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公开(公告)号：CN119193141A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411352593.8
申请日：2024-09-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及光致发光技术及LED器件领域，具体提供了一种荧光薄膜、发光器件，及薄膜的制备方法。荧光薄膜中包含碳点和聚乙烯吡咯烷酮，碳点和聚乙烯吡咯烷酮均匀分布，荧光薄膜在激发光照射下产生光致发光现象。方法包括如下步骤：步骤一，制备碳点溶液；步骤二，制备聚乙烯吡咯烷酮溶液；步骤三，将碳点溶液和聚乙烯吡咯烷酮溶液混合，得到混合液；步骤四，将混合液滴涂于载体表面，在室温下自然凝固，即在载体表面形成荧光薄膜。器件包括LED芯片，以及设置于LED芯片发光面上的荧光薄膜；荧光薄膜为碳点和聚乙烯吡咯烷酮的混合物。本发明方案中，PVP中的羰基和氮原子与碳点表面相互作用，避免了碳点的团聚，从而提高发光效率。
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公开(公告)号：CN107612502B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201710952644.4
申请日：2017-10-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池寿命测试装置，包括：用于放置太阳能电池组件的密封腔体、密封压盖，所述密封腔体与密封压盖通过铰链连接；在所述密封压盖上设置有阳光透光片，密封腔体上设置有红外透光片，所述阳光透光片、红外透光片上透过的光均能够照射在太阳能电池组件上；在密封腔体上设置有进气口、出气口、传感器安装固定机构、以及密封型电极引线接头；所述密封腔体、密封压盖构成的腔体内壁为黑色。本发明可以明确太阳能电池器件衰减中的主导因素，明确各个因素之间的协同效应，能为提升电池稳定性提供直接的实验支撑，填补了分因数太阳能电池寿命测试的空白。
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公开(公告)号：CN114602450B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210313373.9
申请日：2022-03-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B01J23/06 , B01J23/75 , B01J27/24 , B01J35/39 , C01B3/04 , C02F1/30 , C02F101/38 , C02F101/30
Abstract: 本发明公开了一种Co/Zn‑g‑C3N4光催化材料及其制备和应用，该方法包含：将2‑甲基咪唑于含有机胺的有机溶剂溶液中，并加入至钴盐或锌盐的有机溶剂溶液中，室温搅拌，静置，固液分离，以获得Co‑ZIF或Zn‑ZIF；将Co‑ZIF或Zn‑ZIF于有机溶剂中，在研磨过程中将Co‑ZIF或Zn‑ZIF的有机溶剂溶液滴入尿素，将混合物在室温真空干燥，并在500～600℃加热，反应结束后冷却至室温，得到Co‑g‑C3N4光催化材料或Zn‑g‑C3N4光催化材料。本发明以Co‑ZIF或Zn‑ZIF为掺杂剂，(56)对比文件Dongni Liu et al.，.ZIF-67-Derived 3DHollow Mesoporous Crystalline Co3O4Wrapped by 2D g-C3N4 Nanosheets forPhotocatalytic Removal of Nitric Oxide.《Small》.2019,第15卷全文.
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公开(公告)号：CN109021970B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201810884104.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种AgInS2或CuInS2超小量子点及其制备方法和应用，其制备方法步骤为：1)制备小分子巯基配位的Ag+和In3+或者Cu+和In3+阳离子前驱体溶液，以及硫离子的阴离子前驱体溶液；2)制备巯基小分子包裹的AgInS2或CuInS2量子点溶液。该AgInS2和CuInS2为小分子巯基包裹剂包裹，具有明显激子吸收的激子吸收和超小的尺寸和水溶热分散特征。本发明采用阴离子反相热注入法以较简单的工艺和较低的温度在水溶液中制备出目标产物，所得量子点是立方相的超小的纳米晶由小分子巯基包裹，具有明显的激子吸收，可用于太阳能电池、光催化等领域。
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公开(公告)号：CN119819325A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411578626.0
申请日：2024-11-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种CuInS2/C3N5光催化材料，涉及其水溶液制备方法及应用。其制备方法步骤为：采用水相一锅法制备CuInS2量子点溶液；制备C3N5光催化材料，以较为简单的工艺和较低的温度在水溶液中制备出目标产物。该CuInS2/C3N5光催化材料具有明显的激子吸收和超小尺寸及水溶热分散特征。可应用于光催化、光电催化、电催化、发光二极管、太阳能电池及光电传感等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118109849A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410051864.X
申请日：2024-01-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C25B11/067 , C25B11/091 , C25B1/04 , C25B3/03 , C25B3/26 , C25B9/50 , C25B3/21 , C25B1/55
Abstract: 本发明提供的是压电光电协同TiO2/g‑C3N4/CuInS2异质结促进水分解与CO2还原的方法，采取同轴TiO2/g‑C3N4/CuInS2异质结构予以实现。其特征是：该异质结构中，二氧化钛(Titanium Dioxide，TiO2)纳米棒的垂直生长保证了光诱导电荷的产生和快速迁移。二硫化铜铟(Copper Indium Disulfide,CuInS2)最外层的进一步掺入有利于扩大光收集，特别是三种不同功能元件的级联带排列，极大增强光感应电荷和压电感应电荷的转移。压电壳体在机械驱动力作用下产生的电场会促进光生载流子的分离和转移，从而最大限度地降低电荷复合的概率。本发明可用于提高CO2还原和水分解效率，可广泛用于污染物分解，缓解日益严重的环境问题。
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公开(公告)号：CN109802041B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201910082634.9
申请日：2019-01-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池及制备方法，属于新型薄膜太阳能电池领域。该发明电池采用透明导电材料为阳极，银作为阴极，采用光电性能优异的IT基非富勒烯材料为电子传输层材料，以低温金属乙酰丙酮金属螯合物为阴极界面修饰层，采用的器件结构为典型的钙钛矿太阳能电池倒置结构；本发明中电子传输层相比传统的富勒烯电子传输层具有独到的优势，能显著增加光的吸收率，提升电子的提取效率以及更小的回滞因子；整体器件制备温度可以控制在100度以内，其效率可以媲美传统的富勒烯钙钛矿太阳能电池，并且制作方法简单、成本低廉、效果明显，能广泛适用于很多不同类型的平面异质结钙钛矿太阳能电池之中，可以大规模生产应用。
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公开(公告)号：CN108910939B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201810883716.9
申请日：2018-08-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种超薄CuInS2纳米片，所述纳米片为二维介晶材料，具有单层或多层结构，厚度0.65～3nm，尺寸在100～900nm；所述超薄CuInS2纳米片的制备方法，包括以下步骤：制备巯基乙胺配位的Cu+和In3+前驱体溶液；制备巯基乙胺包裹的超小CuInS2量子点；制备单层或多层超薄CuInS2纳米片，本发明提供的超薄CuInS2纳米片具有二维介晶结构，能够用于太阳能电池和光催化等领域；本发明提供的制备方法采用水相合成工艺，可大批量制备，纳米片的厚度和尺寸易于控制，具有可控性强，工艺参数容易控制，安全绿色无污染、产率高的优点。
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公开(公告)号：CN111092157A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911421452.6
申请日：2019-12-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高效稳定钙钛矿太阳能电池的制备方法，该方法包含：在透明导电衬底上旋涂空穴传输层，在60～100℃退火处理；将钙钛矿层旋涂于空穴传输层上，在80～140℃退火处理；将旋涂钙钛矿层后的材料置于湿度为24～39％的空气环境中静置；将电子传输层旋涂在钙钛矿层上，在80～100℃退火处理；将阴极修饰层旋涂在电子传输层上；将金属电极真空蒸镀在阴极修饰层上。本发明的方法利用空气中无处不在的水分对钙钛矿薄膜进行处理，使得钙钛矿薄膜与空气充分接触，在水分的作用下使钙钛矿分解再重结晶，以增大钙钛矿晶粒，减少晶界面积，降低缺陷态密度，改善界面电荷传输，从而提高PSCs器件性能。
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公开(公告)号：CN119702037A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411730001.1
申请日：2024-11-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B01J27/24 , B01J35/39 , B01J37/08 , C02F1/30 , C02F1/70 , C02F101/20 , C02F103/08
Abstract: 本发明公开了一种氰基介导的0D/2D C3N5/C3N4异质结的制备及其光催化铀酰还原提取应用。本发明提供了一种合成简单，对U(Ⅵ)还原速度快、还原效率高的光催化材料的制备方法。本工作通过将2D光催化剂氮化碳(g‑C3N4)与0D氮化碳量子点(CNQDs)复合，制备以氰基做介导的g‑C3N4/CNQDs异质结。该材料具有较高的光催化活性，可以作为催化剂还原U(Ⅵ)，其还原速率为80.47％，远远高于g‑C3N4(39.42％)和CNQDs(1.61％)的还原速率。
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