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公开(公告)号:CN111816753A
公开(公告)日:2020-10-23
申请号:CN202010543563.0
申请日:2020-06-15
申请人: 桂林电子科技大学
摘要: 本发明公开了一种纸基底碲化铋基((Bi,Sb)2(Te,Se)3)纳米线柔性热电偶型温度传感器的制备方法,通过设计P型及N型碲化铋基(Bi,Sb)2(Te,Se)3纳米线薄膜的垂直交叉阵列结构使得单位面积上的温度测量节点数大大增加,工艺简单,制备周期短,安全无污染、能耗低,得到的温度传感器响应时间短,灵敏度高,柔性良好。
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公开(公告)号:CN116256572A
公开(公告)日:2023-06-13
申请号:CN202211497199.4
申请日:2022-11-27
申请人: 桂林电子科技大学
摘要: 本发明提供的是一种可用于薄膜热电器件的热电器件性能参数测试系统及方法,系统包括:待测薄膜热电器件1、热端上顶板2、热端上夹板3、热端下夹板5、热端支撑板固定螺母6、热端固定柱7、加热片8、热端下底板9、热端支撑板10、支撑底板11、冷端固定柱12、冷端支撑板13、半导体制冷片14、冷端下夹板15、冷端夹板固定螺母16、冷端下底板17、冷端上顶板18、冷端上夹板19、上位机控制模块20、下位机控制模块21、程控电阻箱22、电压表23及冷端支撑板固定螺母24。方法包括:1、调节所述冷端固定柱12按所述待测薄膜热电器件1尺寸进行冷端及热端固定。2、设定所述待测薄膜热电器件1的冷热端温度并进行温度控制。3、对所述程控电阻箱22进行阻值切换并记录电压值数据。4、根据阻值及电压数据计算开路电压、内阻、最大输出功率及塞贝克系数。按照尺寸本发明实现了对不同尺寸薄膜热电器件的测试并能够在上位机控制模块20准确实时显示待测器件的多种性能参数。
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公开(公告)号:CN111816753B
公开(公告)日:2022-07-12
申请号:CN202010543563.0
申请日:2020-06-15
申请人: 桂林电子科技大学
摘要: 本发明公开了一种纸基底碲化铋基((Bi,Sb)2(Te,Se)3)纳米线柔性热电偶型温度传感器的制备方法,通过设计P型及N型碲化铋基(Bi,Sb)2(Te,Se)3纳米线薄膜的垂直交叉阵列结构使得单位面积上的温度测量节点数大大增加,工艺简单,制备周期短,安全无污染、能耗低,得到的温度传感器响应时间短,灵敏度高,柔性良好。
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