公开(公告)号：CN101438413A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200780016411.8

申请日：2007-03-19

申请人： 梅尔斯科技公司

发明人： 黄向阳 ,  塞姆德·哈里洛夫 ,  J·A·C·S·F·伊普敦 ,  伊利佳·杜库夫斯基 ,  迈尔柯·伊萨 ,  罗伯特·J·梅尔斯

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L29/66

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F1/401 ,  H01F1/405 ,  H01F10/3213 ,  H01F10/3268 ,  H01F41/301 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/15 ,  H01L29/66984

摘要： 一种自旋电子器件，可以包括至少一个超晶格和至少一个与所述至少一个超晶格耦合的电接触件，所述至少一个超晶格包含多个层组。每一个层组都可以包括限定具有晶格的基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层、约束在邻近基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层、以及自旋电子掺杂剂。该自旋电子掺杂剂可以被所述至少一个非半导体单层约束在基础半导体部分的晶格内。在一些实施例中，可以不需要超晶格的重复结构。

公开(公告)号：CN1813353B

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200480018015.5

申请日：2004-06-28

申请人： 梅尔斯科技公司

发明人： 罗伯特·J.·梅尔斯 ,  吉恩·A.·C·S·F·伊普彤 ,  迈尔柯·伊萨 ,  斯科特·A.·柯瑞普斯 ,  伊利佳·杜库夫斯基

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/155 ,  H01L29/7833

摘要： 一种半导体装置包括超晶格，从而包括多个堆叠层组。每个超晶格组可包括多个堆叠的基半导体单层，其限定基半导体部分和其上的能带修饰层。而且，能带修饰层可包括至少一个非半导体单层，其被限制在邻近基半导体部分的晶格内。因此，该超晶格可在平行方向上比其它情形中高的载流子迁移率。

公开(公告)号：CN1813355B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200480018093.5

申请日：2004-06-28

申请人： 梅尔斯科技公司

发明人： 罗伯特·J·梅尔斯 ,  吉恩·A.·C·S·F·伊普彤 ,  迈尔柯·伊萨 ,  斯科特·A.·柯瑞普斯 ,  伊利佳·杜库夫斯基

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/155 ,  H01L29/7833

摘要： 一种半导体器件，包括衬底和至少一个与衬底相邻的MOSFET。MOSFET包括又包括多个堆叠的层组的超晶格沟道。MOSFET也可包括侧面与所述超晶格沟道相邻的源和漏区，以及重叠在超晶格沟道上面的栅极，用于使载流子在相对于堆叠层组平行的方向上通过超晶格输送。每组超晶格沟道可以包括多个堆叠的基本半导体单层，其定义了基本半导体部分，以及其上面的能带修改层。能带修改层可以包括至少一个限制在相邻基本半导体部分的晶格内的非半导体单层，从而超晶格沟道在平行的方向上比其它情况具有更高的载流子迁移率。

公开(公告)号：CN101258602A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200680022579.5

申请日：2006-05-02

申请人： 梅尔斯科技公司

发明人： 罗伯特·J·梅尔斯 ,  迈尔柯·伊萨 ,  斯考特·A·克瑞普斯 ,  罗伯特·约翰·史蒂芬森 ,  简·奥斯丁·查·索·福克·伊普皮汤 ,  伊利佳·杜库夫斯基 ,  卡里帕纳姆·维维克·绕 ,  塞姆德·哈里洛夫 ,  黄向阳

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L29/423 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/152 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/155 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7833

摘要： 一种半导体器件，可以包括半导体衬底和与半导体衬底相邻的至少一个有源器件。该至少一个有源器件可以包括电极层、位于电极层下面并且与其接触的高K电介质层，以及位于高K电介质层下面与电极层相对并且与高K电介质层接触的超晶格。超晶格可以包括多个层叠的层组。超晶格的每个层组可以包括限定基础半导体部分的多个层叠基础半导体单层，以及限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。

公开(公告)号：CN1813352B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200480017932.1

申请日：2004-06-28

申请人： 梅尔斯科技公司

发明人： 罗伯特·J.·梅尔斯 ,  吉恩·A.·C·S·F·伊普彤 ,  迈尔柯·伊萨 ,  斯科特·A.·柯瑞普斯 ,  伊利佳·杜库夫斯基

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/155 ,  H01L29/7833

摘要： 一种半导体器件，包括超晶格，所述超晶格又包括多个堆叠的层组。该器件还包括引起载流子在相对于堆叠层组平行的方向上通过超晶格输送的区域。每组超晶格可以包括多个堆叠的基本半导体单层，其定义了基本半导体部分及其上面的能带修改层。另外，所述能带修改层可以包括至少一层限制在相邻基本半导体部分内的非半导体单层。因此，超晶格在平行的方向上比其它情况具有更高的载流子迁移率。

公开(公告)号：CN1813354B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200480018053.0

申请日：2004-06-28

申请人： 梅尔斯科技公司

发明人： 罗伯特·J.·梅尔斯 ,  吉恩·A.·C·S·F·伊普彤 ,  迈尔柯·伊萨 ,  斯科特·A.·柯瑞普斯 ,  伊利佳·杜库夫斯基

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/155

摘要： 一种用于通过形成超晶格而制造半导体装置的方法，该超晶格包括多个堆叠层组。所述方法也可包括形成用于引起载流子在相对堆叠层组平行的方向上输运通过超晶格的区域。超晶格的每个组可包括多个堆叠的基半导体单层，其限定基半导体部分和其上的能带修饰层。能带修饰层可包括至少一个非半导体单层，其限制在邻近基半导体部分的晶格内，以便超晶格在平行方向上载流子可具有比其它情形下高的迁移率。该超晶格也可具有公共能带结构。