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公开(公告)号：CN114985749B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210631326.9
申请日：2022-06-06
申请人： 核工业西南物理研究院 , 大连理工大学
摘要： 一种可用于ODS‑W合金的氧化物‑非晶复合粉体及其制备方法，属于粉末制备工程领域。该粉体材料的组织特征是非晶合金基体上弥散分布着不同数目密度的纳米尺度球状氧化物粒子，氧化物‑非晶复合粉体的化学组成为G+(3～40wt％)Y2O3，其中G＝YaX100‑a，Y是稀土金属钇，X是Fe、Co或Ni。本发明首先需通过感应熔炼，得到纳米氧化物颗粒均匀分布其中的合金熔体，通过熔体雾化技术获取不同粒径的氧化物‑非晶复合粉体材料。本发明成功实施氧化物‑非晶复合粉体的公斤级制造，实现规模化制备；通过调控非晶基体与纳米氧化物的含量配比，可获得不同氧化物含量的粉体材料，成功制备超高氧化物含量的氧化物‑非晶复合粉体；拓宽粉体非晶基体的合金体系与成分范围，制备效率高。
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公开(公告)号：CN114921673B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210631205.4
申请日：2022-06-06
申请人： 核工业西南物理研究院 , 大连理工大学
摘要： 一种纳米氧化物颗粒弥散强化铜及其制备方法，属于金属基复合材料制备领域。首先，采用感应熔炼与熔体雾化技术制备与基体合金熔体润湿性好、比重接近的Zr4Cu2O氧化物粉体，氧化物粉体大小可控制在5～100μm。然后，根据目标ODS‑Cu的性能与组织设计需要，选择特定颗粒尺寸和重量分数的Zr4Cu2O氧化物粉体，将其与基体铜组元金属一起作为原料，配置目标合金。最后，采用感应熔炼技术熔铸制备公斤级ODS‑Cu材料。本发明制备过程中能够避免熔炼时氧化物粉末的漂浮与偏聚，基于此能够成功实现组织均匀性良好的公斤级ODS‑Cu的熔铸法制备。制备条件不苛刻、原料与制备成本低、重复性好，且氧化物颗粒增强体的大小与含量可有效调控；全部工艺流程简单、高效、可控，易实现规模化生产。
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公开(公告)号：CN114921673A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210631205.4
申请日：2022-06-06
申请人： 核工业西南物理研究院 , 大连理工大学
摘要： 一种纳米氧化物颗粒弥散强化铜及其制备方法，属于金属基复合材料制备领域。首先，采用感应熔炼与熔体雾化技术制备与基体合金熔体润湿性好、比重接近的Zr4Cu2O氧化物粉体，氧化物粉体大小可控制在5～100μm。然后，根据目标ODS‑Cu的性能与组织设计需要，选择特定颗粒尺寸和重量分数的Zr4Cu2O氧化物粉体，将其与基体铜组元金属一起作为原料，配置目标合金。最后，采用感应熔炼技术熔铸制备公斤级ODS‑Cu材料。本发明制备过程中能够避免熔炼时氧化物粉末的漂浮与偏聚，基于此能够成功实现组织均匀性良好的公斤级ODS‑Cu的熔铸法制备。制备条件不苛刻、原料与制备成本低、重复性好，且氧化物颗粒增强体的大小与含量可有效调控；全部工艺流程简单、高效、可控，易实现规模化生产。
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公开(公告)号：CN114985749A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210631326.9
申请日：2022-06-06
申请人： 核工业西南物理研究院 , 大连理工大学
摘要： 一种可用于ODS‑W合金的氧化物‑非晶复合粉体及其制备方法，属于粉末制备工程领域。该粉体材料的组织特征是非晶合金基体上弥散分布着不同数目密度的纳米尺度球状氧化物粒子，氧化物‑非晶复合粉体的化学组成为G+(3～40wt％)Y2O3，其中G＝YaX100‑a，Y是稀土金属钇，X是Fe、Co或Ni。本发明首先需通过感应熔炼，得到纳米氧化物颗粒均匀分布其中的合金熔体，通过熔体雾化技术获取不同粒径的氧化物‑非晶复合粉体材料。本发明成功实施氧化物‑非晶复合粉体的公斤级制造，实现规模化制备；通过调控非晶基体与纳米氧化物的含量配比，可获得不同氧化物含量的粉体材料，成功制备超高氧化物含量的氧化物‑非晶复合粉体；拓宽粉体非晶基体的合金体系与成分范围，制备效率高。
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公开(公告)号：CN115305374B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202210788527.X
申请日：2022-07-06
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明属于金属材料制备及加工领域，涉及一种具有优良高温强度的低钽含量钨合金制备方法。本方法通过热压烧结制备出钨钽合金圆柱；将烧结坯在氢气气氛下整体加热至1500～1600℃，并通过高能率锻造方法进行热塑性加工，经一道次或二道次锻造加工后使钨材料的变形量超过70％；锻造完成后，将钨坯进行退火处理以消除残余应力，退火温度为1100℃。本发明通过烧结方法及热塑性加工工艺的控制，使得制备好的钨钽合金的高温力学强度得到明显提高(相对纯钨)，且制备工艺相对简单。通过本发明所述工艺能得到近全致密的钨钽合金，并且材料具有优良的热导率和高温力学性能，室温热导率大于150W/mK，在500℃温度下拉伸强度仍高于1GPa。
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公开(公告)号：CN108269620B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201611254936.2
申请日：2016-12-30
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明属于磁约束聚变技术领域，具体涉及一种托卡马克鼎偏滤器磁场位形构建方法。本发明的方法，设置的第一极向场线圈、第二极向场线圈、第三极向场线圈和第四极向场线圈的几何中心位置与第一X点的距离分别为1～1.5a、1.5～3a、1.5～3a和1.5～2.0a，其中a为等离子体小半径。本发明解决了现有的托卡马克磁约束等离子体实验装置的常规偏滤器靶板受热面积较小，在高加热运行条件下，偏滤器靶板冷却面临重大技术挑战的技术问题。构建的鼎偏滤器磁场位形结构，不仅能缓解靶板热负载，改善偏滤器运行与芯部高加热等离子体运行的兼容性，更好发挥其排灰和屏蔽杂质的特性，也降低实现先进偏滤器位形对线圈电流强度和线圈布置复杂程度的要求。
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公开(公告)号：CN103352222B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310252774.9
申请日：2013-06-24
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明提供一种用于托卡马克装置的碳基钨涂层的制备方法，其包括如下步骤：（a）对碳材料工件表面预处理；（b）将表面预处理后的碳材料工件放入镀膜设备中，加热后进行等离子体清洗，再利用磁控溅射制备过渡层；（c）将沉积了过渡层的碳材料工件置入化学气相沉积设备中沉积钨涂层。本发明采用碳材料-过渡层-钨涂层结构，过渡层可以解决钨和碳之间在高温下由于扩散而生成脆性碳化钨的缺点；并且快速沉积的厚钨涂层与基体结合良好，可以承受5s脉冲、1-5MW/m2的热负荷。用本发明的碳基钨涂层具有非常优良的抗热冲击性能以及耐热疲劳性能。本发明提出的碳基钨涂层适用于托卡马克装置第一壁和偏滤器位置。
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公开(公告)号：CN104416973A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310403372.4
申请日：2013-09-06
申请人： 核工业西南物理研究院
CPC分类号： B32B15/01 , B22D19/16 , B32B15/20 , B32B38/162 , B32B38/18 , B32B2250/03 , B32B2307/306 , C22C9/00
摘要： 本发明涉及异质材料连接技术领域，具体公开了一种用于聚变装置高热负荷部件的钨铜模块及其制备方法。该方法包括：1）选择合适尺寸的钨、无氧纯铜以及铬锆铜合金热沉材料；2.1）对钨和无氧纯铜表面进行预处理；2.2）钨表面真空浇铸无氧纯铜；3.1）将钨/无氧纯铜块中的无氧纯铜表面和铬锆铜合金的待焊接面进行预处理；3.2）将钨/无氧纯铜块与铬锆铜合金在真空热压炉中进行焊接；3.3）将焊接后的钨/无氧纯铜/铬锆铜合金复合快进行机械加工，形成所需的钨铜模块。该钨铜模块制备方法成本低、效率高和可靠性强，能够承受大于5MW/m2的稳态热负荷。
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公开(公告)号：CN117467880A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311834564.0
申请日：2023-12-28
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明涉及粉末冶金制备技术领域，具体公开了兼具高强高导热性能的烧结钨基材料及其制备方法、应用，以AKS‑W粉和纯W粉为原料配制目标合金，将合金依次进行球磨、粉体筛分和真空热压烧结制备，所述烧结钨基材料中含有Al、Si、O与K元素，粒大小为2~5mm，其中有大小为亚微米尺寸的K泡弥散分布；烧结体维氏硬度为450~500，其热导率为(160‑168)W/m·K，室温的抗弯强度超过了1.7GPa。本发明所述烧结钨基材料中掺杂有微/痕量的Al、Si、O与K元素，通过Al、Si、O与K元素与W协同、耦合作用形成的高强、高热导W材料。
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公开(公告)号：CN113969363A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010719116.6
申请日：2020-07-23
申请人： 核工业西南物理研究院 , 厦门钨业股份有限公司
摘要： 本发明属于钨合金的制备方法，具体涉及一种具有低温韧性和高再结晶温度的钨合金的制备方法。一种具有低温韧性和高再结晶温度的钨合金的制备方法，包括下述步骤：步骤一：混合烧结；将金属钨与弥散颗粒混合，并烧结为柱状烧结生坯；步骤二：锻造加工；对烧结生坯锻造加工，直到尺寸满足要求；步骤三：退火；对锻造加工完成的产品进行退火。本发明的显著效果是：本发明能制备得到完全致密的钨块体材料，在制备过程中可以有效地控制钨基材料的微观组织，使得钨棒材的低温韧性和再结晶温度大幅度提高。并且该方法制备的材料成本低，适宜制造大尺寸和工程化的钨块体材料。
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