公开(公告)号：CN117412612A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311301156.9

申请日：2023-10-10

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 李莹 ,  姚迪圣 ,  龙飞 ,  唐子淇 ,  王吉林 ,  郑国源 ,  田楠

IPC: H10K30/88 ,  H10K30/85 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公开了一种N‑氨基甲酰甲基乙磺酸界面修饰SnO2的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该钙钛矿太阳能电池从下到上依次为ITO透明导电玻璃基底、SnO2电子传输层、N‑氨基甲酰甲基乙磺酸界面修饰层、钙钛矿吸收层、Spiro‑OMeTAD空穴传输层和Au电极。在本发明中，通过N‑氨基甲酰甲基乙磺酸界面修饰SnO2，可以协同钝化SnO2薄膜表面和钙钛矿薄膜界面处的缺陷，这些缺陷的钝化增强了电荷的提取和运输，抑制了界面非辐射复合，并促进了钙钛矿的结晶。本发明的界面修饰工艺显著提高了钙钛矿太阳能电池的开路电压、短路电流和填充因子。