公开(公告)号：CN117375565B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311528165.1

申请日：2023-11-14

申请人： 武汉敏声新技术有限公司

发明人： 邹杨 ,  谢英 ,  蔡耀 ,  丁志鹏 ,  刘炎 ,  丁嘉祺 ,  孙博文 ,  孙成亮

IPC分类号： H03H9/02 ,  H03H3/02 ,  H10N30/082

摘要： 本发明公开了一种声波滤波器及其制备方法，该声波滤波器包括：SOI衬底；SOI衬底的一侧设置有多个空腔；空腔包括至少一个第一空腔和至少一个第二空腔；位于SOI衬底一侧的堆叠结构；堆叠结构包括至少一个与第一空腔一一对应的第一堆叠结构，以及至少一个与第二空腔一一对应的第二堆叠结构；第一堆叠结构在SOI衬底上的正投影位于第一空腔所在区域内；堆叠结构包括种子层；第一堆叠结构中的种子层的厚度小于第二堆叠结构中的种子层的厚度；其中，第一空腔与第一堆叠结构构成第一谐振器；第二空腔与第二堆叠结构构成第二谐振器。本发明的技术方案，能够在声波滤波器的左侧或者右侧产生第二传输零点，从而改善声波滤波器两侧近带的带外抑制。

公开(公告)号：CN118646391A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410866951.0

申请日：2024-06-28

申请人： 武汉敏声新技术有限公司

发明人： 谷曦宇 ,  陈祥 ,  詹道栋 ,  丁嘉祺 ,  曾敏

IPC分类号： H03H9/17 ,  H03H9/13 ,  H03H9/54 ,  H03H9/02 ,  H03H3/02

摘要： 本申请公开了一种体声波谐振器及其制备方法、滤波器，涉及半导体器件技术领域，本申请的体声波谐振器,包括衬底以及依次设置于衬底上的底电极、压电层、顶电极、支撑层和封装层，底电极与衬底之间形成第一空腔，顶电极与支撑层之间形成第二空腔，第一空腔、底电极、压电层以及顶电极沿层级方向重叠的区域为有效谐振区，支撑层和封装层在衬底上的投影覆盖有效谐振区在衬底上的投影。本申请提供的体声波谐振器及其制备方法，能够保护有效谐振区，避免外界环境对体声波谐振器的影响。

公开(公告)号：CN117375565A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311528165.1

申请日：2023-11-14

申请人： 武汉敏声新技术有限公司

发明人： 邹杨 ,  谢英 ,  蔡耀 ,  丁志鹏 ,  刘炎 ,  丁嘉祺 ,  孙博文 ,  孙成亮

IPC分类号： H03H9/02 ,  H03H3/02 ,  H10N30/082

摘要： 本发明公开了一种声波滤波器及其制备方法，该声波滤波器包括：SOI衬底；SOI衬底的一侧设置有多个空腔；空腔包括至少一个第一空腔和至少一个第二空腔；位于SOI衬底一侧的堆叠结构；堆叠结构包括至少一个与第一空腔一一对应的第一堆叠结构，以及至少一个与第二空腔一一对应的第二堆叠结构；第一堆叠结构在SOI衬底上的正投影位于第一空腔所在区域内；堆叠结构包括种子层；第一堆叠结构中的种子层的厚度小于第二堆叠结构中的种子层的厚度；其中，第一空腔与第一堆叠结构构成第一谐振器；第二空腔与第二堆叠结构构成第二谐振器。本发明的技术方案，能够在声波滤波器的左侧或者右侧产生第二传输零点，从而改善声波滤波器两侧近带的带外抑制。