传感器单元及气密性检查装置

    公开(公告)号:CN107850507A

    公开(公告)日:2018-03-27

    申请号:CN201680044626.X

    申请日:2016-06-20

    申请人: 株式会社JET

    IPC分类号: G01M3/20 G01M3/00

    摘要: 在真空室(14)内容纳检查对象的锂离子电池(11)。在真空室(14)的上部连接有初始排气配管(47)和检查排气配管(51)。经由初始排气配管(47)对真空室(14)内进行初始排气而降低至检查压力(Pe)。之后,经由检查排气配管(51)进行检查排气。在检查排气配管(51)的中途连接有传感器单元(16)。穿过检查排气配管(51)的排气气体从流入口向传感器单元(16)的内部流入,通过设置于内部的喷嘴朝向气体传感器的传感面垂直地流动。排气气体穿过气体传感器的内部而从排出口向传感器单元(16)的外部排出。

    基板处理系统及基板处理方法

    公开(公告)号:CN107636807B

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN201680029785.2

    申请日:2016-06-14

    申请人: 株式会社JET

    摘要: 本发明提供一种基板处理系统及基板处理方法,能够得到所需的蚀刻率和选择比,而且能够进行稳定的处理。将基板(11)浸渍在储存于处理槽(14)内的处理液(12)中。处理槽(14)由盖部件(21a、21b)密封,内部通过来自加热的处理液(12)的水蒸气被加压。处理液(12)中纯水连续地被加入。测量处理槽(14)的内部压力,并根据内部压力(Pa),增减排气阀(41)的开度以将内部压力保持在预定的压力的同时,根据内部压力(Pa),增减纯水的加水量,从而由具有预定的浓度和温度的处理液(12)处理基板(11)。

    太阳能电池的制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109417104A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201780029783.8

    申请日:2017-06-07

    申请人: 株式会社JET

    发明人: 熊谷晃

    IPC分类号: H01L31/0236

    摘要: 本发明提供一种可以在硅基板表面形成最佳的纹理结构的太阳能电池的制造方法。该方法中,对硅基板依次进行附着工序、第一蚀刻工序及第二蚀刻工序。在附着工序中,将硅基板浸渍在含有氢氟酸和硝酸银的第一水溶液中,以将银附着到硅基板表面上。第一水溶液被制备成硝酸银的摩尔浓度在9×10-5mol/L以上且1×10-3mol/L以下的范围内。在第一蚀刻工序中,将硅基板浸渍于在水中含有氢氟酸和过氧化氢的第二水溶液中,通过析出的银作为催化剂对硅基板进行蚀刻,从而在硅基板表面形成多个细孔以使硅基板表面多孔化。在第二蚀刻工序中,将硅基板浸渍在含有氢氟酸和硝酸的第三水溶液中以进行蚀刻,从而增大细孔的深度和开口尺寸。

    基板处理装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107735852A

    公开(公告)日:2018-02-23

    申请号:CN201680029809.4

    申请日:2016-06-14

    申请人: 株式会社JET

    IPC分类号: H01L21/306 H01L21/304

    摘要: 本发明提供一种基板处理装置,能够进行基板间的均匀性更高的处理,其特征在于,包括:处理槽(12),储存处理液,对以预定的间隔配置的多个基板(24)进行处理;第一排出部(14b1)和第二排出部(14b2),具有所述处理液在所述多个基板(24)的厚度方向上流动的流路(14a)、沿所述流路形成的多个开口(15)和封闭所述流路(14a)前端的前端面(161、162);供给路径(18),将所述处理液供给到所述第一排出部(14b1)和所述第二排出部(14b2)的基端(14bs、14be),并具有供液口(20),其中,从所述供液口(20)到所述第二排出部(14b2)的所述前端面(162)的长度和从所述供液口(20)到所述第一排出部(14b1)的所述前端面(161)的长度实质上相同。

    基板处理系统及基板处理方法

    公开(公告)号:CN107636807A

    公开(公告)日:2018-01-26

    申请号:CN201680029785.2

    申请日:2016-06-14

    申请人: 株式会社JET

    摘要: 本发明提供一种基板处理系统及基板处理方法,能够得到所需的蚀刻率和选择比,而且能够进行稳定的处理。将基板(11)浸渍在储存于处理槽(14)内的处理液(12)中。处理槽(14)由盖部件(21a、21b)密封,内部通过来自加热的处理液(12)的水蒸气被加压。处理液(12)中纯水连续地被加入。测量处理槽(14)的内部压力,并根据内部压力(Pa),增减排气阀(41)的开度以将内部压力保持在预定的压力的同时,根据内部压力(Pa),增减纯水的加水量,从而由具有预定的浓度和温度的处理液(12)处理基板(11)。

    超声波熔接装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113290312B

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202110198605.6

    申请日:2021-02-20

    IPC分类号: B23K20/10 B29C65/08

    摘要: 本发明提供一种不易产生熔接不良的超声波熔接装置。超声波焊头(21)在将其压接面(21a)压接于层压片(15、16)的周缘部的状态下沿X方向移动,由此对层压片(15、16)的周缘部进行超声波熔接。超声波焊头(21)的压接面(21a)成为向压接方向突出的圆弧形状。压接面(21a)形成为压接面(21a)与载置面之间的间隔从熔接时超声波焊头(21)的移动方向的前端朝向后端侧而连续地逐渐减小,载置面将层压片(15、16)夹在压接面(21a)与载置面之间。通过该压接面(21a)使层压片(15、16)顺畅地密接。

    基板处理装置
    7.
    发明公开
    基板处理装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115039207A

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN202080093881.X

    申请日:2020-11-05

    申请人: 株式会社JET

    IPC分类号: H01L21/306

    摘要: 本发明提供一种能够通过在处理液中形成的惰性气体的气泡来提高基板处理的均匀性的基板处理装置。在处理槽(18)的底部配置有多个供液管(31)和多个气泡管部(37)。在供液管(31)上形成有向下方内侧和下方外侧喷出处理液的喷液孔(31a、31b)。在气泡管部(37)上形成有向下方内侧喷出氮气的喷气孔(37a)。气泡管部(37)分别在基板(11)的排列范围的大致中央通过隔板(40)划分为第一喷出部(41)和第二喷出部(42)。各气泡管部(37)的第一喷出部(41)和第二喷出部(42)被供给氮气,氮气的流量由分别与第一喷出部(41)和第二喷出部(42)连接的流量调整部(52)进行独立调整。

    基板处理装置
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107735852B

    公开(公告)日:2021-09-10

    申请号:CN201680029809.4

    申请日:2016-06-14

    申请人: 株式会社JET

    IPC分类号: H01L21/306 H01L21/304

    摘要: 本发明提供一种基板处理装置,能够进行基板间的均匀性更高的处理,其特征在于,包括:处理槽(12),储存处理液,对以预定的间隔配置的多个基板(24)进行处理;第一排出部(14b1)和第二排出部(14b2),具有所述处理液在所述多个基板(24)的厚度方向上流动的流路(14a)、沿所述流路形成的多个开口(15)和封闭所述流路(14a)前端的前端面(161、162);供给路径(18),将所述处理液供给到所述第一排出部(14b1)和所述第二排出部(14b2)的基端(14bs、14be),并具有供液口(20),其中,从所述供液口(20)到所述第二排出部(14b2)的所述前端面(162)的长度和从所述供液口(20)到所述第一排出部(14b1)的所述前端面(161)的长度实质上相同。

    超声波熔接装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113290312A

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN202110198605.6

    申请日:2021-02-20

    IPC分类号: B23K20/10 B29C65/08

    摘要: 本发明提供一种不易产生熔接不良的超声波熔接装置。超声波焊头(21)在将其压接面(21a)压接于层压片(15、16)的周缘部的状态下沿X方向移动,由此对层压片(15、16)的周缘部进行超声波熔接。超声波焊头(21)的压接面(21a)成为向压接方向突出的圆弧形状。压接面(21a)形成为压接面(21a)与载置面之间的间隔从熔接时超声波焊头(21)的移动方向的前端朝向后端侧而连续地逐渐减小,载置面将层压片(15、16)夹在压接面(21a)与载置面之间。通过该压接面(21a)使层压片(15、16)顺畅地密接。