公开(公告)号：CN116199255A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310002133.1

申请日：2023-01-03

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 崔璠 ,  田楠 ,  何庆贺 ,  段诗宇 ,  龙飞

IPC: C01G21/00

Abstract: 纯α‑CsPbI2Br薄膜光热稳定性极佳，但湿度稳定性极差，在低湿度环境中就会从α相转变为δ相而失去光学活性。针对该问题，本发明设计了一种以PbI2·DMSO、PbBr2·DMSO加合物为原料，制备α‑Cs1‑xFAxPbI2Br(0

公开(公告)号：CN113929131A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111143378.3

申请日：2021-09-28

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 龙飞 ,  江志康 ,  田楠 ,  何庆贺

IPC: C01G21/00 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明设计了一种低浓度FA掺杂的CsPbI2Br基钙钛矿薄膜材料的制备方法。由于在遇水汽的情况下CsPbI2Br钙钛矿极易发生相变导致其太阳电池失效，本发明提出了结合基底预热法并采用少量FA替代部分CsPbI2Br中的Cs以合成单一物相的高Cs含量的Cs1‑xFAxPbI2Br(0