一种晶圆残片全自动切割方法及装置

    公开(公告)号:CN116995030B

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311253277.0

    申请日:2023-09-27

    摘要: 本发明提供了一种晶圆残片全自动切割方法及装置,属于半导体技术领域,该方法包括如下步骤:获取晶圆残片的完整图像并提取残片轮廓曲线,进行均匀偏移以获得残片轮廓更新曲线,然后将其转换到切割设备坐标系中;获取某个Mark点的中心位置和方向向量并转换到切割设备坐标系中;在切割设备坐标系下自Mark点向周围阵列晶粒轮廓,然后去除重合部分以形成切割轨迹,利用残片轮廓更新曲线修剪切割轨迹以获得实际切割轨迹。本发明提供的方法自动化程度高,有效提高了晶圆残片切割的稳定性和运行效率,并且与人工绘制外轮廓相比偏移距离的数值更小、精度更高,能够有效提高晶圆残片的利用率,并且避免切割轨迹冗余造成切割效率低。

    一种基于标定和复合搜索的相机自动对焦方法及系统

    公开(公告)号:CN117097984B

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311249448.2

    申请日:2023-09-26

    IPC分类号: H04N23/67 H04N23/959

    摘要: 本发明提供了一种基于标定和复合搜索的相机自动对焦方法及系统,属于图像对焦技术领域,方法包括:在#imgabs0#的范围内,以#imgabs1#为步距,拍摄图像并评估图像的锐度Sh,获取Z‑Sh二阶导曲线;按照分割阈值d2_thresh,将Z‑Sh二阶导曲线分割获取精细区间带宽#imgabs2#;以#imgabs3#为步距在拟搜索区间采集图像,找出锐度最大图像对应的距离#imgabs4#;在精细搜索区间#imgabs5#内采集#imgabs6#和#imgabs7#的图像并分析#imgabs8#和#imgabs9#;若剩余迭代区间的宽度小于实际需要的最小对焦距离偏差#imgabs10#,将#imgabs11#和#imgabs12#中对应锐度较大的值#imgabs13#作为最终的对焦距离。本发明提高大范围搜索效率的同时提高精细区间定位的稳定性。

    一种膜材打孔高精度大幅面加工系统及方法

    公开(公告)号:CN115255622A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202210748446.7

    申请日:2022-06-29

    摘要: 本发明公开一种膜材打孔高精度大幅面加工系统及方法,系统沿激光器光路依次设有:激光器、扩束镜、5组反射镜、振镜、透镜、载物平台;还包括辅助装置和控制装置。辅助装置包含卷绕机、抽尘、吸附、红外测高组件,卷绕机用于传送物料放卷和收卷、抽尘组件用于去除加工过程中产生的粉尘、吸附组件用于吸附加工样品和去除残渣、红外测高用于监测载物平台的水平;控制装置包含视觉定位、两路飞行光路、两个升降轴、加工软件,视觉定位用于定位图档加工位置,两路飞行光路用于实现图档大幅面拼接,两个升降轴一个用于控制加工过程焦点,一个用于控制卷绕机传输物料时载物平台的升降,加工软件用于加载大幅面CAD图档进行自动分割加工。

    一种自动光量补正方法、系统及电子设备

    公开(公告)号:CN117061879B

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN202311253008.4

    申请日:2023-09-27

    IPC分类号: H04N23/73 H04N23/71 H04N5/202

    摘要: 本发明提供一种自动光量补正方法、系统及电子设备,属于机器视觉领域,方法包括:确定摄像设备输出光量和对应摄取图像的灰度,根据不同曝光时间下的光量与灰度曲线确定线性区间的灰度最小值和灰度最大值;在预设曝光时间区间内,所述灰度最小值和灰度最大值之间的光量与灰度曲线为近似线性曲线;若目标灰度大于灰度最大值,则目标光量属于过曝区间,采用二分法迭代确定自动光量补正后的输出光量,使得摄取图像达到目标灰度;若目标灰度在灰度最小值到灰度最大值之间,则目标光量属于近似线性的区间,采用线性迭代确定自动光量补正后的输出光量,使得摄取图像达到目标灰度。本发明提高了自动光量补正的准确性。

    一种晶圆残片全自动切割方法及装置

    公开(公告)号:CN116995030A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202311253277.0

    申请日:2023-09-27

    摘要: 本发明提供了一种晶圆残片全自动切割方法及装置,属于半导体技术领域,该方法包括如下步骤:获取晶圆残片的完整图像并提取残片轮廓曲线,进行均匀偏移以获得残片轮廓更新曲线,然后将其转换到切割设备坐标系中;获取某个Mark点的中心位置和方向向量并转换到切割设备坐标系中;在切割设备坐标系下自Mark点向周围阵列晶粒轮廓,然后去除重合部分以形成切割轨迹,利用残片轮廓更新曲线修剪切割轨迹以获得实际切割轨迹。本发明提供的方法自动化程度高,有效提高了晶圆残片切割的稳定性和运行效率,并且与人工绘制外轮廓相比偏移距离的数值更小、精度更高,能够有效提高晶圆残片的利用率,并且避免切割轨迹冗余造成切割效率低。

    真空压合治具、使用该治具的激光玻璃焊接系统及方法

    公开(公告)号:CN113500289A

    公开(公告)日:2021-10-15

    申请号:CN202110747834.9

    申请日:2021-07-01

    IPC分类号: B23K26/02 B23K26/21

    摘要: 本发明公开一种真空压合治具、使用该治具的激光玻璃焊接系统及方法,其中,真空压合治具包括可开合的密封腔体,所述密封腔体内设有波纹管,所述波纹管上表面固定有支撑板,所述支撑板用于放置待焊料;所述密封腔体的侧壁下方设有充气孔,侧壁上方设有抽气孔,底部设有出气孔;所述密封腔体的顶部中间位置设有玻璃板,所述玻璃板与支撑板相适配。本发明解决了待焊玻璃料的间隙控制问题,实现了接触间隙的量化和过程管理,并且使用该治具成功高效地完成玻璃样品的焊接。

    一种基于标定和复合搜索的相机自动对焦方法及系统

    公开(公告)号:CN117097984A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202311249448.2

    申请日:2023-09-26

    IPC分类号: H04N23/67 H04N23/959

    摘要: 本发明提供了一种基于标定和复合搜索的相机自动对焦方法及系统,属于图像对焦技术领域,方法包括:在的范围内,以为步距,拍摄图像并评估图像的锐度Sh,获取Z‑Sh二阶导曲线;按照分割阈值d2_thresh,将Z‑Sh二阶导曲线分割获取精细区间带宽;以 为步距在拟搜索区间采集图像,找出锐度最大图像对应的距离 ;在精细搜索区间 内采集 和 的图像并分析 和 ;若剩余迭代区间的宽度小于实际需要的最小对焦距离偏差,将 和 中对应锐度较大的值 作为最终的对焦距离。本发明提高大范围搜索效率的同时提高精细区间定位的稳定性。

    一种自动光量补正方法、系统及电子设备

    公开(公告)号:CN117061879A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202311253008.4

    申请日:2023-09-27

    IPC分类号: H04N23/73 H04N23/71 H04N5/202

    摘要: 本发明提供一种自动光量补正方法、系统及电子设备,属于机器视觉领域,方法包括:确定摄像设备输出光量和对应摄取图像的灰度,根据不同曝光时间下的光量与灰度曲线确定线性区间的灰度最小值和灰度最大值;在预设曝光时间区间内,所述灰度最小值和灰度最大值之间的光量与灰度曲线为近似线性曲线;若目标灰度大于灰度最大值,则目标光量属于过曝区间,采用二分法迭代确定自动光量补正后的输出光量,使得摄取图像达到目标灰度;若目标灰度在灰度最小值到灰度最大值之间,则目标光量属于近似线性的区间,采用线性迭代确定自动光量补正后的输出光量,使得摄取图像达到目标灰度。本发明提高了自动光量补正的准确性。

    一种降低SiC激光退火表面析碳量的方法

    公开(公告)号:CN118471805A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410587971.4

    申请日:2024-05-13

    摘要: 本发明提供了一种降低SiC激光退火表面析碳量的方法,包括如下过程:在碳化硅晶圆衬底上沉积预设厚度的金属层;在金属层表面利用低脉冲宽度的激光进行激光退火,使金属层与碳化硅晶圆衬底形成欧姆接触;其中激光采用经过衍射光学元件整形后得到的平顶光。该发明采用低脉冲宽度的激光作为激光光源,并对激光整形成平顶光进行激光退火处理,不仅可以精确控制退火区域和退火温度,而且低脉冲宽度的激光减小了激光与材料相互作用的时间,从而从源头上显著降低了金属层表面析出的碳含量,同时激光采用整形后的平顶光,相较于常用的高斯光束,可以形成表面形貌更加平整、均匀的表面结构,改善了欧姆接触结构表面特性,有利于提高器件性能。