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公开(公告)号：CN109786447A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201711112576.7
申请日：2017-11-13
申请人： 比亚迪股份有限公司 , 深圳比亚迪微电子有限公司
摘要： 为克服现有SiC材料P型欧姆接触存在比接触电阻率高以及退火处理导致的质量问题，本发明提供了一种P型SiC欧姆接触材料，包括SiC衬底、P型外延层和NiAl合金层，所述P型外延层形成于所述SiC衬底上，所述NiAl合金层位于所述P型外延层上，所述P型外延层和所述NiAl合金层的接触位置相互掺杂渗透形成有过渡区。同时，本发明还公开了上述P型SiC欧姆接触材料的制备方法。本发明提供的P型SiC欧姆接触材料及其制备方法有利于P-SiC与金属之间形成良好的欧姆接触，是一种改良的欧姆接触形成技术。
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公开(公告)号：CN107731889A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201610662979.8
申请日：2016-08-12
申请人： 比亚迪股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/778 , H01L29/0688 , H01L29/66431
摘要： 本发明公开了一种高电子迁移率半导体器件及其制备方法，所述高电子迁移率半导体器件器件包括：衬底(1)，上部间隔设置有第一P型注入区(2L)和第二P型注入区(2R)，所述第二P型注入区(2R)位于所述第一P型注入区(2L)的右侧；所述衬底(1)还包括位于所述第一P型注入区(2L)和所述第二P型注入区(2R)之间的N道沟(10)；所述高电子迁移率半导体器件器件还包括第一源极(6L)、第二源极(6R)、第一漏极(8)、第一半导体层(LS)、第二半导体层(RS)、第一栅极(7L)、第二栅极(7R)和第二漏极(11)。本发明提供的高电子迁移率半导体器件能够增大耐压性能。
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公开(公告)号：CN103359677B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210087021.2
申请日：2012-03-29
申请人： 比亚迪股份有限公司
摘要： 本发明提供一种红外探测器封装结构及其制作方法，所述方法包括在衬底的同一表面上形成红外光反射层和底接触电极，在所述红外光反射层和底接触电极上形成由探测器第一牺牲层释放后的第一空间层，在所述第一空间层上部分覆盖敏感材料探测层，在所述敏感材料探测层上形成金属电极层，在所述金属电极层的孔洞处设置与底接触电极接触的金属桥柱，在第一空间层、金属电极层和金属桥柱上形成由探测器第二牺牲层释放后的第二空间层，在所述第二空间层四周边缘形成吸气剂层，在吸气剂层和第二空间层上形成第一封装薄膜层，对探测器第一和第二牺牲层释放，在第一封装薄膜层上形成第二封装薄膜层。本发明封装方法能够降低生产成本。
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公开(公告)号：CN104340952A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310345369.1
申请日：2013-08-09
申请人： 比亚迪股份有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明公开了一种MEMS圆片级真空封装方法，该方法包括以下步骤：制作芯片圆片，芯片圆片包括：基底、MEMS、位于MEMS外围的第一焊料环、形成在第一焊料环之外的电极，其中MEMS和电极通过基底表面的连接层相连；制作盖板圆片，盖板圆片的正面包括与MEMS尺寸位置相对应的凹腔、与第一焊料环尺寸位置对应的第二焊料环，盖板圆片的背面包括与最终制备器件的边缘对应的第一划片标记，和与最终制备相邻MEMS器件中间对应的第二划片标记；将芯片圆片与盖板圆片对准并键合；以及沿着第一划片标记划断盖板圆片，沿第二划片标记划断盖板圆片和芯片圆片。本方法具有密封性好、电极引出方便、工艺简便易行的优点。本发明还公开了一种MEMS圆片级真空封装结构。
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公开(公告)号：CN109427665A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710744937.3
申请日：2017-08-25
申请人： 比亚迪股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/088
摘要： 本发明提供了半导体器件及其制备方法，该方法包括：通过第一掩膜，在外延衬底中形成阱区；在第一掩膜的侧壁上形成第二掩膜，并通过第一掩膜和第二掩膜形成源区；在第二掩膜的侧壁上形成第三掩膜，并通过第一掩膜、第二掩膜和第三掩膜形成重掺杂阱区，重掺杂阱区与源区和阱区相连；形成第一绝缘栅介质层、栅电极层、第二绝缘栅介质层和源极接触金属层，其中，源极接触金属层与栅电极层绝缘，且与源区和重掺杂阱区相连。通过该方法可以快速有效的制备获得半导体器件，实现了沟道区域的自对准工艺和重掺杂阱区的自对准工艺，减少了一次光刻，简化工艺，节约制造成本，而且制备获得的半导体器件导通电阻的均匀性或者长期可靠性较佳。
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公开(公告)号：CN106158601A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510135975.X
申请日：2015-03-26
申请人： 比亚迪股份有限公司
CPC分类号： H01L21/049 , H01L29/513 , H01L29/517
摘要： 本发明公开了一种SiC基器件的栅介质层的形成方法，该形成方法包括以下步骤：提供SiC衬底；在所述SiC衬底之上形成氧化硅层；在所述氧化硅层之上形成金属层；对所述金属层进行热处理以形成金属氧化物层；以及在所述金属氧化层之上形成栅电极。本发明的SiC基器件的栅介质层的形成方法，可以提高SiC基器件的抗击穿能力和稳定性，提高电子迁移率，降低漏电流，提高制备效率。本发明还提出一种采用该方法形成的SiC基器件的栅介质层结构。
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公开(公告)号：CN103359677A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210087021.2
申请日：2012-03-29
申请人： 比亚迪股份有限公司
摘要： 本发明提供一种红外探测器封装结构及其制作方法，所述方法包括在衬底的同一表面上形成红外光反射层和底接触电极，在所述红外光反射层和底接触电极上形成由探测器第一牺牲层释放后的第一空间层，在所述第一空间层上部分覆盖敏感材料探测层，在所述敏感材料探测层上形成金属电极层，在所述金属电极层的孔洞处设置与底接触电极接触的金属桥柱，在第一空间层、金属电极层和金属桥柱上形成由探测器第二牺牲层释放后的第二空间层，在所述第二空间层四周边缘形成吸气剂层，在吸气剂层和第二空间层上形成第一封装薄膜层，对探测器第一和第二牺牲层释放，在第一封装薄膜层上形成第二封装薄膜层。本发明封装方法能够降低生产成本。
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公开(公告)号：CN204102910U
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201420399618.5
申请日：2014-07-18
申请人： 比亚迪股份有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06
摘要： 为克服现有技术中的肖特基二极管导通电阻高、导通电压高的问题，本实用新型提供一种肖特基二极管，包括衬底；衬底下表面覆盖有阴极；衬底上表面依次层叠有缓冲层、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层和阳极；阳极包括第一阳极电极和第二阳极电极；第一阳极电极位于第二氮化物半导体层上表面；第二阳极电极位于第一阳极电极上表面并同时延伸至第二氮化物半导体层上表面；第二阳极电极与第二氮化物半导体层形成的肖特基势垒高于第一阳极电极与第二氮化物半导体层形成的肖特基势垒；还包括从衬底沿缓冲层和第一氮化物半导体层侧面延伸至第二氮化物半导体层侧面的欧姆接触层。本实用新型提供的肖特基二极管导通电阻低、导通电压低。
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