公开(公告)号：CN104363460A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410734545.5

申请日：2014-12-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 徐晓宁 ,  覃远年 ,  朱辉

IPC: H04N19/597 ,  H04N19/154

Abstract: 本发明公开了一种基于三维自组织映射的立体图像编码方法,用3DSOM算法对左右图像，获得最优的量化码书；将左图作为输入矢量，进行量化编码，由左图和量化码矢获得量化误差，并对其进行DCT变换、量化和霍夫曼编码；解码端用重建左图、视差估计误差和视差矢量重建右图，实现对立体图像的有效编码。还引用了一个距离不等式作判据,同时引入了一个频率敏感因子,对三维自组织映射算法进行了改进，降低了失真测度计算复杂度，提高了码书性能，接着本发明将改进的三维自组织映射算法应用到了立体图像编码中，有效的提高了左图像的编码效率，降低了重建右图的方块效应。

公开(公告)号：CN104505403A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201410833251.8

申请日：2015-01-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱辉 ,  李琦 ,  徐晓宁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明公开了一种具有介质层固定电荷的SOI功率器件，包括衬底层、有源层以及处于衬底层和有源层之间的绝缘介质埋层，在绝缘介质埋层与有源层接触的表面的靠边区域设置了一个高浓度固定电荷区，高浓度固定电荷区面积占绝缘介质埋层与有源层接触的表面面积的50％-75％,高浓度固定电荷区电荷的浓度为1×1017～1×1018/cm2。本发明生产工艺简单，固定电荷掺杂浓度工艺容差比较大，受高温工艺影响小，与常规CMOS/SOI工艺完全兼容。应用本发明的功率器件，其耐压由于介质埋层电场的增强而大幅提高。