半导体激光器和半导体激光器装置

    公开(公告)号:CN108141008A

    公开(公告)日:2018-06-08

    申请号:CN201680058370.8

    申请日:2016-09-29

    摘要: 在一个实施方式中,半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)。半导体层序列(2)包含n型传导区域(23)、p型传导区域(21)和位于其之间的有源区(22)。在谐振器段(3)中产生激光辐射。谐振器段(3)平行于有源区(22)定向。此外,半导体激光器(1)包含电的p型接触部(41)和电的n型接触部(43),所述p型接触部和n型接触部分别处于半导体层序列(2)的所属的区域(21,23)上,并且所述p型接触部和n型接触部设计用于将电流直接馈入所属的区域(21,23)中。p型接触面(61)与p型接触部(41)电连接,并且n型接触面(63)与n型接触部(43)电连接,使得p型接触面(61)和n型接触面(63)设计用于外部电和机械连接半导体激光器(1)。接触面(61,63)平行于半导体层序列(2)的生长方向(G)取向。在此,半导体激光器(1)可无金属线地表面安装。

    半导体激光器和半导体激光器装置

    公开(公告)号:CN108141008B

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201680058370.8

    申请日:2016-09-29

    摘要: 在一个实施方式中,半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)。半导体层序列(2)包含n型传导区域(23)、p型传导区域(21)和位于其之间的有源区(22)。在谐振器段(3)中产生激光辐射。谐振器段(3)平行于有源区(22)定向。此外,半导体激光器(1)包含电的p型接触部(41)和电的n型接触部(43),所述p型接触部和n型接触部分别处于半导体层序列(2)的所属的区域(21,23)上,并且所述p型接触部和n型接触部设计用于将电流直接馈入所属的区域(21,23)中。p型接触面(61)与p型接触部(41)电连接,并且n型接触面(63)与n型接触部(43)电连接,使得p型接触面(61)和n型接触面(63)设计用于外部电和机械连接半导体激光器(1)。接触面(61,63)平行于半导体层序列(2)的生长方向(G)取向。在此,半导体激光器(1)可无金属线地表面安装。

    显示装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103460277B

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201280017303.3

    申请日:2012-03-01

    IPC分类号: G09G3/34

    摘要: 本发明提出一种显示装置,所述显示装置具有:-多个像素(1),-至少一个连接载体(2),以及-多个无机的发光二极管芯片(3),其中-连接载体(2)包括多个开关(21),-每个像素(1)包含至少一个发光二极管芯片(3),-每个发光二极管芯片(3)机械固定且电连接在连接载体(2)上,-每个开关(21)建立为用于控制至少一个发光二极管芯片(3),以及-发光二极管芯片(3)是显示装置的成像元件。

    显示装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103460277A

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN201280017303.3

    申请日:2012-03-01

    IPC分类号: G09G3/34

    摘要: 本发明提出一种显示装置,所述显示装置具有:-多个像素(1),-至少一个连接载体(2),以及-多个无机的发光二极管芯片(3),其中-连接载体(2)包括多个开关(21),-每个像素(1)包含至少一个发光二极管芯片(3),-每个发光二极管芯片(3)机械固定且电连接在连接载体(2)上,-每个开关(21)建立为用于控制至少一个发光二极管芯片(3),以及-发光二极管芯片(3)是显示装置的成像元件。