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公开(公告)号：CN115036428B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210435522.9
申请日：2022-04-24
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明属于光电薄膜技术领域，具体公开一种通过界面修饰处理来改善钙钛矿薄膜在疏水性空穴传输层上浸润性差导致的薄膜覆盖率低，薄膜质量差，易出现界面间隙孔洞和钙钛矿薄膜孔洞从而导致无界面修饰处理的钙钛矿薄膜制备的钙钛矿太阳电池器件能量转换效率低；改善钙钛矿层的薄膜覆盖率、结晶形貌，界面接触，消除了钙钛矿薄膜孔洞，经过聚氧化乙烯界面修饰处理制备的钙钛矿太阳电池的能量转换效率高达20.11％，且室温N2氛围下86天还能保持初始效率的99％。
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公开(公告)号：CN114447234A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210017858.3
申请日：2022-01-07
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明提供有机无机杂化钙钛矿表界面处理方法、材料及应用，包括：步骤1)制备有机无机杂化钙钛矿薄膜；步骤2)在步骤1)制备有机杂化钙钛矿薄膜表面采用N‑苄氧羰基‑D缬氨酸材料处理；步骤3)将步骤2)得到N‑苄氧羰基‑D‑缬氨酸材料处理的有机无机杂化钙钛矿薄膜进行适当的热处理。本发明通过该简易方便的表面处理方法可以达到调整整个钙钛矿薄膜质量的功效，该方法工艺简单、成本低廉、绿色无污染，适应于大规模生产应用。
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公开(公告)号：CN115036428A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210435522.9
申请日：2022-04-24
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明属于光电薄膜技术领域，具体公开一种通过界面修饰处理来改善钙钛矿薄膜在疏水性空穴传输层上浸润性差导致的薄膜覆盖率低，薄膜质量差，易出现界面间隙孔洞和钙钛矿薄膜孔洞从而导致无界面修饰处理的钙钛矿薄膜制备的钙钛矿太阳电池器件能量转换效率低；改善钙钛矿层的薄膜覆盖率、结晶形貌，界面接触，消除了钙钛矿薄膜孔洞，经过聚氧化乙烯界面修饰处理制备的钙钛矿太阳电池的能量转换效率高达20.11％，且室温N2氛围下86天还能保持初始效率的99％。
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公开(公告)号：CN111092157A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911421452.6
申请日：2019-12-31
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种高效稳定钙钛矿太阳能电池的制备方法，该方法包含：在透明导电衬底上旋涂空穴传输层，在60～100℃退火处理；将钙钛矿层旋涂于空穴传输层上，在80～140℃退火处理；将旋涂钙钛矿层后的材料置于湿度为24～39％的空气环境中静置；将电子传输层旋涂在钙钛矿层上，在80～100℃退火处理；将阴极修饰层旋涂在电子传输层上；将金属电极真空蒸镀在阴极修饰层上。本发明的方法利用空气中无处不在的水分对钙钛矿薄膜进行处理，使得钙钛矿薄膜与空气充分接触，在水分的作用下使钙钛矿分解再重结晶，以增大钙钛矿晶粒，减少晶界面积，降低缺陷态密度，改善界面电荷传输，从而提高PSCs器件性能。
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公开(公告)号：CN114447234B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202210017858.3
申请日：2022-01-07
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明提供有机无机杂化钙钛矿表界面处理方法、材料及应用，包括：步骤1)制备有机无机杂化钙钛矿薄膜；步骤2)在步骤1)制备有机杂化钙钛矿薄膜表面采用N‑苄氧羰基‑D缬氨酸材料处理；步骤3)将步骤2)得到N‑苄氧羰基‑D‑缬氨酸材料处理的有机无机杂化钙钛矿薄膜进行适当的热处理。本发明通过该简易方便的表面处理方法可以达到调整整个钙钛矿薄膜质量的功效，该方法工艺简单、成本低廉、绿色无污染，适应于大规模生产应用。
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公开(公告)号：CN111129315A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911421476.1
申请日：2019-12-31
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种倒置平面异质结杂化钙钛矿太阳能电池及制备方法，采用倒置平面异质结结构太阳能电池，分别使用透明电极和银作为阳极和阴极，聚(三芳胺)为空穴传输层，富勒烯衍生物PC61BM为电子传输层，聚乙烯吡咯烷酮为钙钛矿钝化层。本发明中的聚乙烯吡咯烷酮能够有效的钝化钙钛矿晶界，降低钙钛矿表面缺陷，降低钙钛矿电池的串联电阻，提高太阳能电池的填充因子和电流密度，最后提高了太阳能电池的光电转化效率，修饰钝化后的钙钛矿太阳能电池性能较未钝化的器件性能有较大的提升。本发明工艺操作简单、可重复性高、成本较低，能够适用于多种平面异质结钙钛矿太阳能电池的制备和大规模应用。
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