-
公开(公告)号:CN113330535A
公开(公告)日:2021-08-31
申请号:CN202080010084.0
申请日:2020-01-14
申请人: 株式会社JET
IPC分类号: H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/306
摘要: 本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法,能够在减少微粒等异物的残留的同时获得抗蚀膜的较高去除率。以处理面(S1)与转台(14)的上表面隔开规定间隔且处理面(S1)朝下的姿势将基板(11)固定在壳体(12)内的转台(14)上。在基板(11)与转台(14)一体旋转的同时,从设置在转台(14)的中央部的喷出部(16)喷出臭氧气体。利用喷出的臭氧气体去除处理面(S1)上的抗蚀膜。
-
公开(公告)号:CN113330537A
公开(公告)日:2021-08-31
申请号:CN202080010588.2
申请日:2020-01-14
申请人: 株式会社JET
IPC分类号: H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/306
摘要: 本发明提供一种能够获得较高抗蚀膜去除率的基板处理装置以及基板处理方法。在壳体(12)内的转台(21)上,基板(11)的处理面(S1)与固定板(17)的上表面隔开规定间隔,并以处理面(S1)朝下的姿势被固定。基板(11)与转台(21)一体旋转。在基板(11)的旋转过程中,使混合了臭氧气体和臭氧水的气液二相流体从设置在固定板(17)的中央部的喷出部(16)向形成于处理面(S1)和上表面之间的流路流动。
-