公开(公告)号：CN108370087B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201680073410.6

申请日：2016-12-13

Applicant: 格马尔托股份有限公司

Inventor： R.让弗冉 ,  L.德盖尔 ,  L.多塞托 ,  S.奥托邦

IPC: H01Q1/22

Abstract: 具有CMS器件的单面天线模块。本发明涉及一种具有集成电路（IC）芯片的模块，包括：‑绝缘衬底（3），‑包括传导迹线（25）的金属化物，其被实现在衬底的同一侧（12）上，形成天线（2）并包括两个连接末端（8、9），‑用于涂覆或放置射频集成电路芯片（4）和以表面安装器件（SMD）形式的器件（14）的区域（16），射频集成电路芯片和器件被布置在衬底的同一面上并连接到天线（2）；所述模块的特征在于，金属化物（2）在绝缘衬底的同一单侧上，电连接是间接地通过穿过绝缘膜（3）的穿孔（17）实现的或直接地在表面上的金属化物上实现的。

公开(公告)号：CN108370087A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680073410.6

申请日：2016-12-13

Applicant: 格马尔托股份有限公司

Inventor： R.让弗冉 ,  L.德盖尔 ,  L.多塞托 ,  S.奥托邦

IPC: H01Q1/22

Abstract: 具有CMS器件的单面天线模块。本发明涉及一种具有集成电路（IC）芯片的模块，包括：-绝缘衬底（3），-包括传导迹线（25）的金属化物，其被实现在衬底的同一侧（12）上，形成天线（2）并包括两个连接末端（8、9），-用于涂覆或放置射频集成电路芯片（4）和以表面安装器件（SMD）形式的器件（14）的区域（16），射频集成电路芯片和器件被布置在衬底的同一面上并连接到天线（2）；所述模块的特征在于，金属化物（2）在绝缘衬底的同一单侧上，电连接是间接地通过穿过绝缘膜（3）的穿孔（17）实现的或直接地在表面上的金属化物上实现的。

公开(公告)号：CN108352374B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201680064526.3

申请日：2016-10-28

Applicant: 格马尔托股份有限公司

Inventor： L.德盖尔 ,  R.彦夫兰 ,  L.多塞托 ,  A.莱洛克 ,  J-C.菲达尔格

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  C23C4/134

Abstract: 本发明涉及一种制造具有安全集成电路芯片的装置（1）的方法，所述装置具有绝缘衬底（14、24、24R）、衬底上的连接到或耦合到所述电子芯片（30）的导电表面（23、33、43、53、63），所述导电表面是通过传导材料的沉积或转移步骤实现的；该方法的特征在于，所述传导材料的沉积或转移步骤是通过将不含聚合物或溶剂的金属微粒直接沉积在衬底上的技术实现的，所述沉积是通过微粒聚结形成直接置于与衬底接触的至少一个或多个均质粘结层而获得的。本发明还涉及所获得的装置。

公开(公告)号：CN107111779A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680004744.8

申请日：2016-02-09

Applicant: 格马尔托股份有限公司

Inventor： S.奥托邦 ,  L.多塞托 ,  L.查理斯 ,  T.拉维龙

IPC: G06K19/077

Abstract: 本发明涉及一种电子芯片模块（17）的制造方法，所述电子芯片模块（17）包括金属化以及集成电路芯片，可从金属化的第一侧接入该金属化，集成电路芯片被从所述金属化的与所述第一侧相对的第二侧部署。所述方法的特征在于，其包括形成电互连元件（9C、19C、30）的步骤，所述电互连元件（9C、19C、30）不同于所述金属化，直接与所述芯片相连并且被从所述金属化的第二侧部署。本发明还涉及对应于所述方法的模块和包括所述模块的设备。

公开(公告)号：CN107111779B

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN201680004744.8

申请日：2016-02-09

Applicant: 格马尔托股份有限公司

Inventor： S.奥托邦 ,  L.多塞托 ,  L.查理斯 ,  T.拉维龙

IPC: G06K19/077

Abstract: 本发明涉及一种电子芯片模块（17）的制造方法，所述电子芯片模块（17）包括金属化以及集成电路芯片，可从金属化的第一侧接入该金属化，集成电路芯片被从所述金属化的与所述第一侧相对的第二侧部署。所述方法的特征在于，其包括形成电互连元件（9C、19C、30）的步骤，所述电互连元件（9C、19C、30）不同于所述金属化，直接与所述芯片相连并且被从所述金属化的第二侧部署。本发明还涉及对应于所述方法的模块和包括所述模块的设备。

公开(公告)号：CN108352374A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680064526.3

申请日：2016-10-28

Applicant: 格马尔托股份有限公司

Inventor： L.德盖尔 ,  R.彦夫兰 ,  L.多塞托 ,  A.莱洛克 ,  J-C.菲达尔格

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  C23C4/134

CPC classification number: H01L23/49855 ,  G06K19/00 ,  H01L21/4867 ,  H01L2224/49171

Abstract: 本发明涉及一种制造具有安全集成电路芯片的装置（1）的方法，所述装置具有绝缘衬底（14、24、24R）、衬底上的连接到或耦合到所述电子芯片（30）的导电表面（23、33、43、53、63），所述导电表面是通过传导材料的沉积或转移步骤实现的；该方法的特征在于，所述传导材料的沉积或转移步骤是通过将不含聚合物或溶剂的金属微粒直接沉积在衬底上的技术实现的，所述沉积是通过微粒聚结形成直接置于与衬底接触的至少一个或多个均质粘结层而获得的。本发明还涉及所获得的装置。

公开(公告)号：CN102754535B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180009603.2

申请日：2011-02-15

Applicant: 格马尔托股份有限公司

Inventor： L.多塞托 ,  J-C.菲达尔戈 ,  B.迪布瓦

IPC: H05K1/18 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00 ,  G06K19/077

CPC classification number: H05K1/185 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/1316 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及用于制造包括一个或多个电子元件的封装或模块的方法和系统。由于所述方法和系统主要采用涉及绝缘材料或导电材料的喷涂的技术，所以这样的方法和系统是尤其有效且可适应的。

公开(公告)号：CN102754535A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180009603.2

申请日：2011-02-15

Applicant: 格马尔托股份有限公司

Inventor： L.多塞托 ,  J-C.菲达尔戈 ,  B.迪布瓦

IPC: H05K1/18 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00 ,  G06K19/077

CPC classification number: H05K1/185 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/1316 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及用于制造包括一个或多个电子元件的封装或模块的方法和系统。由于所述方法和系统主要采用涉及绝缘材料或导电材料的喷涂的技术，所以这样的方法和系统是尤其有效且可适应的。