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公开(公告)号：CN114171677B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202111327435.3
申请日：2021-11-10
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供实现多值存储的介质层、阻变存储器及其制备方法与应用，将CuSbS2用作RRAM的介质材料，其可以呈现双极性、非易失性阻变特征，具有较低的开关电压和高阻变开关比；同时利用Sb原子的孤对电子与S 3p形成反键轨道的较高能级再次与Sb 5p进行轨道杂化，形成了新的电荷俘获态，使介质层及阻变存储器呈现出多值存储的性能，获得了具有不同于现有技术的新型多值存储机制的介质层和阻变存储器，并获得了CuSbS2在存储器领域的全新的应用。阻变存储器的特征在于：介质层采用CuSbS2材料。制备方法的特征在于：采用CuSbS2材料形成介质层。介质层的特征在于：采用CuSbS2材料。
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公开(公告)号：CN115447222A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210636410.X
申请日：2022-06-07
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种致密PVDF基复合膜的制备方法，试验装置包括玻璃基底、附着于所述玻璃基底上表面且能够与PVDF基复合膜形成刚性结构的化学锚边层，所述化学锚边层中部具有供浇筑铸膜液的镂空区域；所述制备方法包括以下步骤：S1、将填料按照设计比例投入到用于溶解PVDF的溶剂中，分散均匀；S2、将PVDF粉末按照设计比例投入分散液中，加热溶解；S3、向化学锚边层的镂空区域内倒入PVDF铸膜液，加热固化成膜；S4、沿化学锚边层的镂空区域边界进行切割，即可得到致密的PVDF基复合膜。本发明解决了在PVDF基复合膜制备过程中存在的大内聚力造成的膜难以平整的问题。
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公开(公告)号：CN112615151B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011497894.1
申请日：2020-12-17
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01Q1/38
Abstract: 本发明提供了一种基于压电‑压磁复合材料的低频机械天线及其制作方法，第一压磁层和第二压磁层与压电层通过化学粘接的方式紧密结合在一起，所述压电层上覆盖有至少两个叉指电极，当所述叉指电极被施加信号电压时，所述压电层产生逆压电效应，将电压信号转换为所述压电层的形变参量。两压磁层与压电层紧密结合在一起，受到中间压电层的机械形变作用，两压磁层也同时产生机械形变响应，在压磁效应特性的作用下，这种机械形变响应在两个压磁层中转变成了磁偶极子的振荡，形成磁场变化，对外辐射低频电磁场，将磁场变化信号传导到信号接收端，从而实现了高发射功率与效率的低频通信，实现了低频通讯器材的小型化。
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公开(公告)号：CN112615151A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011497894.1
申请日：2020-12-17
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01Q1/38
Abstract: 本发明提供了一种基于压电‑压磁复合材料的低频机械天线及其制作方法，第一压磁层和第二压磁层与压电层通过化学粘接的方式紧密结合在一起，所述压电层上覆盖有至少两个叉指电极，当所述叉指电极被施加信号电压时，所述压电层产生逆压电效应，将电压信号转换为所述压电层的形变参量。两压磁层与压电层紧密结合在一起，受到中间压电层的机械形变作用，两压磁层也同时产生机械形变响应，在压磁效应特性的作用下，这种机械形变响应在两个压磁层中转变成了磁偶极子的振荡，形成磁场变化，对外辐射低频电磁场，将磁场变化信号传导到信号接收端，从而实现了高发射功率与效率的低频通信，实现了低频通讯器材的小型化。
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公开(公告)号：CN109461810B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201811353045.1
申请日：2018-11-14
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L41/113 , H01L41/04 , H01L41/22
Abstract: 本发明公开了一种超快电子传输压电俘能器及其制备方法，包括量子点电荷传输压电俘能板和固定装置，量子点电荷传输压电俘能板与固定装置连接，量子点电荷传输压电俘能板包括基板、压电元件层和N型量子点电荷传输层，压电元件层和N型量子点电荷传输层依次铺设于基板上。实现将压电元件层产生的交流电能直接整流转化为直流电能并能超快速传出，无需再加装外部能量采集电路，极大降低了电能的损耗，便于器件的集成化与小型化，提高了压电俘能器件的能量采集转化效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114171677A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111327435.3
申请日：2021-11-10
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供实现多值存储的介质层、阻变存储器及其制备方法与应用，将CuSbS2用作RRAM的介质材料，其可以呈现双极性、非易失性阻变特征，具有较低的开关电压和高阻变开关比；同时利用Sb原子的孤对电子与S 3p形成反键轨道的较高能级再次与Sb 5p进行轨道杂化，形成了新的电荷俘获态，使介质层及阻变存储器呈现出多值存储的性能，获得了具有不同于现有技术的新型多值存储机制的介质层和阻变存储器，并获得了CuSbS2在存储器领域的全新的应用。阻变存储器的特征在于：介质层采用CuSbS2材料。制备方法的特征在于：采用CuSbS2材料形成介质层。介质层的特征在于：采用CuSbS2材料。
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公开(公告)号：CN112510147B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011409082.7
申请日：2020-12-04
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种全无机量子点基阻变存储器及制备方法，涉及半导体领域，包括自下而上依次设置的基板、底电极、阻变层和顶电极，其中，所述底电极与阻变层之间还设置有缓冲层。本发明通过增加铁电材料缓冲层，使阻变存储器的工作电压降低至0.3V以下，存储窗口提高到107量级以上；器件在持续工作1.4×106s后阻变性能退化小于0.01％，并且在104次快速读取测试中显示出良好的耐久性。所述设计大大提升了量子点阻变存储器的阻变性能，加速了量子点基阻变存储器的商业化进程。
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公开(公告)号：CN112695275B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202011504076.X
申请日：2020-12-17
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种大面积石墨烯基柔性基底及其制备方法。所述大面积石墨烯基柔性基底包括自下而上依次设置的大片石墨烯层、缓冲层、上插层。所述缓冲层的材质为金属银，上插层材质为金属钛。所述石墨烯柔性基底还可进一步包括上电极层，所述上电极设置于上插层表面。本发明通过增加缓冲层与上插层，使上电极与石墨烯紧密连接在一起。所述设计解决了石墨烯表面难以与其他材料结合的问题。基底表面原子级平整度为其进一步的功能化提供了技术支持。所述大面积石墨烯基柔性基底在智能皮肤、柔性可穿戴器件和柔性电子器件等领域有着巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN112510147A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011409082.7
申请日：2020-12-04
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种全无机量子点基阻变存储器及制备方法，涉及半导体领域，包括自下而上依次设置的基板、底电极、阻变层和顶电极，其中，所述底电极与阻变层之间还设置有缓冲层。本发明通过增加铁电材料缓冲层，使阻变存储器的工作电压降低至0.3V以下，存储窗口提高到107量级以上；器件在持续工作1.4×106s后阻变性能退化小于0.01％，并且在104次快速读取测试中显示出良好的耐久性。所述设计大大提升了量子点阻变存储器的阻变性能，加速了量子点基阻变存储器的商业化进程。
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公开(公告)号：CN109461810A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811353045.1
申请日：2018-11-14
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L41/113 , H01L41/04 , H01L41/22
Abstract: 本发明公开了一种超快电子传输压电俘能器及其制备方法，包括量子点电荷传输压电俘能板和固定装置，量子点电荷传输压电俘能板与固定装置连接，量子点电荷传输压电俘能板包括基板、压电元件层和N型量子点电荷传输层，压电元件层和N型量子点电荷传输层依次铺设于基板上。实现将压电元件层产生的交流电能直接整流转化为直流电能并能超快速传出，无需再加装外部能量采集电路，极大降低了电能的损耗，便于器件的集成化与小型化，提高了压电俘能器件的能量采集转化效率。
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