公开(公告)号：CN208925986U

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201721620878.0

申请日：2017-11-28

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 郑明珍 ,  高京门 ,  朴致成 ,  金玟冏 ,  朴哲熙 ,  闵裕镐

IPC分类号： A47J37/07

摘要： 本实用新型所涉及的烤串装置包括：加热部、与上述加热部对应的冷却部、位于上述加热部的上部的签子、位于上述加热部与上述冷却部之间的热电元件、与上述热电元件连接并由上述热电元件接受电力的马达部、以及将上述马达部与上述签子之间连接并使上述签子旋转的驱动单元。根据本实用新型，即使在野外没有电池等电源也使签子自动旋转。

公开(公告)号：CN111712534B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN201980012904.7

申请日：2019-05-14

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 边真锡 ,  高京门 ,  李相宪 ,  徐光锡 ,  张影来

IPC分类号： C08J5/18 ,  G02B1/111 ,  G02B5/22 ,  G02B5/30 ,  C09D5/00 ,  C09D133/08 ,  C09D133/10 ,  C08K7/24 ,  C08L33/08 ,  C08J7/046

摘要： 本发明涉及具有诸如高耐磨性和耐刮擦性的机械特性和优异的光学特性的抗反射膜，以及包括其的偏光板和显示装置。

公开(公告)号：CN109314171B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN201880002373.9

申请日：2018-02-12

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 高京门 ,  朴哲熙 ,  金玟冏 ,  郑明珍 ,  朴致成

IPC分类号： H01L35/16 ,  C01G51/00 ,  H01L35/34 ,  H01L31/0272

摘要： 本发明提供了可以用于热电材料、太阳能电池等的由以下化学式1表示的新化合物半导体材料、其制备方法、以及使用其的热电转换装置或太阳能电池。[化学式1]NdxSyCo4Sb12‑zQz，其中Q为选自O、Se和Te中的至少一者，条件是0

公开(公告)号：CN109275341B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201780025805.3

申请日：2017-12-22

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 高京门 ,  朴哲熙 ,  朴致成 ,  金玟冏

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/0272 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  H01L31/18 ,  H01L35/34

摘要： 本发明涉及新的化合物半导体及其用途，其中所述新的化合物半导体包含：Co‑Sb方钴矿化合物；包含在所述Co‑Sb方钴矿化合物的内部空隙中的Sn和S；和取代所述Co‑Sb方钴矿化合物的Sb的Q，以及所述新的化合物半导体表示为[化学式1]SnxSyCo4Sb12‑zQz(其中在化学式1中，Q为选自O、Se和Te中的一种或更多种，0

公开(公告)号：CN105518890B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201480049267.8

申请日：2014-09-05

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 高京门 ,  金兑训 ,  朴哲熙

IPC分类号： H01L35/14

CPC分类号： H01L35/16 ,  C01B19/007 ,  C01P2006/40

摘要： 公开了一种具有优异性能的热电材料。根据本发明的热电材料可以由以下化学式1表示。 CuxSe，其中在化学式1中，2＜x≤2.6。

公开(公告)号：CN104885241A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201480003857.7

申请日：2014-09-05

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 高京门 ,  金兑训 ,  朴哲熙 ,  李载骑

IPC分类号： H01L35/14

CPC分类号： H01L35/16 ,  C01B19/007 ,  C01G3/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  H01L35/14

摘要： 公开了一种具有优异性能的热电转换材料。根据本发明的热电材料包含Cu和Se，其中包含Cu原子和Se原子的晶体在特定温度下同时具有多个不同的晶体结构。

公开(公告)号：CN114514444A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202180005501.7

申请日：2021-03-16

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 边真锡 ,  高京门 ,  张影来

IPC分类号： G02B1/113 ,  G02B1/115 ,  G02B1/14 ,  G02B5/30 ,  G09F9/33 ,  H01L27/32

摘要： 本公开内容涉及抗反射膜，以及包括所述抗反射膜的偏光板、显示装置和有机发光二极管显示装置，所述抗反射膜包括：硬涂层；和低折射率层，其中在所述低折射率层中存在包含中空无机纳米颗粒和实心无机纳米颗粒二者并且具有1.5nm至22nm的厚度的颗粒混合层，以及其中所述抗反射膜在400nm波长下的反射率与在550nm波长下的反射率之比为1.3至2.7。

公开(公告)号：CN110268107B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201880010712.8

申请日：2018-09-28

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 金玟冏 ,  闵裕镐 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  郑明珍

IPC分类号： C30B29/46 ,  C30B33/02 ,  H01L35/14

摘要： 本发明提供了以下化学式1的新的含硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件，所述含硫属元素的化合物通过功率因数的增加和热导率的降低而表现出优异的热电性能指数(ZT)。[化学式1]MyV1‑ySnxSb2Tex+3在上式1中，V为空位，M为碱金属，x≥6，以及0＜y≤0.4。

公开(公告)号：CN112219142A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201980035545.7

申请日：2019-10-17

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 边真锡 ,  金素英 ,  徐姃贤 ,  金东炫 ,  高京门 ,  张影来

IPC分类号： G02B5/20 ,  G02B5/30 ,  G02F1/1335 ,  G02B1/10 ,  G02B1/14 ,  G02B1/111 ,  B29D11/00 ,  B32B27/08 ,  B32B27/36

摘要： 本发明涉及抗反射膜、包括其的偏光板和显示装置，所述抗反射膜具有低反射率偏差和透光率偏差，可以同时实现高耐刮擦性和防污特性，并且可以提高显示装置的屏幕清晰度。

公开(公告)号：CN111712534A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN201980012904.7

申请日：2019-05-14

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 边真锡 ,  高京门 ,  李相宪 ,  徐光锡 ,  张影来

IPC分类号： C08J5/18 ,  G02B1/111 ,  G02B5/22 ,  G02B5/30 ,  C09D5/00 ,  C09D133/08 ,  C09D133/10 ,  C08K7/24 ,  C08L33/08 ,  C08J7/046

摘要： 本发明涉及具有诸如高耐磨性和耐刮擦性的机械特性和优异的光学特性的抗反射膜，以及包括其的偏光板和显示装置。