公开(公告)号：CN101097406A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710112529.2

申请日：2007-06-20

Applicant: 株式会社ORC制作所

Inventor： 三好久司

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供描图系统，从而对应于基板等的被描图体的变形而适当地修正描图位置，可对应于各种制造行程之同时，形成精度佳的描图图案。在使用DMD等的光调变组件的描图装置中，使用CCD而量测四个对准孔(M0～M3)的位置。根据藉由将预设的基准矩形(Z0)做2×2的分割而定出的基准分割区域(DV0～DV3)，以及由所量测的四个对准孔(M0～M3)所定出的变形矩形(Z)做2×2的分割而定出的变形分割区域(DM0～DM3)，算出各分割区域的偏移量、旋转角、尺寸比。然后，根据偏移量、旋转角及尺寸比而修正属于该基准分割区域的描图资料。

公开(公告)号：CN119439660A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202311399688.0

申请日：2023-10-25

Applicant: 株式会社ORC制作所

Inventor： 三好久司

IPC: G03F9/00

Abstract: 本发明提供基板的对准方法。在曝光装置等中，对于提高了安装密度的多重图案基板，也高精度地进行对准。在曝光装置(10)中，能够在基板(W)上，在各单片基板区域(CS)的间隙(切割空间，SM)的设置于单片基板区域四角附近的空间(SS)中形成集合对准标记(L、L’、LL)，该集合对准标记(L、L’、LL)由呈十字状或L字状排列的点状标记(M)或者以包围各单片基板区域(CS)的方式排列的点状标记M构成。

公开(公告)号：CN107015439B

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201610865654.X

申请日：2016-09-29

Applicant: 株式会社ORC制作所

Inventor： 三好久司

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

Abstract: 曝光装置以及曝光装置的对准方法，即使对配设有众多图案的基板，也迅速且准确地进行对准。曝光装置具有对准所使用的照相机(29)和DMD(22)，能够按照FO‑WLP形成图案，在该曝光装置中，使多个半导体芯片(SC)落在视野内而同时拍摄，从其图像提取各个半导体芯片(SC)的轮廓，将提取了作为标记的连接焊盘(CP)的比较对象区域(TA)的图像与模板图像进行比较，检测各芯片的位置偏差量。

公开(公告)号：CN101097407B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200710112531.X

申请日：2007-06-20

Applicant: 株式会社ORC制作所

Inventor： 三好久司

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供描图系统、描图资料修正装置及方法、基板的制造方法，从而对应于基板等的被描图体的变形而适当地修正描图位置，形成精度佳的描图图案。在使用DMD等的光调变组件的描图装置中，使用CCD而量测四个对准孔的位置。然后，在维持从基准矩形(Z0)的一对边(TA1、TA2)及一对边(TB1、TB2)算起的距离比(m∶n及M∶N)的情况下，使描图资料的位置坐标，即描图位置相对于变形后的四角形(Z)的一对边(TA1、TA2)及一对边(TB1、TB2)而沿X、Y方向移动。

公开(公告)号：CN101097407A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710112531.X

申请日：2007-06-20

Applicant: 株式会社ORC制作所

Inventor： 三好久司

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供描图系统，从而对应于基板等的被描图体的变形而适当地修正描图位置，形成精度佳的描图图案。在使用DMD等的光调变组件的描图装置中，使用CCD而量测四个对准孔的位置。然后，在维持从基准矩形(Z0)的一对边(TA1、TA2)及一对边(TB1、TB2)算起的距离比(m∶n及M∶N)的情况下，使描图资料的位置坐标，即描图位置相对于变形后的四角形(Z)的一对边(TA1、TA2)及一对边(TB1、TB2)而沿X、Y方向移动。

公开(公告)号：CN107015439A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610865654.X

申请日：2016-09-29

Applicant: 株式会社ORC制作所

Inventor： 三好久司

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

Abstract: 曝光装置以及曝光装置的对准方法，即使对配设有众多图案的基板，也迅速且准确地进行对准。曝光装置具有对准所使用的照相机(29)和DMD(22)，能够按照FO‑WLP形成图案，在该曝光装置中，使多个半导体芯片(SC)落在视野内而同时拍摄，从其图像提取各个半导体芯片(SC)的轮廓，将提取了作为标记的连接焊盘(CP)的比较对象区域(TA)的图像与模板图像进行比较，检测各芯片的位置偏差量。

公开(公告)号：CN101097406B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200710112529.2

申请日：2007-06-20

Applicant: 株式会社ORC制作所

Inventor： 三好久司

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供描图系统、描图资料修正装置及方法、基板的制造方法，从而对应于基板等的被描图体的变形而适当地修正描图位置，可对应于各种制造行程之同时，形成精度佳的描图图案。在使用DMD等的光调变组件的描图装置中，使用CCD而量测四个对准孔(M0～M3)的位置。根据藉由将预设的基准矩形(Z0)做2×2的分割而定出的基准分割区域(DV0～DV3)，以及由所量测的四个对准孔(M0～M3)所定出的变形矩形(Z)做2×2的分割而定出的变形分割区域(DM0～DM3)，算出各分割区域的偏移量、旋转角、尺寸比。然后，根据偏移量、旋转角及尺寸比而修正属于该基准分割区域的描图资料。