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发明公开
曝光装置和布线图案的制作方法审中-实审

公开(公告)号：CN116819893A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202211088146.7

申请日：2022-09-07

Applicant: 株式会社ORC制作所

Inventor： 奥山隆志 , 渡边徹

IPC: G03F7/20 , H01L21/67

Abstract: 本发明提供曝光装置和布线图案的制作方法。在半导体封装制造工艺等中，进行能够抑制吞吐量降低的布线的图案化。在FO‑WLP的曝光工艺中，测定配置在临时的基板(B)上的半导体芯片(SC)之间相对于基准位置的位置偏移量。根据区域内布线图案(AD)的形成位置校正，进行针对区域外布线图案(BD)的形成位置的校正和缩放校正，并且生成圆弧状的补充布线图案(CD)。然后，将校正后的区域内布线图案(AD)、区域外布线图案(BD)、生成的圆弧状的补充布线图案(CD)合成为光栅数据。

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