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公开(公告)号：CN109734445A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910166428.6
申请日：2019-03-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/486 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供一种超细晶二氧化铪陶瓷的电场辅助快速烧结方法，其特征在于，包括如下步骤：1)称取HfO2粉体，压制成坯体；2)提供电场辅助烧结装置；3)把样品放入电场辅助烧结设备的上电极和下电极之间，利用至少两个辐射加热发热体使样品温度升至800-1300℃后，开始进入保温阶段；4)进入保温阶段的同时将样品两端的电压分多次升高，然后关闭样品两端电压和辐射加热设备，使样品自然冷却至室温，即得到所述超细晶二氧化铪陶瓷。本发明应用直流电场辅助烧结技术，对二氧化铪陶瓷进行快速制备，并通过调控阈值温度、场强、电流等工艺条件获得致密度高、晶粒大小均匀的二氧化铪陶瓷材料。
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