公开(公告)号：CN116632103A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202210514776.X

申请日：2022-05-12

申请人： 武汉帝尔激光科技股份有限公司 ,  帝尔激光科技(无锡)有限公司

发明人： 陆红艳 ,  朱凡 ,  李志刚 ,  张强 ,  肖俊峰

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068

摘要： 本申请提供一种N型晶体硅太阳能电池选择性发射极制备方法，对晶体硅片织构化处理后；对晶体硅表面拟重掺区域进行激光轰击处理得到轰击后的拟重掺区域，清洗掉晶体硅表面可能存在的脏污；然后再将所述清洗后的晶体硅放入扩散炉，在扩散炉内对晶体硅进行通源制结，最终在晶体硅表面拟重掺区域形成重掺结，而在晶体硅表面其他结区域形成轻掺结。相比现有的选择性发射极制备技术，本发明申请提供的一种制备N型电池硼掺杂选择性发射极的方案，能够简化工艺流程，仅需要进行简单化学清洗处理即可进行后续工艺。

公开(公告)号：CN117276396A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202210661889.2

申请日：2022-06-13

申请人： 武汉帝尔激光科技股份有限公司 ,  帝尔激光科技(无锡)有限公司

发明人： 李志刚 ,  朱凡 ,  陆红艳 ,  张强 ,  朱胜鹏

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/268 ,  H01L21/228

摘要： 本申请提供一种前表面结的制作方法及一种晶体硅电池的制作方法，对晶体硅片表面进行湿法处理后；在晶体硅表面印刷涂覆或沉积一层硼源后进行激光掺杂，清洗硅片表面多余硼源和掺杂区的部分激光损伤；然后再利用后续工序中的高温对激光掺杂区的激光损伤进行修复，之后完成表面的氧化铝钝化和氮化硅镀膜，最后印刷一层银浆或银铝含量经过配比调整的银铝浆并烧结，最终形成了具有优质钝化、低金属复合、低接触电阻的前表面结结构。与现有技术相比，仅增加了印刷涂覆或沉积硼源和激光掺杂的工序，考虑到后续金属化时可以省去激光开槽步骤，因此实际仅增加一道印刷涂覆或沉积硼源的工序，流程简单，可轻松实现量产化。

公开(公告)号：CN116885049A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202311150516.X

申请日：2023-09-07

申请人： 武汉帝尔激光科技股份有限公司

发明人： 李志刚 ,  陆红艳 ,  蒋一鸣 ,  张强 ,  梁乔春 ,  朱凡

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0288

摘要： 本发明提供了一种激光掺杂方法及TOPCon太阳能电池，激光掺杂方法包括控制激光参数，利用激光对所述硅衬底表面的预设区域进行选择性激光掺杂。通过调节激光参数对温度场进行控制，在不破坏硅衬底表面微结构的前提下进行硼扩散，既可对杂质扩散曲线进行控制，又可通过改变激光参数提升产率，同时满足工艺性能和产率的需求。

公开(公告)号：CN116885049B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202311150516.X

申请日：2023-09-07

申请人： 武汉帝尔激光科技股份有限公司

发明人： 李志刚 ,  陆红艳 ,  蒋一鸣 ,  张强 ,  梁乔春 ,  朱凡

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0288

摘要： 本发明提供了一种激光掺杂方法及TOPCon太阳能电池，激光掺杂方法包括控制激光参数，利用激光对所述硅衬底表面的预设区域进行选择性激光掺杂。通过调节激光参数对温度场进行控制，在不破坏硅衬底表面微结构的前提下进行硼扩散，既可对杂质扩散曲线进行控制，又可通过改变激光参数提升产率，同时满足工艺性能和产率的需求。

公开(公告)号：CN118867054A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410951758.7

申请日：2024-07-16

申请人： 帝尔激光科技(无锡)有限公司

发明人： 陆红艳 ,  张强 ,  闫兴灿 ,  王胜辉 ,  朱凡

IPC分类号： H01L31/18

摘要： 提供太阳能电池片的制备方法，步骤包括太阳能电池片功能层制备、电极制备、光注入、整片太阳能电池片切割形成多片太阳能电池子片；对太阳能电池子片进行切面钝化；对太阳能电池子片进行激光诱导烧结。提供光伏组件的制备方法，包括对上述太阳能电池子片分选及光伏组件制备的步骤。本发明对太阳能电池子片进行切面钝化，修复了切割侧面的损伤。先进行侧边钝化，再进行激光诱导烧结，没有高温损失的风险。对进行诱导烧结后的太阳能电池片进行分选后，再进行组件制备，分选后每个档位的太阳能电池片饱和电流和开路电压等电性能参数集中度高，避免了现有技术中利用电性能参数离散度大的电池片导致的组件明暗片现象。

公开(公告)号：CN118380508A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410582183.6

申请日：2024-05-11

申请人： 帝尔激光科技(无锡)有限公司

发明人： 陆红艳 ,  张强 ,  朱凡

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明提出一种太阳能电池及其制备方法，对背面钝化接触结构采用激光对硅片背面非金属化区域的位置进行改性处理，在非金属化区域将磷掺多晶硅层表面的磷硅玻璃层改性为疏松的结构，并采用碱洗去除背面激光照射的非金属化区域残留的磷掺杂多晶硅层和背面隧穿氧化层，并回刻至衬底，而保留金属区域的钝化接触结构；而后采用热氧化法制备背面氧化硅层或沉积氧化铝层，以及在硅片正面和背面制备薄膜层及电极，形成所述太阳能电池。

公开(公告)号：CN118299469A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410580583.3

申请日：2024-05-11

申请人： 帝尔激光科技(无锡)有限公司

发明人： 陆红艳 ,  罗西佳 ,  张强 ,  朱凡

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0288

摘要： 提供一种基于激光诱导烧结技术的N型TOPCon电池的制备方法及太阳能电池结构，步骤包括在N型硅片正面制备掩膜层；采用激光将金属接触区对应的掩膜层去除；对硅片正面进行硼扩散掺杂，无掩膜区域形成重掺杂区，表面浓度不小于7×10E+18cm‑3；制备背面钝化接触结构；制备正背面减反层；制备电极；激光诱导烧结。本发明的N型TOPCon电池的制备方法无需激光掺杂仅需激光开膜，激光能量更低，表面损伤更小，减少表面复合。通过氧化掩膜的引入实现了真正重掺接触区域与轻掺钝化区域独立调节，制备选择性发射极得到理想PN结型，匹配LIF方案有更低的金属复合和接触电阻率，既可以提升开路电压，也能够平衡浅扩区因为高方阻带来的FF损失。

公开(公告)号：CN116741871A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202211340420.5

申请日：2022-10-28

申请人： 帝尔激光科技(无锡)有限公司

发明人： 陆红艳 ,  李志刚 ,  朱凡 ,  张强

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L21/268

摘要： 本申请提供一种扩硼SE结构的N型TOPCon电池制作方法，采用硼扩散轻掺杂在硅片正面形成轻掺高方阻区，酸洗去除硅片背面氧化层，硅片背面碱抛光，背面生长隧穿氧化层，沉积掺杂磷多晶硅或者本征多晶硅层，对硅片正面进行图形化的选择性的激光掺杂形成重掺接触区，而后进行高温晶化退火工艺或者高温磷扩散工艺，在高温过程中激光掺杂导致的晶格缺陷得到修复，之后经过湿法清洗去除绕镀多晶硅和正背面氧化层，完成硅片正反面的钝化层和减反层工艺，印刷金属浆料烧结形成SE结构的N型TOPCon电池。

公开(公告)号：CN217485456U

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202220553790.6

申请日：2022-03-14

申请人： 帝尔激光科技(无锡)有限公司

发明人： 张强 ,  陆红艳 ,  朱凡 ,  沈家军 ,  李刘军 ,  朱宝胜

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/05 ,  H01L31/0216

摘要： 本申请公开了一种降低晶硅太阳能电池接触电阻的设备，该设备包括：多根并行设置的导电丝，每根导电丝沿电池的第一方向延伸，其长度不小于电池主栅线的长度，第一方向为主栅线的延伸方向；一条形激光光斑，条形激光光斑沿电池的第二方向进行延伸，第二方向为副栅线的延伸方向；电源的第一端与各导电丝电连接，第二端与电池的背面电极电连接；工作时，每根导电丝对应压接在一条所述主栅线上，电源施加的反向电压通过导电丝均匀分布在电池表面；条形激光光斑沿第一方向移动，对电池表面的电极进行扫描式辐射；本发明能够有效防止电池被击穿，且只需激光单向扫描一次即可完成大尺寸电池的处理，处理效率高。