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公开(公告)号：CN115229144B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210935793.0
申请日：2022-08-05
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明提供了一种TbDyHoEr薄带及其制备方法和应用，涉及磁性功能材料技术领域。本发明提供的TbDyHoEr薄带的制备方法，包括以下步骤：将Tb、Dy、Ho和Er混合，进行熔炼，得到合金铸锭；将所述合金铸锭进行加热，得到液态合金；将所述液态合金进行甩带处理，得到TbDyHoEr薄带。本发明制备的TbDyHoEr薄带具有极宽工作温度区间，制冷能力优异。
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公开(公告)号：CN110634638A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910929705.4
申请日：2019-09-29
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种(Pr,Gd)Co永磁材料，由Co和稀土Pr、Gd为原料，经熔炼和热处理制备得化学式为(Pr1-xGdx)Co2的Laves相永磁材料，其中，化学式中的x值满足0.2≤x≤0.6；所得材料具有MgCu2型立方的晶体结构；居里温度为54-254K，在低于居里温度时，饱和磁化强度为8.2-63Am2/kg，矫顽力0.167-0.73T。其制备方法包含以下步骤：1）原料的熔炼，按照化学式称量Co和稀土Pr、Gd，经熔炼制备成(Pr1-xGdx)Co2合金；2）材料的热处理，通过热处理形成稀土原子与钴原子满足物质的量之比为1:2稳定相。本发明永磁材料具有：工作温度可调控，矫顽力大，工艺简单，原料廉价，总体制备成本低的特点，适合工业生产。
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公开(公告)号：CN108060391A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711348406.9
申请日：2017-12-15
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明属于合金薄膜技术领域，公开了一种加快FePd薄膜相转变的方法，所述加快FePd薄膜相转变的方法采用超高真空多靶磁控溅射仪制备薄膜样品；稀土Dy掺杂FePd层采用交替沉积的方法，由纯度在99.95％以上且原子百分比为47.5：52.5的FePd复合靶和纯度在99.99％的Dy片，通过控制Dy靶的溅射时间来控制FePd层中稀土的含量。本发明采用磁控溅射法制备了一系列Dyx(Fe47.5Pd52.5)100‑x颗粒膜，通过改变掺杂稀土Dy的含量，添加Dy的含量对FePd薄膜的结构和磁性能的影响。
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公开(公告)号：CN107838421A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711405576.6
申请日：2017-12-22
申请人： 桂林电子科技大学
CPC分类号： B22F3/03 , B22F3/02 , B22F2201/20
摘要： 本发明属于防氧化模具技术领域，公开了一种真空防氧化凹模及其使用方法、成型压机，设置有真空波纹管和密封底座，实现压制过程中粉体材料在与大气隔离，实现防氧化的目的；与普通模具相比，O形橡胶圈起到真空密封作用，并在底座上开6个圆孔，密封底座用螺丝固定在凹模的底面上。本发明实现了压制成型过程中易氧化粉体材料与大气的隔离，使得粉体材料不易被氧化。与现有技术相比减少了氩气90％的使用量，节约了95％的成本、节省了90％的实验室空间。本发明可独立使用，操作简便，成本低廉，体积小巧。
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公开(公告)号：CN103145417A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310089382.5
申请日：2013-03-20
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种高性能低成本铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，它是以Na2CO3、K2CO3、Nb2O5、Li2CO3、Sb2O3、Al2O3和Fe2O3为原料，按照化学式(1-x-y)(K0.5Na0.5)NbO3–xAlFeO3–yLiSbO3，其中0＜x≤0.5，0≤y≤0.1，进行配料，经传统制陶工艺烧制而成的陶瓷新产品。本发明提供的无铅压电材料具有低成本、低烧结温度、优良的压电性能及综合性能。通过选择适当的x、y值及工艺参数，烧结温度在950℃-1000℃适合于工业烧结温度，均可使该体系的陶瓷的综合性能良好。
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公开(公告)号：CN118675835A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410695223.8
申请日：2024-05-31
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01F1/057 , B22D11/06 , B22D11/113 , B22D11/00 , C22C29/14 , C22C29/00 , C22C1/10 , C22C1/02 , H01F41/02
摘要： 本发明公开了一种NdFeB‑NdFeCu合金薄带，以Nd、Fe和Cu作为原料，满足化学式为70wt.％Nd2Fe14B+30wt.％Nd6Fe13Cu，其中，Nd的添加量在理论含量基础上额外增加0.5wt.％作为补损，经翻转熔炼得到NdFeB‑NdFeCu合金铸锭，再以定制石英管进行真空甩带，即可得到NdFeB‑NdFeCu合金薄带，即永磁性NdFeB‑NdFeCu合金；所述NdFeB‑NdFeCu合金薄带主相成分为Nd2Fe14B，晶间相为Nd6Fe13Cu。其制备方法包括以下步骤：1，NdFeB‑NdFeCu合金铸锭的熔炼；2，NdFeB‑NdFeCu合金薄带的制备。作为钕铁硼永磁材料应用时，在0‑2T磁场下的矫顽力为16‑17.68KOe，剩磁为57.56‑79.15emu/g。
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公开(公告)号：CN107574363B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201710776881.X
申请日：2017-09-01
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种铁磁性的Fe‑Dy储氢材料，由Fe和稀土Dy为原料，经电弧熔炼和热处理制得化学式为Fe17Dy2的Fe‑Dy储氢材料，具有Th2Ni17型六方的晶体结构的铁磁性材料，饱和磁化强度为62~100Am2/kg，居里温度为90~100℃，储氢性能为0.1~0.2wt.%。其制备方法包含以下步骤：1）按化学式称量Fe和Dy熔炼制备成Fe17Dy2合金；2）将制备的合金热处理制得Fe‑Dy储氢材料。作为储氢材料的应用时，具有磁相转变特性，在高于居里温度时的储氢量为0.11~0.14 wt.%，在居里温度时的储氢量反而提高到0.18~0.2 wt.%。本发明的储氢材料居里温度低且工作温度在居里温度附近。
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公开(公告)号：CN107326243B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201710501477.1
申请日：2017-06-27
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01M4/38
摘要： 本发明公开了一种新颖的具有较高储氢性能的新材料，包括样品的配样、制备、热处理、吸氢测试及磁性能测试。所述配样为较为廉价的Fe、Mn和稀土Dy为主要原材料，按照化学式(Mn1‑xFex)23Dy6进行配比的合金。所述制备方法为真空氩弧熔炼方法。所述热处理是将制备的样品放入退火炉中在800℃热处理100小时。所述吸氢测试是采用气体吸收分析仪(PCT)进行吸氢能力测试。所述磁性能测试是采用振动样品磁强计(VSM)进行磁性能测试。本发明公开的新材料，具有成份简单、原料易得、配方合理、制备工艺简单等特点，同时该新材料具有良好储氢性能及磁性能，在吸氢材料领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN114613589B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210182570.1
申请日：2022-02-25
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明提供一种Gd，Co永磁材料及制备方法，由稀土Gd和Co为原材料，按照1:3的原子配比称量，经熔炼、甩带急冷和热处理制备得化学式为GdCo3的菱方相永磁材料，所得材料具有PuNi3型的晶体结构；居里温度为611K，在室温时，饱和磁化强度为6.6‑66.4emu/g，矫顽力0.083‑13.845kOe。本发明的Gd，Co永磁材料具有矫顽力大，温度稳定性好，总体制备工艺简单的特点，适合工业生产。
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公开(公告)号：CN114613589A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210182570.1
申请日：2022-02-25
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明提供一种Gd，Co永磁材料及制备方法，由稀土Gd和Co为原材料，按照1:3的原子配比称量，经熔炼、甩带急冷和热处理制备得化学式为GdCo3的菱方相永磁材料，所得材料具有PuNi3型的晶体结构；居里温度为611K，在室温时，饱和磁化强度为6.6‑66.4emu/g，矫顽力0.083‑13.845kOe。本发明的Gd，Co永磁材料具有矫顽力大，温度稳定性好，总体制备工艺简单的特点，适合工业生产。
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