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公开(公告)号：CN114753004A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210377926.7
申请日：2022-04-12
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低成本制备高性能Weyl半金属NbPx多晶块体的方法。该方法包括以下步骤：以单质Nb粉和单质P粉为原料，按化学计量比混合均匀，得到反应物；将反应物进行两步固相反应，反应完全后冷却，得到中间产物；将中间产物研磨成细粉，随后进行等离子活化烧结，得到高性能Weyl半金属NbPx多晶块体。本发明首次采用两步固相反应结合等离子活化烧结技术成功制备了高性能的Weyl半金属NbPx多晶块体，具有能耗低、工艺简单，对设备要求低，重复性好、适合规模化生产等优点；本发明不仅制备过程简单，还能减少P的升华，实现对本征组分的调控，从而获得了具有优异磁阻和横向能斯特功率因子的NbPx多晶块体。
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公开(公告)号：CN109402434B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201811257110.0
申请日：2018-10-26
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明首次开发了一种ZnSb化合物的超快速固相合成方法，它以Zn粉、Sb粉为主要原料，首先将原料混合均匀后压实，然后对混合原料直接通入直流电，在电流作用下，短时间内即可制备得到ZnSb单相化合物。本发明涉及的工艺超简单、制备时间超短，且反应条件温和，易于精确控制成分，可为ZnSb化合物的规模化制备和大规模应用奠定良好的基础。
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公开(公告)号：CN109250692A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811454192.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01B19/04
Abstract: 本发明首次开发了一种自催化低温快速合成Cu2Se基热电材料的方法，它以Cu粉和Se粉为原料，利用过量Cu的自催化作用，使按化学计量比Cu2(1+x)Se(x＞0)混合后的粉体在130℃以上低温进行短时间处理即可得到Cu2Se基单相化合物；且所得化合物粉体在室温下进行简单冷压可得到高致密度块材，并表现出优异的热电性能。本发明涉及的原料价格低廉，工艺超简单、制备时间超短，可为Cu2Se热电材料的制备和大规模应用奠定良好的基础。
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公开(公告)号：CN102220537B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201110139601.7
申请日：2011-05-27
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C22C29/18 , C22C1/05 , C04B35/58 , C04B35/645 , C04B35/65
Abstract: 本发明属于新能源材料技术领域，具体涉及一种高锰硅热电材料的快速制备方法。一种放电等离子体合成和烧结一步快速制备高锰硅热电材料的方法，其特征在于它包括如下步骤：1)以Si粉和Mn粉为原料，按Si粉与Mn粉的摩尔比为1.80∶1，称取Si粉和Mn粉；2)将步骤1)中称取的原料置于球磨罐中球磨30min，得到混合均匀的粉体；3)将步骤2)所得的粉体进行放电等离子体合成和烧结，得到致密的高锰硅热电材料。该方法工艺简单、制备周期短、成本低廉。
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公开(公告)号：CN102220537A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110139601.7
申请日：2011-05-27
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C22C29/18 , C22C1/05 , C04B35/58 , C04B35/645 , C04B35/65
Abstract: 本发明属于新能源材料技术领域，具体涉及一种高锰硅热电材料的快速制备方法。一种放电等离子体合成和烧结一步快速制备高锰硅热电材料的方法，其特征在于它包括如下步骤：1)以Si粉和Mn粉为原料，按Si粉与Mn粉的摩尔比为1.80∶1，称取Si粉和Mn粉；2)将步骤1)中称取的原料置于球磨罐中球磨30min，得到混合均匀的粉体；3)将步骤2)所得的粉体进行放电等离子体合成和烧结，得到致密的高锰硅热电材料。该方法工艺简单、制备周期短、成本低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101327916A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810048442.8
申请日：2008-07-17
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01B19/04
Abstract: 本发明涉及一种Bi2Te3热电化合物纳米粉体的制备方法。Bi2Te3热电化合物纳米粉体的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)将Te∶NaBH4按摩尔比1∶2.0～2.1选取后混合，并加入去离子水，得到NaHTe溶液，为A溶液；2)配制浓度为0.05～0.5mol/L的Bi(NO3)3·5H2O水溶液，调节pH值为9～12，为B溶液；3)将B溶液在Ar气气氛下脱气3～10min后，加入A溶液；在Ar气气氛下加热到70～90℃，搅拌反应3～5h；4)将步骤3)得到的产物经去离子水常温下超声、洗涤离心3～5次，真空冷冻干燥，得到Bi2Te3热电化合物纳米粉体。该方法反应周期短、工艺简单易控、可适用于大规模制备，该方法制备的Bi2Te3热电化合物纳米粉体粒径细小、均匀、纯度高。
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公开(公告)号：CN113649035B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202010349462.X
申请日：2020-04-28
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B01J27/19 , C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种磷化钼基多晶块体及其制备方法与应用，所述方法包括：以单质为原料，按MoP1‑y或者Mo1‑xAxP1‑yBy，化学计量比进行称量和混合均匀得到反应物；其中A为Mo晶格位置的掺杂元素，包括Nb、Fe、Co、Ni元素中的一种或多种，B为P晶格位置的掺杂元素，包括S、Se、Te元素中的一种或多种，x和y为掺杂元素的含量，x＝0～0.06，y＝0～0.07；然后在真空条件或惰性条件下经固相反应得到多晶粉状产物，再经加压烧结即得。本发明从单质原料出发经固相反应和加压烧结两步直接制备，无副产物，设备和流程简单、环保、成本低，可直接用作电催化析氢和析氧的工作电极，无需后续处理。
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公开(公告)号：CN112310270B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201910693986.8
申请日：2019-07-30
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于热电器件的碲化铋基材料的快速表面处理方法，包括以下步骤：制备n型或p型Bi2Te3基热电棒材；将Bi2Te3基热电棒材进行切片；通过飞秒激光处理处理切片后的Bi2Te3基片材表面，飞秒激光功率1～10W，扫描速度1000～10000mm/s；将经过飞秒激光处理过后的片材直接电镀防扩散Ni层后，再电镀可焊性的Sn层。本发明提出的应用于热电器件的碲化铋基材料的快速表面处理方法，其处理时间短、环境友好、无污染、能耗低、工艺简单、可控性高、重复性好且适宜规模化处理。
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公开(公告)号：CN109319748B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201811452626.0
申请日：2018-11-30
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明首次开发了一种具有室温柔性的Cu2X块体热电材料的制备方法，它以Cu2X化合物粉体为原料(其中X＝Se或S)，依次进行冷压和扎制处理得到高致密度的Cu2X块体热电材料。本发明采用冷压致密化手段，可有效改善现有热加工成型工艺容易造成S及Se元素挥发从而影响产物组成和致密化效果等问题，涉及的制备工艺简单、反应条件温和，且所得Cu2X块体热电材料的致密化程度高，在室温条件下可表现出良好的柔性及优异的热电性能，在柔性电子领域等具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN110783448B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910693975.X
申请日：2019-07-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L35/34
Abstract: 本发明提供了一种基于飞秒激光技术制造微型热电器件的方法，具体步骤为：制备n型热电材料和p型热电材料；将n型热电材料和p型热电材料分别进行切片，在其表面制备防扩散层Ni层以及Sn层，然后切为一定尺寸的微型粒子，并剔除尺寸不合格的微型粒子后进行摆模；利用飞秒激光技术加工器件上下基板电路并点胶锡膏；将摆模完毕后的粒子与点胶锡膏后的下基板进行自动焊接，焊接完成后的粒子翻面进行上基板自动焊接，组装出微型热电器件。本发明采用飞秒激光技术进行微型器件的高精度快速制造，克服了传统器件生产工艺中原材料浪费严重、加工精度不足及自动化程度低等问题，具有成品率高、操作简单、环境友好等优势。
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