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公开(公告)号：CN116496853A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310501171.1
申请日：2023-04-28
Applicant: 武汉鼎泽新材料技术有限公司 , 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光后清洗组合物及半导体器件基板的清洗方法，包含至少一种碱类物质、至少一种胺类物质、至少一种金属络合剂类物质、以及至少一种金属腐蚀抑制剂类物质，其中该组合物适用于化学机械抛光之后从半导体晶片表面去除残留物和污染物；本发明涉及的化学机械抛光后清洗组合物具有相对温和的pH以及钝化如铜暴露材料的能力，且原料绿色易得，不包含有剧毒成分，针对铜CMP的后清洗，可高效的除去铜CMP后污染物，不产生缺陷和损伤，同样也会降低对低介电常数材料的破坏。
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公开(公告)号：CN118421414A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410523991.5
申请日：2024-04-29
Applicant: 武汉鼎泽新材料技术有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光后清洗组合物，包含：pH调节剂、季铵碱、润湿剂、有机氮氧螯合剂、有机溶剂；所述有机氮氧螯合剂选自由半胱氨酸和其它氨基酸脱水缩合得到的化合物或含酰胺键的共聚物中的至少一种；所述含酰胺键的共聚物选自下述式(1)或式(2)中的至少一种：#imgabs0#式(1)中，R1、R2和R3各自独立地为氢或碳数为1‑3的烷基；式(2)中，R4、R5和R6各自独立地为氢、含有或不含有杂原子的碳数为1‑20的烃基。本发明所提供的清洗组合物，主要用于铜的CMP过程后清洗，通过季铵碱与有机氮氧螯合剂的共同作用，与晶圆表面残留污染物络合，改善其水溶性，从而更易于被去除。
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公开(公告)号：CN110426399A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910720583.8
申请日：2019-08-06
Applicant: 武汉鼎泽新材料技术有限公司 , 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: G01N21/94
Abstract: 本发明公开了一种颗粒物清除效率的快速评价方法，对半导体制造中化学机械抛光处理后的晶圆表面颗粒物的清除效率进行评价，包括：切割处理晶片得到晶片样品，进行沾染实验，获得待清洗的晶样；进行形貌分析，获得清洗前三维形貌图像；用清洗液进行清洗实验，得到清洗后的晶样；获得清洗后三维形貌图像；将得到的清洗前/后三维形貌图像分别在垂直方向上截取高度H处的横截面，对应得到晶片表面清洗前/后颗粒污染物状况的图像，对图像进行分析处理，得到清洗前/后颗粒污染物数量或面积，计算清洗效率，其中高度H大于晶片样品表面的平均粗糙度且小于颗粒污染物平均粒径的一半。本发明的评价方法能实现快速、低成本的清除效率的评价。
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公开(公告)号：CN118831866A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410832554.1
申请日：2024-06-26
Applicant: 武汉鼎泽新材料技术有限公司 , 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种晶圆清洗刷，为多层圆柱体结构，包含旋转轴心，刷体以及清洁凸点，所述旋转轴心位于圆柱体中心处，所述刷体位于旋转轴心外周，且与旋转轴心固定或可拆卸连接，所述清洁凸点位于所述刷体外表面；所述刷体包含一层或多层树脂层，所述树脂层材料为三聚氰胺甲醛树脂，所述三聚氰胺甲醛树脂为多孔材料，所述三聚氰胺甲醛树脂孔径介于50μm～250μm之间，所述三聚氰胺甲醛树脂的密度介于0.05g/cm3～0.2g/cm3之间，所述清洁凸点与刷体的材料相同或不同；该晶圆清洗刷可解决聚乙烯醇材质在预清洗阶段难以完全洗净的问题，且不易掉落颗粒物，适用于各种酸碱性的化学机械抛光后清洗液，该晶圆清洗刷在强酸或强碱的环境中也表现出了良好的稳定性，使用过程中表现出良好的清洗效能，且甲醛释放量极低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118480413A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410529306.X
申请日：2024-04-29
Applicant: 武汉鼎泽新材料技术有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: C11D1/83 , C11D1/78 , C11D1/34 , C11D3/20 , C11D3/36 , C11D3/34 , C11D3/26 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D3/60 , H01L21/306 , H01L21/302 , B08B3/08
Abstract: 本发明公开了一种化学机械抛光后清洗组合物，包含：碱性pH调节剂，螯合剂，羟胺化合物，磷酸类化合物，腐蚀抑制剂，余量为水；所述磷酸类化合物为式(A)和式(B)所示化合物中的一种或两种与式(C)和式(D)所示化合物中的一种或两种的组合；所述清洗组合物的pH为9～12。本发明加入少量的磷酸类化合物，有效的降低了清洗液的表面张力，增强了清洗液在铜表面的润湿性，使清洗液对铜的清洁能力进一步得到了增强，同时增强了带负电的粒子与铜晶圆之间的静电排斥作用，使难以去除的磨料颗粒变得容易去除。
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公开(公告)号：CN118421405A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410529518.8
申请日：2024-04-29
Applicant: 武汉鼎泽新材料技术有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: C11D1/14 , C11D1/22 , C11D1/28 , C11D1/26 , C11D1/12 , C11D1/18 , C11D1/37 , C11D3/30 , C11D3/36 , C11D3/20 , C11D3/34 , C11D3/33 , C11D3/60 , H01L21/302 , B08B3/08
Abstract: 本发明公开了一种化学机械抛光后清洗组合物，包含：碱性pH调节剂，螯合剂，羟胺化合物，磺酸类表面活性剂，腐蚀抑制剂，余量为水；所述螯合剂的量为0.001wt％～0.005wt％，所述磺酸类表面活性剂的量为0.001wt％～0.008wt％；所述磺酸类表面活性剂包括十二烷基二苯醚二磺酸、牛磺酸、聚氧乙烯醚磺酸、甲基椰油酰基牛磺酸、吡啶类磺酸及其盐中的一种或多种。本发明加入少量的磺酸类表面活性剂，有效的降低了清洗液的表面张力，增强了清洗液在铜表面的润湿性，使清洗液对铜的清洁能力进一步得到了增强，并且可以有效降低螯合剂的使用。
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公开(公告)号：CN110398500A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910720622.4
申请日：2019-08-06
Applicant: 武汉鼎泽新材料技术有限公司 , 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: G01N21/94 , G01Q60/24 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种用于评价晶片清洗效率的方法及实验装置，解决了现有方法准确性不高、存在系统误差和人为误差的问题。方法为将粘染物溶液滴入旋转中的晶片样品表面进行沾染实验，获得表面带有缺陷的沾染晶片样品；使用形貌表征仪器对沾染晶片样品表面进行形貌分析，获得该沾染晶片样品表面的清洗前缺陷数；将清洗液滴入旋转中的沾染晶片样品表面进行清洗实验，得到清洗晶片样品；使用形貌表征仪器对清洗晶片样品再次进行形貌分析，获得该沾染晶片样品表面的清洗后缺陷数；通过以下公式(A)进行清洗效率的计算，使用专用的实验装置进行沾染实验和清洗实验，具有测量方法简单可靠、准确性高、能为清洗液配方研究提供有力指导。
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公开(公告)号：CN211206291U
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201921260992.6
申请日：2019-08-06
Applicant: 武汉鼎泽新材料技术有限公司 , 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: G01N21/94 , G01Q60/24 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本实用新型涉及一种评价晶片清洗效率的实验装置，解决了现有方法准确性不高、存在系统误差和人为误差的问题。包括：支架，设置在所述支架上的真空吸附晶片样品并带动晶片样品旋转的真空旋转装置，以及设置在所述支架上的将粘染物溶液或清洗液注射至晶片样品表面的注射装置，本实用新型结构简单、易于制造、便于拆卸、适用于评价晶片清洗效率实验中进行粘染实验或清洗实验。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN220049330U
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202321621267.3
申请日：2023-06-26
Applicant: 武汉鼎泽新材料技术有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种光刻胶调配釜的清洗装置，包括釜体，所述釜体的下表面固定连接有支撑机构，所述支撑机构的上表面设置有清洗机构，所述支撑机构包括支撑釜体的支撑柱，所述支撑柱的底端固定连接有支撑板，所述支撑板的下表面四角均固定连接有支撑腿，所述支撑柱的表面套接有限位环，所述限位环的侧面固定连接有直角板，所述直角板的上表面固定连接有连接环。本实用新型通过所设的支撑机构和清洗机构，便于对光刻胶调配釜的内部进行清洗，减少人力清洗釜体，通过清洗机构，能够快速的对釜体内部残留的胶杂质物进行清洗，加快釜体内部清洗的效果，进而使该清洗装置具有对光刻胶调配釜釜体的内部进行快速清洗的效果。
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