤维预制体而得的耐热复合材料的制造中，兼顾碳化硅的制膜的生长速度和包埋的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105814234A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201580003002.9
申请日：2015-02-25
Applicant: 株式会社IHI , 国立大学法人东京大学
CPC classification number: C04B41/4531 , C04B35/565 , C04B35/806 , C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/87 , C04B2235/5244 , C04B2235/5248 , C04B2235/5252 , C04B2235/5256 , C04B2235/614 , C23C16/045 , C23C16/325
Abstract: 本发明提供一种耐热复合材料的制造方法，是向在电炉(10)中容纳的预制体(100)供给包含原料气体、添加气体和载气的混合气体，利用化学气相沉积法或化学气相渗透法使碳化硅炭硅沉积，从而进行制膜的方法，预制体100包含多个纤维束，纤维束包含多根纤维，所述方法包含：使碳化硅沉积于纤维之间来将构成所述纤维束的纤维之间一体化的步骤和使碳化硅沉积于纤维束之间而将纤维束之间一体化的步骤，在碳化硅含浸于陶瓷纤维预制体而得的耐热复合材料的制造中，兼顾碳化硅的制膜的生长速度和包埋的均匀性。
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公开(公告)号：CN101978503A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109236.6
申请日：2009-03-26
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 住友化学株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/51 , H01L21/28264 , H01L29/20 , H01L29/66522 , H01L29/78 , H01L29/94
Abstract: 提供一种半导体-绝缘体界面的界面能级降低后的半导体基板及其制造方法以及半导体装置。提供的半导体基板具有：含砷的3至5族化合物的半导体层以及氧化物、氮化物或氮氧化物的绝缘层。其是在所述半导体层与所述绝缘层之间检测不出砷的氧化物的半导体基板。在该第一方案中，半导体基板可以是在以存在于所述半导体层与所述绝缘层之间的元素为对象的X射线光电子分光法的光电子强度分光观察中，在起因于砷的元素峰值的高结合能量侧检测不出起因于氧化的砷的氧化物峰值的半导体基板。
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公开(公告)号：CN114981029A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180009672.7
申请日：2021-01-18
Applicant: 京瓷株式会社 , 国立大学法人东京大学
Abstract: 本发明的不受限定的一例的涂层刀具，具有基体、和位于基体之上的涂膜。涂层刀具具备第一面、与第一面相邻的第二面、位于第一面和第二面的棱线部的至少一部分上的刃口。涂膜具备含有Ti和Al和N的AlTiN膜。而且，在第一面中，设距刃口0.1mm的位置的Al/(Al+Ti)为第一Al比，设距刃口0.2mm的位置的Al/(Al+Ti)为第二A1比时，第一Al比和第二Al比为0.7以上，第二Al比大于第一Al比。
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公开(公告)号：CN101978503B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200980109236.6
申请日：2009-03-26
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 住友化学株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/51 , H01L21/28264 , H01L29/20 , H01L29/66522 , H01L29/78 , H01L29/94
Abstract: 提供一种半导体-绝缘体界面的界面能级降低后的半导体基板及其制造方法以及半导体装置。提供的半导体基板具有：含砷的3至5族化合物的半导体层以及氧化物、氮化物或氮氧化物的绝缘层。其是在所述半导体层与所述绝缘层之间检测不出砷的氧化物的半导体基板。在该第一方案中，半导体基板可以是在以存在于所述半导体层与所述绝缘层之间的元素为对象的X射线光电子分光法的光电子强度分光观察中，在起因于砷的元素峰值的高结合能量侧检测不出起因于氧化的砷的氧化物峰值的半导体基板。
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公开(公告)号：CN114929416A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180008675.9
申请日：2021-01-18
Applicant: 京瓷株式会社 , 国立大学法人东京大学
Abstract: 本公开的未限定的一例的涂层刀具具有基体以及位于基体之上的涂层膜。涂层刀具具备第一面、与第一面相邻的第二面、以及位于第一面与第二面的棱线部的至少一部分的切削刃。涂层膜具备AlTiN膜。涂层膜具有与基体的表面平行的与切削刃以90°的角度相交的第一方向的第一压缩应力σ11以及与第一方向以90°的角度相交的第二方向的第二压缩应力σ22。而且，第一压缩应力σ11与第二压缩应力σ22不同。
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