公开(公告)号：CN103238220A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201180038116.9

申请日：2011-05-16

申请人： 桑艾维公司

发明人： 艾吉特·罗哈吉 ,  维杰·叶伦德 ,  维诺德·钱德拉塞卡朗 ,  休伯特·P·戴维斯 ,  本·达米亚尼

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L21/263 ,  H01L21/266

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/266 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。根据本发明的一个实施方式，太阳能电池的制造方法包括：提供一个p-型掺杂硅基底，以及通过离子注入将n-型掺杂剂引入基底的前面的第一区和第二区，第二区的掺杂度高于第一区的掺杂度。基底进行一次高温退火循环，以激活掺杂剂、驱动掺杂剂进入基底、生成p-n结，以及形成选择发射极。在一次退火循环中可以引入氧，形成原位前面和后面钝化氧化层，在一次共烧操作中可以进行前面和后面触点的烧透和与触点连接的金属化。本发明还公开了一种太阳能电池。

公开(公告)号：CN103201855A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201180051167.5

申请日：2011-05-17

申请人： 桑艾维公司

发明人： 丹尼尔·迈耶 ,  艾吉特·罗哈吉 ,  维诺德·钱德拉塞卡朗 ,  维杰·叶伦德 ,  休伯特·P·戴维斯 ,  本·达米亚尼

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0682 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了太阳能电池及其制造方法。本发明太阳能电池制造方法的一个实施方式包括：制造n-型硅基底和将n-型掺杂剂引入基底的一个或多个第一和第二区，使得第二区的掺杂度高于第一区的掺杂度。基底可以经历一次高温退火循环，以形成选择前面场层。在一次退火循环中可以引入氧，以形成原位前面和后面钝化氧化层。在一次共烧操作中，可以进行前面和后面触点的烧透以及与连接的金属化。后面触点的烘烤可以在基底和后面触点的界面形成p+发射层，因此，在发射层和基底的界面形成p-n结。此外，本发明还公开了太阳能电池。

公开(公告)号：CN103210506A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180038088.0

申请日：2011-05-17

申请人： 桑艾维公司

发明人： 艾吉特·罗哈吉 ,  维杰·叶伦德 ,  休伯特·P·戴维斯 ,  维诺德·钱德拉塞卡朗 ,  本·达米亚尼

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L21/263 ,  H01L21/266

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。本发明太阳能电池的制造方法包括：提供一个硅基底，以及通过离子注入将掺杂剂引入基底的前面的一个或多个选择区。基底可以进行一次高温退火循环，在一次退火循环中，引入额外掺杂剂原子扩散进入基底的前面。基底的前面可以形成选择发射极，使得选择发射层的一个或多个选择区的掺杂度高于选择层其余部分的掺杂度。此外，本发明还公开了一种太阳能电池。