一种LaSm共掺杂ITO靶材及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN117142848A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311141927.2

    申请日:2023-09-06

    摘要: 本发明公开了一种LaSm共掺杂I TO靶材及其制备方法与应用,属于I TO靶材技术领域,将纳米I TO粉末、纳米LaSm(BO3)2粉末和乙酸溶液球磨混合成浆料,在模具中,480±5MPa和400‑420℃保温保压60‑80mi n,自然冷却,得到坯体后在氧气氛围下,1350‑1400℃烧结3‑3.5h,制备出LaSm共掺杂I TO靶材;烧结温度小于常用的1550℃,避免晶粒和密度过大,防止对溅镀后薄膜的透光率产生影响;纳米LaSm(BO3)2粉末的添加有助于增减溅镀膜的透光率;LaSm共掺杂I TO靶材的溅镀膜I TO膜作为太阳能电池硅片的减反膜,可以降低电池的内阻,从而提高太阳能电池的输出功率。

    一种用于靶材制作的高纯氧化物制备方法

    公开(公告)号:CN114853465B

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202210424379.3

    申请日:2022-04-21

    发明人: 唐智勇

    摘要: 本发明公开了一种用于靶材制作的高纯氧化物制备方法,涉及靶材制备技术领域,将铝离子、镓离子、锌离子以及铟离子分别加入电解液内进行电解以得到电解所得铝、电解所得镓、电解所得锌以及电解所得铟,而后对各电解所得物水解后进行甩干处理,将甩干后的电解所得铝、电解所得镓、电解所得锌以及电解所得铟进行加热以获得前驱体,再对前驱体进行煅烧处理以获得高纯氧化铝粉末、高纯氧化镓粉末、高纯氧化锌粉末以及高纯氧化铟粉末,得到了高纯度的金属氧化物粉末,在靶材制作的过程中,使得该高纯氧化物在制备靶材时,在致密度、电阻率以及载离子迁移率方面得到显著提升。

    一种避免浪费ITO靶材的尺寸控制装置及方法

    公开(公告)号:CN115900331A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202211362128.3

    申请日:2022-11-02

    发明人: 唐智勇 唐安泰

    摘要: 本发明属于ITO靶材生产技术领域,尤其是一种避免浪费ITO靶材的尺寸控制装置及方法,针对现有技术中坯体受热不均匀导致横向的烧结收缩率差异较大,靶材利用率低下,坯体下部与坯体其他部位受热存在差距,坯体的收缩阻力表现为收缩率从上到下呈梯度减小的问题,现提出如下方案,其包括:烧结炉,以及位于烧结炉内的承烧台,所述烧结炉内滑动连接有门板,所述烧结炉远离门板的一侧内壁固定连接有弧形限位板,所述承烧台的底部设有多个万向轮,本发明中,通过带动承烧台和胚体转动,使胚体在烧结炉内受热均匀,避免胚体出现变形,且扇叶转动将烧结炉内的热气向上吹动,避免坯体下部与坯体其他部位受热存在差距,使得胚体形状不可控。

    一种高纯度银靶材及其加工方法

    公开(公告)号:CN115141952A

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202210791662.X

    申请日:2022-07-05

    发明人: 唐安泰 唐智勇

    摘要: 本发明公开了一种高纯度银靶材及其加工方法,由纯度为99%的银原料制备而成,所述制备的高纯度银靶材的纯度为3N~6N,所述高纯银靶的微观组织为细小均匀晶粒,平均晶粒尺寸≤40μm。本发明提供的一种高纯度银靶材及其加工方法,1、本发明提供的高纯度银靶材及其加工方法,通过采用成型处理和热处理,制备得到高纯银靶材具有晶粒尺寸细小、晶粒分布均匀、成分均匀和致密性高的特点,确保高纯度银靶材的品质和质量,本发明及其方法所生产的高纯度银靶材,通过采用锻造、轧制和退火热处理结合使得靶材成分均匀、晶粒分布均匀、晶粒细化,通过对银靶材进行热处理,消除银靶材的内部应力,提高了银靶材的致密性和均匀性。

    一种高纯度金属溅射靶材冷却方法

    公开(公告)号:CN115125497A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210792479.1

    申请日:2022-07-05

    发明人: 唐智勇 唐安泰

    IPC分类号: C23C14/34

    摘要: 本申请提供了一种高纯度金属溅射靶材冷却方法,包括:在所述冷却箱中设置第一冷却机构、第二冷却机构和第三冷却机构,所述第一冷却机构对高纯度金属溅射靶材进行清洗杂质和初步冷却,所述第二冷却机构对清洗之后的高纯度金属溅射靶材进行水冷,所述第三冷却机构对高纯度金属溅射靶材进行风冷。本发明所述的一种高纯度金属溅射靶材冷却方法,通过设置的第一冷却机构、第二冷却机构和第三冷却机构,第一冷却室对高纯度金属溅射靶材进行清洗杂质和初步冷却,第二冷却室通过设置的冰水能够使得高纯度金属溅射靶材快速降温,第三冷却室中的冷风机能够对进行再次冷却和风杆,从而提高本方法的冷却效率,方便了人们的使用。

    一种用于制备高密度ITO靶材的离心喷雾造粒工艺

    公开(公告)号:CN112897990B

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN202110243038.1

    申请日:2021-03-05

    发明人: 唐智勇

    摘要: 本发明公开了一种用于制备高密度ITO靶材的离心喷雾造粒工艺,属于ITO靶材加工技术领域,该离心喷雾造粒工艺包括以下步骤:S1、称取In2O3纳米粉末和SnO2纳米粉末,加入去离子水和分散剂,搅拌均匀,得到浆料;S2、将浆料通过砂磨机球磨,然后加入粘结剂和消泡剂,混合均匀后,得到待造粒浆液;S3、通过风机抽取外界空气,以使空气依次经过滤器、加热器和集气管后通过造粒用的罐体内的布气管排入罐体,直至罐体内布满温度为130‑240℃的热气;将待造粒浆液通过进料管输送,以使待造粒浆液通过雾化器雾化后喷入罐体,从而得到所需造粒粉。本发明解决了ITO靶材喷雾干燥过程中,雾状原料干燥速率较慢的问题。

    一种低温制备纳米ITO粉末的方法

    公开(公告)号:CN112851371A

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202110141350.X

    申请日:2021-02-02

    发明人: 唐智勇

    IPC分类号: C04B35/626 C04B35/01

    摘要: 本发明公开了一种低温制备纳米ITO粉末的方法,属于纳米ITO粉末加工技术领域,该方法包括以下步骤:S1、王水溶液的配制:将浓盐酸和浓硝酸按容积比l:3配成王水溶液;S2、溶解、混合:取40ml王水溶液,然后称取10‑20g金属铟和3‑5g四氯化锡使其依次溶于王水溶液中,搅拌均匀后,备用,得到混合物;S3、共沉淀:在搅拌下,将氢氧化钠溶液加入到步骤S2得到的混合物中,两者共沉淀后,得到氢氧化铟和氢氧化锡的胶体前驱物;S4、过滤、洗涤:用蒸馏水洗涤步骤S3得到的胶体前驱物2‑4次,得到铟锡氢氧化物;S5、反应。本发明解决了现有水热法制备工艺对设备耐温能力要求高的问题。

    一种利用ITO废靶回收制备装置及工艺

    公开(公告)号:CN115889410B

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202211431360.8

    申请日:2022-11-14

    发明人: 唐安泰 唐智勇

    摘要: 本发明涉及一种利用ITO废靶回收制备装置,属于ITO废靶处理技术领域。包括输送机,所述输送机的两侧均固定连接有多个第一支撑板,多个所述第一支撑板的相对一侧固定连接有同一个第一连接板,所述第一连接板的顶部固定连接有两个第二支撑板,两个所述第二支撑板的相对一侧转动连接有第一转动环,所述第一转动环的内壁转动连接有料筒,所述料筒的外壁转动套设有第二转动环;本发明通过在料筒的内壁设置刮板可以对粘结在其内壁的材料进行刮除,然后通过凸轮带动滑动柱敲击料筒的外壁使其震动将粘结在料筒内壁的材料在出料时进一步清理,使其内部保持清洁,并且在出完料,自动对模具加料、烘干、压制,节省转运时间,便于使用。