公开(公告)号：CN108352374B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201680064526.3

申请日：2016-10-28

Applicant: 格马尔托股份有限公司

Inventor： L.德盖尔 ,  R.彦夫兰 ,  L.多塞托 ,  A.莱洛克 ,  J-C.菲达尔格

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  C23C4/134

Abstract: 本发明涉及一种制造具有安全集成电路芯片的装置（1）的方法，所述装置具有绝缘衬底（14、24、24R）、衬底上的连接到或耦合到所述电子芯片（30）的导电表面（23、33、43、53、63），所述导电表面是通过传导材料的沉积或转移步骤实现的；该方法的特征在于，所述传导材料的沉积或转移步骤是通过将不含聚合物或溶剂的金属微粒直接沉积在衬底上的技术实现的，所述沉积是通过微粒聚结形成直接置于与衬底接触的至少一个或多个均质粘结层而获得的。本发明还涉及所获得的装置。

公开(公告)号：CN108352374A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680064526.3

申请日：2016-10-28

Applicant: 格马尔托股份有限公司

Inventor： L.德盖尔 ,  R.彦夫兰 ,  L.多塞托 ,  A.莱洛克 ,  J-C.菲达尔格

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  C23C4/134

CPC classification number: H01L23/49855 ,  G06K19/00 ,  H01L21/4867 ,  H01L2224/49171

Abstract: 本发明涉及一种制造具有安全集成电路芯片的装置（1）的方法，所述装置具有绝缘衬底（14、24、24R）、衬底上的连接到或耦合到所述电子芯片（30）的导电表面（23、33、43、53、63），所述导电表面是通过传导材料的沉积或转移步骤实现的；该方法的特征在于，所述传导材料的沉积或转移步骤是通过将不含聚合物或溶剂的金属微粒直接沉积在衬底上的技术实现的，所述沉积是通过微粒聚结形成直接置于与衬底接触的至少一个或多个均质粘结层而获得的。本发明还涉及所获得的装置。