公开(公告)号：CN118742994A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380023503.8

申请日：2023-01-26

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 木下理裕 ,  杨映保 ,  鸟山诚也 ,  小杉纯一 ,  后藤顺 ,  泽井卓哉

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

Abstract: 激光退火装置具备射出激光束的多个光束出射部，所述激光束由连续振荡激光构成且相对于被照射面具有长方形的光束点，所述激光退火装置使所述激光束相对于在基板上成膜的非晶硅膜沿着扫描方向相对地进行扫描，而将所述非晶硅膜的带状的改性预定区域晶化，其中，所述光束点的长边与正交于所述扫描方向的方向平行，所述光束点的长边的长度设定为比由于内部应力而使所述基板破损的长度短，其中，所述内部应力是伴随着基于所述激光束的照射引起的加热而产生的对所述基板来说固有的应力。

公开(公告)号：CN114902376A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202080090760.X

申请日：2020-12-23

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 泽井卓哉

IPC: H01L21/268

Abstract: 激光退火装置使CW激光相对于非晶硅膜沿固定方向进行相对移动，使非晶硅膜进行横向晶体生长来形成晶化硅膜，其中，光学系统具备：光束整形部，其将CW激光整形为形成聚光环的激光束；以及光束分割部，其具有反射面，该反射面将整形后的环状的激光束分割并反射来生成半环状的激光束，激光退火装置以使半环状的激光束的外周缘朝向激光束的相对移动方向的方式，将半环状的激光束向非晶硅膜的被照射面照射。

公开(公告)号：CN113169054A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980076628.0

申请日：2019-11-27

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 后藤顺 ,  泽井卓哉

IPC: H01L21/268

Abstract: 激光退火装置具备：光源部，其具备射出激光束的半导体激光器；均匀化元件，其具有光入射面和与该光入射面对置的光出射面，从半导体激光器直接射出的激光束向光入射面入射，从光出射面射出均匀化了的激光束；以及出射侧成像系统，其将该均匀化元件的光出射面向被处理基板的表面投影。