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发明公开
原位蚀刻速率或沉积速率测量系统审中-实审

公开(公告)号：CN115136277A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202180015080.6

申请日：2021-02-03

申请人： 比埃勒阿尔策瑙有限公司

发明人： 斯特芬·盖特勒 , 玛利奥·贝林格 , 拉尔夫·斯佩林

IPC分类号： H01J37/22 , H01J37/304 , H01J37/305 , G01B11/06

摘要： 本发明关于一种用于原位离子束蚀刻速率或沉积速率测量的系统，其包含：一真空室；一离子束源，其被配置以将一离子束导引至位于该真空室内的一样品的一第一表面上，且以一蚀刻速率蚀刻该样品的该第一表面；或一材料源，其被配置为以一沉积速率将材料沉积至位于该真空室内的一样品的一第一表面上；及一干涉测量装置，其至少部分位于该真空室内且被配置以将光导引至该样品的一第二表面上，且基于自该样品反射的光来原位确定该离子束的该蚀刻速率或所沉积材料的该沉积速率。