利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

4 条记录 (耗时 0.058 秒)

    一种N型晶体硅太阳能电池选择性发射极制备方法
    1.
    发明公开
    一种N型晶体硅太阳能电池选择性发射极制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN116632103A

    公开(公告)日：2023-08-22

    申请号：CN202210514776.X

    申请日：2022-05-12

    申请人： 武汉帝尔激光科技股份有限公司 ,  帝尔激光科技(无锡)有限公司

    发明人： 陆红艳 ,  朱凡 ,  李志刚 ,  张强 ,  肖俊峰

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068

    摘要： 本申请提供一种N型晶体硅太阳能电池选择性发射极制备方法，对晶体硅片织构化处理后；对晶体硅表面拟重掺区域进行激光轰击处理得到轰击后的拟重掺区域，清洗掉晶体硅表面可能存在的脏污；然后再将所述清洗后的晶体硅放入扩散炉，在扩散炉内对晶体硅进行通源制结，最终在晶体硅表面拟重掺区域形成重掺结，而在晶体硅表面其他结区域形成轻掺结。相比现有的选择性发射极制备技术，本发明申请提供的一种制备N型电池硼掺杂选择性发射极的方案，能够简化工艺流程，仅需要进行简单化学清洗处理即可进行后续工艺。

    一种太阳能电池的前表面结及一种晶体硅电池的制作方法
    3.
    发明公开
    一种太阳能电池的前表面结及一种晶体硅电池的制作方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN117276396A

    公开(公告)日：2023-12-22

    申请号：CN202210661889.2

    申请日：2022-06-13

    申请人： 武汉帝尔激光科技股份有限公司 ,  帝尔激光科技(无锡)有限公司

    发明人： 李志刚 ,  朱凡 ,  陆红艳 ,  张强 ,  朱胜鹏

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/268 ,  H01L21/228

    摘要： 本申请提供一种前表面结的制作方法及一种晶体硅电池的制作方法，对晶体硅片表面进行湿法处理后；在晶体硅表面印刷涂覆或沉积一层硼源后进行激光掺杂，清洗硅片表面多余硼源和掺杂区的部分激光损伤；然后再利用后续工序中的高温对激光掺杂区的激光损伤进行修复，之后完成表面的氧化铝钝化和氮化硅镀膜，最后印刷一层银浆或银铝含量经过配比调整的银铝浆并烧结，最终形成了具有优质钝化、低金属复合、低接触电阻的前表面结结构。与现有技术相比，仅增加了印刷涂覆或沉积硼源和激光掺杂的工序，考虑到后续金属化时可以省去激光开槽步骤，因此实际仅增加一道印刷涂覆或沉积硼源的工序，流程简单，可轻松实现量产化。