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公开(公告)号：CN113353897B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202010142608.3
申请日：2020-03-04
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种超塑性的Ag2Se纳米超细晶热电材料的制备方法，将Ag、Se粉末原料混和研磨，再和球磨体按一定球料比称量进行湿法球磨，球磨30min即可获得晶粒尺寸在50nm左右的纳米超细晶热电材料。本发明所制备的Ag2Se纳米超细晶热电材料塑性性能优越，室温压缩率超过30％，变形温度为60℃的压缩超塑性性能不低于80％。
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公开(公告)号：CN109384202B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201811452121.4
申请日：2018-11-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01B19/04
Abstract: 本发明首次开发了一种制备具有室温柔性的Ag2Q(Q＝Se,Te)基无机电子材料的方法，它以Ag粉和Se或Te粉为原料，室温下短时间内摇匀即可放量合成Ag2Q(Q＝Se,Te)单相化合物。本发明首次提出采用简单的摇匀手段实现单相Ag2Q化合物的制备，且所得化合物粉体具有良好的塑性，可以在室温下进行简单冷压得到高致密度的任意形状块材；所得块材在室温下还具有良好的柔性，大的磁电阻及优异的热电性能，可为高性能柔性无机电子材料的制备提供一条全新思路。本发明涉及的制备工艺超简单、制备时间超短，可为具有室温柔性的Ag2Q无机电子材料的放量制备和大规模应用奠定良好的基础。
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公开(公告)号：CN109250692B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201811454192.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01B19/04
Abstract: 本发明首次开发了一种自催化低温快速合成Cu2Se基热电材料的方法，它以Cu粉和Se粉为原料，利用过量Cu的自催化作用，使按化学计量比Cu2(1+x)Se(x＞0)混合后的粉体在130℃以上低温进行短时间处理即可得到Cu2Se基单相化合物；且所得化合物粉体在室温下进行简单冷压可得到高致密度块材，并表现出优异的热电性能。本发明涉及的原料价格低廉，工艺超简单、制备时间超短，可为Cu2Se热电材料的制备和大规模应用奠定良好的基础。
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公开(公告)号：CN109205576B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201811452079.6
申请日：2018-11-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01B19/00
Abstract: 本发明首次开发了一种铜基硫族化合物固溶体(Cu2(1+x)Q1‑ySy，Q＝Se,Te)的室温超快速制备方法，它以Cu粉、Q粉和S粉为原料，在室温、真空条件下进行摇匀反应而成。本发明在室温下即可实现Cu2(1+x)Q1‑ySy固溶体的快速制备，反应条件极其温和，可有效避免高温条件下S、Se及Te的挥发问题，易于精确控制产物组成；且涉及的原料价格低廉，工艺超简单、制备时间超短，可为铜基硫族化合物固溶体的制备和大规模应用奠定良好的基础。
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公开(公告)号：CN109585638B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201811452552.0
申请日：2018-11-30
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明首次开发了一种具有室温柔性的无机热电器件，它包括上基板、下基板、电极、防扩散层和具有室温柔性的热电块体材料，且上基板、下基板、电极、防扩散层均为柔性无机材料。本发明首次提出采用具有室温柔性的无机热电块体材料应用于制备热电器件，可有效兼顾热电器件的热电性能和柔性特性，且涉及的热电材料制备方法简单，并可有效实现p/n热电材料构建，有望进一步改善所得热电器件的使用性能，具有重要的研究和推广意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109384201A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811452123.3
申请日：2018-11-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01B19/00
Abstract: 本发明首次开发了一种具有室温柔性的p型Ag5-xTe3热电材料及其制备方法，它以Ag粉和Te粉为原料，室温下短时间内摇匀即可放量合成Ag5-xTe3单相化合物。本发明首次提出采用简单的摇匀手段实现单相Ag5-xTe3化合物的制备，且所得化合物粉体具有良好的塑性，可以在室温下进行简单冷压得到高致密度的任意形状块材。本发明涉及的制备工艺超简单、制备时间超短，可为具有室温柔性的p型Ag5-xTe3热电材料的放量制备和大规模应用奠定良好的基础。
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公开(公告)号：CN109336164A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811452628.X
申请日：2018-11-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01G3/12
CPC classification number: C01G3/12 , C01P2002/72
Abstract: 本发明首次开发了一种低压诱导室温快速合成Cu2S基热电材料的方法，它以Cu粉和S粉为原料，在室温、真空条件下进行简单摇匀反应，即在短时间内合成Cu2S化合物。本发明在室温下即可实现Cu2S基材料的快速制备，涉及的反应条件极其温和，可有效避免高温条件下的S挥发问题，易于精确控制产物组成，尤其在Cu微量缺失的条件下，可快速得到Cu2S单相化合物。本发明涉及的原料价格低廉，工艺超简单、制备时间超短，可为Cu2S材料的制备和大规模应用奠定良好的基础。
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公开(公告)号：CN109205576A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811452079.6
申请日：2018-11-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01B19/00
Abstract: 本发明首次开发了一种铜基硫族化合物固溶体(Cu2(1+x)Q1-ySy，Q＝Se,Te)的室温超快速制备方法，它以Cu粉、Q粉和S粉为原料，在室温、真空条件下进行摇匀反应而成。本发明在室温下即可实现Cu2(1+x)Q1-ySy固溶体的快速制备，反应条件极其温和，可有效避免高温条件下S、Se及Te的挥发问题，易于精确控制产物组成；且涉及的原料价格低廉，工艺超简单、制备时间超短，可为铜基硫族化合物固溶体的制备和大规模应用奠定良好的基础。
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公开(公告)号：CN109402434B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201811257110.0
申请日：2018-10-26
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明首次开发了一种ZnSb化合物的超快速固相合成方法，它以Zn粉、Sb粉为主要原料，首先将原料混合均匀后压实，然后对混合原料直接通入直流电，在电流作用下，短时间内即可制备得到ZnSb单相化合物。本发明涉及的工艺超简单、制备时间超短，且反应条件温和，易于精确控制成分，可为ZnSb化合物的规模化制备和大规模应用奠定良好的基础。
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公开(公告)号：CN109250692A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811454192.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01B19/04
Abstract: 本发明首次开发了一种自催化低温快速合成Cu2Se基热电材料的方法，它以Cu粉和Se粉为原料，利用过量Cu的自催化作用，使按化学计量比Cu2(1+x)Se(x＞0)混合后的粉体在130℃以上低温进行短时间处理即可得到Cu2Se基单相化合物；且所得化合物粉体在室温下进行简单冷压可得到高致密度块材，并表现出优异的热电性能。本发明涉及的原料价格低廉，工艺超简单、制备时间超短，可为Cu2Se热电材料的制备和大规模应用奠定良好的基础。
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