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公开(公告)号：CN116496060B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202310452046.6
申请日：2023-04-25
IPC: C04B28/14
Abstract: 本发明提供了一种α半水石膏低碳制品低成本制备方法，包含如下步骤：S1.将原料粉磨至表面积为220～㎡/kg～600㎡/kg，得到粉磨好的微粉，其中，所述原料为硅砂或冶炼渣；S2.把骨料、粉磨好的微粉和α半水石膏按照配比称重；S3.将步骤S2称好的物料倒入搅拌设备中，低速搅拌1‑2分钟；S4.根据骨料含水率计算好水料比，加水一起搅拌2‑3分钟得均匀混合料；S5:将步骤S4所得到的混合料转入模具进行干压成型或者挤出成型；S6:20～30分钟内将步骤S5得到的制品拆模，即可得到α半水石膏低碳制品。本发明的α半水石膏低碳制品低成本制备方法，解决了目前水泥生产排放过多二氧化碳且各种工业固废急需处理的现状，特点是制备简单、免烧、免蒸养、快速(2天内)达到最高强度。
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公开(公告)号：CN116514511B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202310498993.9
申请日：2023-05-05
IPC: C04B28/14 , C04B38/10 , C04B103/42
Abstract: 一种高强轻质石膏预制板及其制备方法，方法包括：S1.按如下重量份制备原料：α‑半水磷石膏20～60份，骨料10～55份，超细复合粉5～15份，石灰2～8份，发泡剂0.2～1.5份，聚羧酸系减水剂为0.3～2.0份，羟乙基改性淀粉醚0.1～1.5份，缓凝剂0.02～0.3份和水20～33份；S2.将发泡剂、聚羧酸系减水剂、羟乙基改性淀粉醚和缓凝剂依次加入水中搅拌均匀，制得混合液；S3.将α‑半水磷石膏、超细复合粉、骨料、石灰进行干混；S4.将在步骤S3制得的物料加入混合液中并湿混；S5.半干压成型，制得高强轻质石膏预制板。本方法具有固废利用率高、制备工艺简单和成本低廉的特点，且制备的石膏板具有低密度、低收缩、高强度和高耐水等优点，适合作为预制墙板进行推广应用。
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公开(公告)号：CN117658193A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202310538652.X
申请日：2023-05-12
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01F11/46
Abstract: 本发明提供了一种蒸压盐溶液法α半水石膏生产工艺，包括S1.将工业副产石膏送入搅拌罐，将工业副产石膏的有机质与石膏分离，并将上层污水抽离；S2.将搅拌罐中的石膏浆料抽送至陈化罐，并在陈化罐中加入中和剂、无机盐和转晶剂；S3.将陈化后的石膏浆料抽入具有自搅拌功能的蒸养小车中；S4.将蒸养小车送入蒸压釜内，进行蒸压反应；S5.蒸压反应结束后蒸养小车出釜，并将蒸养小车内的α半水石膏倒出进行闪烘；以及S6.将烘干后的α半水石膏送入球磨机进行粉磨，制得α半水石膏产品。本发明工艺是一种连续式生产工艺，减少了水泥基材料的生产和使用，解决了蒸压法无法实现产业化生产和动态微晶法未能实现连续式生产的问题。
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公开(公告)号：CN116655347A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310537951.1
申请日：2023-05-12
Abstract: 一种赤泥基低碳环保制品及其制备方法，包括：S1.将赤泥、磷石膏、冶炼渣原料烘干后进行粉磨；S2.按重量份称取各原料备用；S3.外加剂制备：将外加剂按比例加入水中，并在温度25～45℃条件下搅拌5～15分钟制备外加剂混合溶液；S4.将赤泥、磷石膏、冶炼渣微粉、骨料按比例搅拌混合，然后加入外加剂混合溶液搅拌，得到混合料；S5.将步骤S4所得到的混合料压力成型，压制成型后拆模，得到试块；S6.将得到的试块静置4小时后放入快速养护箱中进行蒸汽养护，匀速将水升温至90℃，保持试块在蒸汽中养护6小时；S7.将蒸汽养护过的制品取出，即得到赤泥基低碳环保制品。本发明解决了目前赤泥、磷(钛)石膏和冶炼渣资源化利用率不高、污染环境问题严重的问题。
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公开(公告)号：CN116514511A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310498993.9
申请日：2023-05-05
IPC: C04B28/14 , C04B38/10 , C04B103/42
Abstract: 一种高强轻质石膏预制板及其制备方法，方法包括：S1.按如下重量份制备原料：α‑半水磷石膏20～60份，骨料10～55份，超细复合粉5～15份，石灰2～8份，发泡剂0.2～1.5份，聚羧酸系减水剂为0.3～2.0份，羟乙基改性淀粉醚0.1～1.5份，缓凝剂0.02～0.3份和水20～33份；S2.将发泡剂、聚羧酸系减水剂、羟乙基改性淀粉醚和缓凝剂依次加入水中搅拌均匀，制得混合液；S3.将α‑半水磷石膏、超细复合粉、骨料、石灰进行干混；S4.将在步骤S3制得的物料加入混合液中并湿混；S5.半干压成型，制得高强轻质石膏预制板。本方法具有固废利用率高、制备工艺简单和成本低廉的特点，且制备的石膏板具有低密度、低收缩、高强度和高耐水等优点，适合作为预制墙板进行推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117870891A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311757838.0
申请日：2023-12-20
Applicant: 广西产研院先进技术融合创新促进中心有限公司 , 桂林星云电子科技有限公司 , 桂林理工大学
Abstract: 本发明旨在提供一种非线性校正高精度铂电阻测温方法，包括以下步骤：A、构建电桥电路模块的输出电压公式，设定一组依次递增的温度值TC，从铂电阻对应的国家标准分度表中查获得对应该组温度值TC的一组Rt电阻值，基于公式1计算出各个Rt电阻值对应的电桥电路模块的输出电压VG；B、构建多项式曲线公式，以各个对应的VG、TC组成多个离散点离散数据点（x,y），进行多项式曲线拟合，构建出电压‑温度曲线；C、将输出电压VG输进行数模转换，转换后的电压VAD值数据在电压‑温度曲线获取对应的温度值，从而得到高精度温度值。本发明具有高可靠性、高精度、低成本优势。
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公开(公告)号：CN117412612A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311301156.9
申请日：2023-10-10
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种N‑氨基甲酰甲基乙磺酸界面修饰SnO2的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该钙钛矿太阳能电池从下到上依次为ITO透明导电玻璃基底、SnO2电子传输层、N‑氨基甲酰甲基乙磺酸界面修饰层、钙钛矿吸收层、Spiro‑OMeTAD空穴传输层和Au电极。在本发明中，通过N‑氨基甲酰甲基乙磺酸界面修饰SnO2，可以协同钝化SnO2薄膜表面和钙钛矿薄膜界面处的缺陷，这些缺陷的钝化增强了电荷的提取和运输，抑制了界面非辐射复合，并促进了钙钛矿的结晶。本发明的界面修饰工艺显著提高了钙钛矿太阳能电池的开路电压、短路电流和填充因子。
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公开(公告)号：CN116655342A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310493555.3
申请日：2023-05-05
IPC: C04B28/14
Abstract: 本发明的钛石膏基胶凝材料、制品及其制备方法，包括S1：按如下重量份制备原料：细磨钛石膏40～70份，细磨钢渣15～40份，骨料15～40份，水玻璃0.5～3.0份，聚羧酸系减水剂为0.1～2.0份，水10～20份；S2.将外加剂水玻璃、聚羧酸减水剂依次加入水中搅拌制得混合液；S3.将细磨钛石膏、细磨钢渣、骨料依次加入搅拌设备，搅拌得到混合料，然后将步骤S2的混合液加入搅拌设备，使混合料和混合液混合搅拌均匀，制得混合物料；S4.将步骤S3的混合物料浇筑成型或挤压成型，制得试块；S5.将步骤S4得到的试块常压养护或蒸压养护，制得钛石膏基胶凝材料。本发明解决了目前钛石膏资源化利用率不高、污染环境严重、物理力学性能差的问题，为建筑行业提供一种低碳环保的建筑材料。
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公开(公告)号：CN116496060A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310452046.6
申请日：2023-04-25
IPC: C04B28/14
Abstract: 本发明提供了一种α半水石膏低碳制品低成本制备方法，包含如下步骤：S1.将原料粉磨至表面积为220～㎡/kg～600㎡/kg，得到粉磨好的微粉，其中，所述原料为硅砂或冶炼渣；S2.把骨料、粉磨好的微粉和α半水石膏按照配比称重；S3.将步骤S2称好的物料倒入搅拌设备中，低速搅拌1‑2分钟；S4.根据骨料含水率计算好水料比，加水一起搅拌2‑3分钟得均匀混合料；S5:将步骤S4所得到的混合料转入模具进行干压成型或者挤出成型；S6:20～30分钟内将步骤S5得到的制品拆模，即可得到α半水石膏低碳制品。本发明的α半水石膏低碳制品低成本制备方法，解决了目前水泥生产排放过多二氧化碳且各种工业固废急需处理的现状，特点是制备简单、免烧、免蒸养、快速(2天内)达到最高强度。
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公开(公告)号：CN221826328U
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202323477794.4
申请日：2023-12-20
Applicant: 广西产研院先进技术融合创新促进中心有限公司 , 桂林星云电子科技有限公司 , 桂林理工大学
IPC: G01K7/21
Abstract: 本实用新型旨在提供一种非线性校正高精度铂电阻测温装置，包括电桥电路模块、电压放大调理模块、MCU模块；电桥电路模块包括铂电阻Rt及其引线a、引线b、引线c，电阻R3、电阻R4，电阻R7；电阻R3的一端与Vcc电源正极连接，电阻R3的另一端与电压放大调理模块连接，引线a的另一端与铂电阻Rt一端连接，铂电阻Rt的另一端与引线b、引线c的一端连接，引线c的另一端与Vcc电源负极连接；电阻R4的一端与Vcc电源正极连接，电阻R4的另一端与电阻R7一端和电压放大调理模块连接，电阻R7的另一端与引线b的另一端连接；电压放大调理模块与MCU模块连接。本实用新型具有高可靠性、高精度、低成本优势。
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