-
公开(公告)号:CN113788464B
公开(公告)日:2022-12-27
申请号:CN202110961581.5
申请日:2021-08-20
申请人: 武汉工程大学
IPC分类号: C01B21/064 , B82Y40/00 , B01J23/755 , B01J23/75
摘要: 本发明公开了一种双过渡金属氧化物催化制备氮化硼纳米管的方法,属于无机纳米材料领域。其步骤为:1)在去离子水中依次加入硼粉、两种过渡金属硝酸盐和沉淀剂,搅拌均匀,进行水热反应,过滤、真空干燥,然后在空气气氛中,280~300℃温度下热处理1~3h,得到双过渡金属氧化物‑硼前驱体;2)将所得双过渡金属氧化物‑硼前驱体置于化学气相沉积系统中,在氨气气氛下升温至一定温度进行热处理反应,随后自然冷却至室温,得到高品质的氮化硼纳米管。该方法以双过渡金属氧化物为催化剂,所得氮化硼纳米管纯度高,不含氮化硼颗粒等杂质,产率大;制备方法简单,可重复性好,可实现氮化硼纳米管的批量和稳定制备。
-
公开(公告)号:CN113788464A
公开(公告)日:2021-12-14
申请号:CN202110961581.5
申请日:2021-08-20
申请人: 武汉工程大学
IPC分类号: C01B21/064 , B82Y40/00 , B01J23/755 , B01J23/75
摘要: 本发明公开了一种双过渡金属氧化物催化制备氮化硼纳米管的方法,属于无机纳米材料领域。其步骤为:1)在去离子水中依次加入硼粉、两种过渡金属硝酸盐和沉淀剂,搅拌均匀,进行水热反应,过滤、真空干燥,然后在空气气氛中,280~300℃温度下热处理1~3h,得到双过渡金属氧化物‑硼前驱体;2)将所得双过渡金属氧化物‑硼前驱体置于化学气相沉积系统中,在氨气气氛下升温至一定温度进行热处理反应,随后自然冷却至室温,得到高品质的氮化硼纳米管。该方法以双过渡金属氧化物为催化剂,所得氮化硼纳米管纯度高,不含氮化硼颗粒等杂质,产率大;制备方法简单,可重复性好,可实现氮化硼纳米管的批量和稳定制备。
-
公开(公告)号:CN113214834A
公开(公告)日:2021-08-06
申请号:CN202110467290.0
申请日:2021-04-28
申请人: 武汉工程大学
摘要: 本发明涉及一种Ag/Mn双掺Zn‑In‑Se核壳结构量子点及其制备方法和应用。首先利用Zn源、Se源分别配制Zn储备溶液和Se储备溶液,然后利用Zn源、In源、Ag源、Mn源、Se储备溶液反应制备ZISe:AM核心,最后将制得的ZISe:AM核心与Zn储备溶液混合反应完成包覆,分离提纯得到Ag/Mn双掺Zn‑In‑Se核壳结构量子点。本发明方法具有操作简单、反应迅速等优点,制得的量子点材料中不含有毒重金属镉和铅,对人体无害不会污染环境,属于绿色环保材料。本发明通过调节不同离子的掺杂量实现了量子点发光可调,并能获得白光发光材料,核壳结构增强了荧光量子产率以及稳定性。
-
公开(公告)号:CN116694326A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202310648714.2
申请日:2023-05-31
IPC分类号: C09K11/78
摘要: 本发明涉及一种稀土掺杂硼酸盐单相白光荧光粉及其制备方法,所述稀土掺杂硼酸盐单相白光荧光粉化学表达式为Sr3Y2(1‑x‑y‑z)(BO3)4:xCe3+,yTb3+,zSm3+,其中x=0.01~0.15,y=0.05~0.50,z=0.05~0.15。本发明提供的稀土掺杂硼酸盐单相白光荧光粉在紫外光激发下能实现单相白光发射,且具有较高的显色指数与较低的相关色温,具有潜在的商业应用价值。
-
公开(公告)号:CN113735586B
公开(公告)日:2022-07-19
申请号:CN202111005864.9
申请日:2021-08-30
申请人: 武汉工程大学
IPC分类号: C04B35/563 , C04B35/80 , C04B35/622
摘要: 本发明公开了一种氮化硼纳米管/纳米片‑碳化硼陶瓷复合材料及其制备方法。其制备为:在去离子水中依次加入表面活性剂和碳化硼粉体,混合均匀得碳化硼悬浮液,继续加入氮化硼纳米管/纳米片杂化粉体,搅拌、超声、冷冻干燥得到氮化硼纳米管/纳米片‑碳化硼复合粉体,最后置于氩气气氛下热压烧结,随炉冷却至室温,得到氮化硼纳米管/纳米片‑碳化硼陶瓷复合材料;其中氮化硼纳米管/纳米片杂化粉体为氮化硼纳米片上原位生长氮化硼纳米管形成的杂化结构。该方法所得陶瓷复合材料中,氮化硼纳米管/纳米片在碳化硼陶瓷复合材料中均匀分散,能同时发挥氮化硼纳米管和纳米片的强韧化优势及其多维度协同效应,显著提升碳化硼陶瓷材料的强度和韧性。
-
公开(公告)号:CN108961962A
公开(公告)日:2018-12-07
申请号:CN201810768436.3
申请日:2018-07-13
申请人: 武汉工程大学
摘要: 本发明公开了一种利用单光子单电离机制重构电场包络的方法,该方法包括以下步骤:S1、将测量到的单个阿秒脉冲与工作气体相互作用获得电子动量谱,对电子动量谱通过最小二乘法重构出阿秒脉冲的电场包络分布Eatto;S2、测量得到不同阿秒脉冲‑红外电场相对延时下产生的旁带信号和单光子电离信号的强度比;S3、根据步骤S1得到的阿秒脉冲电场包络分布Eatto,以及步骤S2得到的旁带信号和单光子电离信号的强度比,通过最小二乘法重建红外电场的包络EL0。本发明不仅能够反映出阿秒泵浦探测实验中电子的动力学过程,还能同时重构出阿秒脉冲电场的包络分布和红外电场的包络,且不依赖与阿秒脉冲和红外电场的载波包络相位。
-
公开(公告)号:CN116694326B
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202310648714.2
申请日:2023-05-31
IPC分类号: C09K11/78
摘要: 本发明涉及一种稀土掺杂硼酸盐单相白光荧光粉及其制备方法,所述稀土掺杂硼酸盐单相白光荧光粉化学表达式为Sr3Y2(1‑x‑y‑z)(BO3)4:xCe3+,yTb3+,zSm3+,其中x=0.01~0.15,y=0.05~0.50,z=0.05~0.15。本发明提供的稀土掺杂硼酸盐单相白光荧光粉在紫外光激发下能实现单相白光发射,且具有较高的显色指数与较低的相关色温,具有潜在的商业应用价值。
-
公开(公告)号:CN110095805B
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN201910350379.1
申请日:2019-04-28
申请人: 武汉工程大学
IPC分类号: G01T5/00
摘要: 本发明涉及一种基于阿秒条纹谱的电子轨道半径测量方法、系统和介质,方法包括获取多个红外电场分别和单个阿秒脉冲激光共同作用在工作气体上产生的阿秒条纹谱,以及获取在多个电子初始位置下,多个红外电场分别和单个阿秒脉冲激光共同作用在工作气体上产生的多个经典条纹轨迹;根据阿秒条纹谱获取工作气体的光电离时间延迟,并根据多个经典条纹轨迹获取工作气体对应的多个经典光电离时间延迟;根据光电离时间延迟和多个经典光电离时间延迟获取工作气体对应的电子轨道半径。本发明基于阿秒条纹谱,能实现对电子轨道半径的直接测量,方法理论简单,计算难度低,计算量小,精度高,突破了目前还没有直接测量电子轨道半径的瓶颈,意义深远。
-
公开(公告)号:CN109215000A
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201810876467.0
申请日:2018-08-03
申请人: 武汉工程大学
摘要: 本发明涉及一种焊缝图像处理方法及系统,其方法包括以下步骤,S1,获取焊缝的原始图像;S2,对所述原始图像进行灰度变换,获得灰度图像以及对应的灰度直方图;S3,根据所述灰度直方图对所述灰度图像进行阈值处理,获得阈值图像;S4,对所述阈值图像进行中值滤波处理,获得滤波图像;S5,对所述滤波图像进行先腐蚀后细化的形态学处理,获得多条焊缝中心线;S6,基于最小二乘法分别求取多条所述焊缝中心线中相邻两条所述焊缝中心线之间的拐点,获得焊缝的特征信息。应用本发明提供的一种焊缝图像处理方法比较能够在一定程度上提高焊缝中心线的提取精度。
-
公开(公告)号:CN113214834B
公开(公告)日:2023-03-07
申请号:CN202110467290.0
申请日:2021-04-28
申请人: 武汉工程大学
摘要: 本发明涉及一种Ag/Mn双掺Zn‑In‑Se核壳结构量子点及其制备方法和应用。首先利用Zn源、Se源分别配制Zn储备溶液和Se储备溶液,然后利用Zn源、In源、Ag源、Mn源、Se储备溶液反应制备ZISe:AM核心,最后将制得的ZISe:AM核心与Zn储备溶液混合反应完成包覆,分离提纯得到Ag/Mn双掺Zn‑In‑Se核壳结构量子点。本发明方法具有操作简单、反应迅速等优点,制得的量子点材料中不含有毒重金属镉和铅,对人体无害不会污染环境,属于绿色环保材料。本发明通过调节不同离子的掺杂量实现了量子点发光可调,并能获得白光发光材料,核壳结构增强了荧光量子产率以及稳定性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-