公开(公告)号：CN117412612A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311301156.9

申请日：2023-10-10

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 李莹 ,  姚迪圣 ,  龙飞 ,  唐子淇 ,  王吉林 ,  郑国源 ,  田楠

IPC: H10K30/88 ,  H10K30/85 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公开了一种N‑氨基甲酰甲基乙磺酸界面修饰SnO2的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该钙钛矿太阳能电池从下到上依次为ITO透明导电玻璃基底、SnO2电子传输层、N‑氨基甲酰甲基乙磺酸界面修饰层、钙钛矿吸收层、Spiro‑OMeTAD空穴传输层和Au电极。在本发明中，通过N‑氨基甲酰甲基乙磺酸界面修饰SnO2，可以协同钝化SnO2薄膜表面和钙钛矿薄膜界面处的缺陷，这些缺陷的钝化增强了电荷的提取和运输，抑制了界面非辐射复合，并促进了钙钛矿的结晶。本发明的界面修饰工艺显著提高了钙钛矿太阳能电池的开路电压、短路电流和填充因子。

公开(公告)号：CN116322087A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310165731.0

申请日：2023-02-27

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 王吉林 ,  朱荫 ,  胡莘如 ,  姚迪圣 ,  郑国源 ,  田楠 ,  莫淑一 ,  龙飞

IPC: H10K30/85 ,  H10K30/50 ,  H10K85/50 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K99/00

Abstract: 本发明设计了一种有机‑无机杂化Bi基钙钛矿太阳能电池器件，结构依次包括导电基板、电子传输层、吸光层、空穴传输层和背电极，其特征在于所述吸光层为(C6H9N2)BiI4钙钛矿膜层，所述电子传输层包括TiO2致密层和TiO2介孔层。由于铅基钙钛矿材料的毒性及不稳定性的问题，本发明以有机‑无机杂化材料(C6H9N2)BiI4通过一步旋涂法制备成钙钛矿膜，并配合TiO2致密层和TiO2介孔层组成的电子传输层，首次获得了以(C6H9N2)BiI4为钙钛矿太阳能电池吸收层的有机‑无机杂化Bi基钙钛矿太阳能电池器件。本发明有效解决了铅基钙钛矿的毒性及不稳定性问题，为Bi钙钛矿太阳能电池提供了新的思路，对其实际应用具有重大意义。

公开(公告)号：CN117835715A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311794330.8

申请日：2023-12-25

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 李莹莹 ,  姚迪圣 ,  龙飞 ,  郑雯文 ,  夏天 ,  郑国源 ,  田楠 ,  王博涵 ,  杨雨萌

IPC: H10K30/88 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K71/00 ,  H10K85/60

Abstract: 本发明公开了一种采用苯乙基碘化胺‑苯甲醚液浸法的高效稳定钙钛矿太阳能电池，自下而上包括ITO导电玻璃层、二氧化锡电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属电极；其中，制备钙钛矿吸光层时，采用苯乙基碘化胺‑苯甲醚液浸法进行钝化处理，即将苯乙基碘化胺(PEAI)溶解于异丙醇(IPA)中，再加入到反溶剂苯甲醚的匀流场中，利用PEAI的溶剂异丙醇与苯甲醚间良好的互溶性，使PEAI良好地分散在苯甲醚中，得到钝化液；然后再将钙钛矿薄膜浸入该钝化液中，通过液压促进PEAI与钙钛矿薄膜间的相互作用，钝化钙钛矿薄膜表面VI、VMA等空位缺陷，减少晶界与界面缺陷导致的载流子非辐射复合，并提高薄膜疏水性，从而同时提高光电转换效率和器件的使役稳定性。

公开(公告)号：CN116199255A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310002133.1

申请日：2023-01-03

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 崔璠 ,  田楠 ,  何庆贺 ,  段诗宇 ,  龙飞

IPC: C01G21/00

Abstract: 纯α‑CsPbI2Br薄膜光热稳定性极佳，但湿度稳定性极差，在低湿度环境中就会从α相转变为δ相而失去光学活性。针对该问题，本发明设计了一种以PbI2·DMSO、PbBr2·DMSO加合物为原料，制备α‑Cs1‑xFAxPbI2Br(0

公开(公告)号：CN113929131A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111143378.3

申请日：2021-09-28

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 龙飞 ,  江志康 ,  田楠 ,  何庆贺

IPC: C01G21/00 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明设计了一种低浓度FA掺杂的CsPbI2Br基钙钛矿薄膜材料的制备方法。由于在遇水汽的情况下CsPbI2Br钙钛矿极易发生相变导致其太阳电池失效，本发明提出了结合基底预热法并采用少量FA替代部分CsPbI2Br中的Cs以合成单一物相的高Cs含量的Cs1‑xFAxPbI2Br(0

公开(公告)号：CN116963567A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310758546.2

申请日：2023-06-26

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 郑国源 ,  陈壁滔 ,  苏家乐 ,  莫淑一 ,  王吉林 ,  姚迪圣 ,  田楠 ,  龙飞

IPC: H10K71/20 ,  H10K71/60 ,  H10K71/40 ,  H10K30/15 ,  H10K30/82 ,  H10K30/85 ,  H10K30/86

Abstract: 本发明公开了一种在微纳尺度上使用光刻构建图案制备新型结构钙钛矿太阳电池的方法，在基底表面制备电子传输层，然后进行抛光处理后匀光刻胶，经过烤胶处理后配合光刻用掩膜板对光刻胶曝光显影，显影后的光刻胶在电子传输层表面形成周期性的图案；然后依次沉积绝缘层、金属电极层，然后剥离镀有绝缘层及金属电极层的光刻胶；再进行热氧化处理，使金属电极层的表面氧化成空穴传输层；最后制备钙钛矿吸收层，形成具有结构电极图案的钙钛矿太阳电池。本发明该背接触微米尺度叉指电极图案化的工艺避免了自组装光刻工艺或干法刻蚀工艺，有效的拓宽了光刻胶的选择和工艺窗口，工艺的实现对设备的需求简化。