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公开(公告)号：CN118405908A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410269651.4
申请日：2024-03-11
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： C04B35/10 , C04B35/48 , C04B35/563 , C04B35/565 , C04B35/58 , C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/64
摘要： 本发明涉及一种高温陶瓷及其批量热压制备方法。首先将陶瓷原料粉末混合均匀，然后将其加入到模具中快速加热、加压，待达到预烧结温度后停止加热、加压完成预烧结，得到一定致密度的陶瓷坯体，接着将预烧结的陶瓷坯体批量码放在无压烧结炉中，再进行一次保温无压的终烧结，由此得到一系列致密且性能优异的高温陶瓷。本发明利用不同烧结工艺在不同烧结过程中的效率特性，通过工艺过程的分步集成极大的降低了陶瓷的烧结成本、提高了生产效率，更重要的是制得的高温陶瓷样品各项性能与传统热压陶瓷产品相当。
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公开(公告)号：CN111204806B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010031043.1
申请日：2020-01-13
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： C01G37/02
摘要： 本发明公开一种铝掺杂Cr2O3高红外反射材料及其制备方法，该铝掺杂Cr2O3高红外反射材料的制备方法，包括以下步骤：将铬盐和铝盐依次分散到水中，进行搅拌，得到溶液A；将柠檬酸和乙二醇依次分散到水中，进行搅拌反应，得到溶液B；将溶液B滴加至溶液A中，经保温搅拌、升温搅拌和保温静置后，得到湿凝胶；将上述湿凝胶经烘干、研磨和煅烧过程后，得到铝掺杂Cr2O3高红外反射材料。本发明通过溶胶凝胶法得到的混合物不会在后续静置过程中因各自物料沉淀速率不同而导致物料分层影响混合均匀性；同时，煅烧过程中所需的温度较低；本发明得到的铝掺杂Cr2O3高红外反射材料呈现出绿色，且具有较高的红外反射率。
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公开(公告)号：CN109761620A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910163436.5
申请日：2019-03-05
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明公开了一种双加热模式放电等离子烧结制备致密氮化硅的方法，包括如下步骤：1)按预定比例称取α-Si3N4、CeO2、Y2O3粉末，进行球磨混合；2)将球磨后的混合粉料进行干燥，并过筛；3)将筛选好的粉料进行预压；4)在真空或氩气保护气氛下，采用电流加热和辐射加热结合的放电等离子烧结，烧结温度为1600-1700℃，保温0-5min，即得到所述致密氮化硅。本发明工艺简单，烧结时间短，可大幅降低烧结温度，并且增加辐射发热体，并安装了保温层，通过调节辅加热功率和主加热功率匹配参数，提高了模具内部温度场的均匀性，从而为烧结均匀致密的大尺寸氮化硅陶瓷提供了有效的保障。
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公开(公告)号：CN108529689A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810241101.6
申请日：2018-03-22
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： C01G53/04
CPC分类号： C01G53/04 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04
摘要： 本发明涉及一种(CoCrCuNiAl)O熵稳定氧化物及其制备方法，所述(CoCrCuNiAl)O熵稳定氧化物由Co、Cr、Cu、Ni、Al和O元素组成；所述(CoCrCuNiAl)O熵稳定氧化物为单一尖晶石晶型，其空间群为Fd-3m。本发明提供了一种新型的熵稳定氧化物材料，即(CoCrCuNiAl)O熵稳定氧化物，并且本发明提供的(CoCrCuNiAl)O熵稳定氧化物采用低温液相法在相对较低温的条件下制备得到，煅烧温度为300±50℃，制备过程能耗低。
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公开(公告)号：CN108380892A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810290496.9
申请日：2018-04-03
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明涉及一种陶瓷/高熵合金叠层材料及其制备方法。该叠层材料包括陶瓷面板和与陶瓷面板叠放的高熵合金层，陶瓷面板和高熵合金层叠放的区域具有陶瓷金属界面层，陶瓷面板材料为氧化物、硼化物、氮化物、碳化物或硅化物中的一种单相陶瓷材料或者两种以上组合的复相陶瓷材料，高熵合金层由Co、Cr、Fe、Ni、Al、Mn、Mo、Ti、Cu、Zn、Si、Sn、W、Ga或Sr中的四种或四种以上元素形成。本发明制备的陶瓷/高熵合金叠层材料与传统的粘接方法制备的叠层结构材料相比，在相同的面密度下，抗高能冲击性能和抗二次冲击能力均大大提高。
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公开(公告)号：CN105541345A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201511008996.1
申请日：2015-12-29
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： C04B35/626 , C04B35/56
CPC分类号： C04B35/626 , C04B35/5622 , C04B2235/666
摘要： 本发明属于特种陶瓷粉末制备领域，具体涉及一种超细碳化铪陶瓷粉体的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：(1)采用液相先驱体转化法制备碳化铪前驱体粉体；(2)将碳化铪前驱体进行热解处理，得到碳化铪前驱体热解产物；(3)将碳化铪前驱体热解产物置于PAS中进行热处理，得到碳化铪粉体。本发明提供了一种在低温下合成超细碳化铪陶瓷粉体的制备方法，其中，前驱体粉体通过液相先驱体转化法制得；本发明制备方法工艺简单，重复性强，制备出的碳化铪粉体纯度高、粒径小、分散性好，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104710168A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510130956.8
申请日：2015-03-24
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： C04B35/44 , C04B35/622
摘要： 本发明属于陶瓷材料的制备技术领域，具体涉及一种镝掺杂六方铝酸钇陶瓷粉体及其制备方法。所述镝掺杂六方铝酸钇陶瓷粉体通过如下方法制备得到：(1)将五水硝酸镝、六水硝酸钇、九水硝酸铝和一水合柠檬酸混合，溶于去离子水中，加入氨水调节pH为1～2，充分搅拌后，蒸发水分、干燥后得到干凝胶；干凝胶经热处理、球磨干燥后得到前驱体粉；(2)将前驱体粉放入到石墨反应器中，置于放电等离子烧结设备中进行烧结，烧结结束后粉体冷却至室温，再经研磨得到镝掺杂六方铝酸钇陶瓷粉体。本发明制备得到粒径均匀细小、结晶相为单相YAH的Dy:YAH粉体，该Dy:YAH粉体具有良好的烧结活性，可以应用于低温制备细晶的Dy:YAG粉体或Dy:YAG陶瓷。
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公开(公告)号：CN104593627A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510035043.8
申请日：2015-01-23
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明公开了一种陶瓷颗粒增强金属基复合材料及其制备方法，首先将陶瓷增强颗粒与基体粉末按照一定体积比配料，进行球磨混合均匀后，采用放电等离子烧结工艺进行烧结，在烧结过程中通过改变烧结温度、烧结压力及保温时间等参数来制备出致密且大尺寸的金属基复合材料。该方法所制备的复合材料中，陶瓷增强颗粒能够均匀的分布在金属基体中，大大改善了材料的综合性能，并降低了材料的体密度，使得高温合金材料在高温高速活动部件和航空、航天飞行器上的应用研究有所突破。
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公开(公告)号：CN104437554A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410734668.9
申请日：2014-12-05
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： B01J27/047 , B01J23/22 , A62D3/17 , A62D101/26 , A62D101/28
摘要： 本发明涉及片状WS2负载BiVO4可见光催化材料及其制备方法。它由片状WS2表面上原位生长单斜白钨矿型的BiVO4而成。制备方法：将WS2加水超声得到含有片状WS2的悬浊液；将硝酸铋溶解于酸性溶液中或将Bi2O3溶解于硝酸中生成硝酸铋，得到前驱体溶液A；将偏钒酸盐加入含有片状WS2的悬浊液中，加热搅拌使其充分溶解后得到前驱体溶液B；将前驱体溶液B滴加到前驱体溶液A中，充分搅拌反应；将步骤3所述混合溶液倒入水热反应釜中进行水热反应，随炉冷却，得到沉淀物；将沉淀物进行抽滤，真空干燥。本发明的片状WS2负载BiVO4可见光催化材料作可见光催化剂与纯BiVO4相比，可见光催化性能明显提高。
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公开(公告)号：CN104250020A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410495360.3
申请日：2014-09-24
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明涉及一种球霰石型碳酸钙微纳米分级结构及其无添加剂制备方法，所述球霰石型碳酸钙微纳米分级结构为介孔纳米片组装而成的微米颗粒，所述介孔纳米片由球霰石型碳酸钙纳米粒子组装而成，纳米粒子粒径为30～40nm，介孔纳米片厚度为30～40nm，介孔纳米片中纳米粒子间孔径为30～40nm，介孔纳米片组装而成的微米颗粒粒径为3.5～5μm。本发明的制备体系中不添加额外的有机或无机模板剂，具有工艺简单，成本低廉且重复性好的优势，并且制备的碳酸钙材料形貌均一、纯度高、比表面积大且孔隙率高。
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