公开(公告)号：CN116760281A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310956851.2

申请日：2023-08-01

Applicant: 江南大学

Inventor： 杨国锋 ,  曹通 ,  陈飞宇 ,  秦世清 ,  张琦 ,  谢峰 ,  钱维莹 ,  陆乃彦 ,  张向阳 ,  张秀梅

IPC: H02M3/00 ,  H02M3/335 ,  H02M7/48

Abstract: 本发明公开了一种具有自驱动有源缓冲器的GaN基准谐振反激式功率变换器，属于电力电子技术领域。本发明的具有自驱动有源缓冲器的GaN基准谐振反激式功率变换器包括直流输入电源VIN、主开关管S1、高频变压器T1、电流互感器T2、自驱动有源缓冲器、同步整流开关管SR、输出电容CF和输出负载RL；本发明可以缓解QR反激式变换器中开关管关断时电压过高的问题。与消耗能量的RCD缓冲器相比，自驱动有源缓冲器不消耗能量，因此可使变换器在满载条件下达到90%以上的能量转换效率。此外，所发明的功率变换器还具有兼容市面上传统的QR反激控制芯片的优点。

公开(公告)号：CN117811321A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311665019.3

申请日：2023-12-06

Applicant: 江南大学

Inventor： 杨国锋 ,  秦世清 ,  王博翔 ,  叶炳杰 ,  陈华志 ,  姜茂林 ,  李都豪 ,  王江铖 ,  刘玉申 ,  谢峰 ,  陈飞宇 ,  钱维莹 ,  张向阳 ,  张秀梅

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/00 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明公开了一种基于SiC‑MOSFET的自举式无源钳位驱动电路，属于第三代宽禁带半导体碳化硅器件的驱动技术领域。该电路使用无源组件以控制简化驱动器，通过设置正负串扰抑制电路在电路工作的不同阶段提供不同的电流通路实现同时对正向串扰和反向串扰的抑制作用；该电路还通过在自举电路中设置自举充放电电荷收集电容C1，正负串扰抑制电路中设置栅极电荷平衡电容C2，在SiC‑MOSFET开关导通期间对其寄生电容Cgs进行电荷充放，以此来平衡其在栅极处积累的多余的电荷，并将其多余的电荷收集至C1中，形成三个电容存储和收集电荷相互平衡的状态，提高电荷在栅极回路中的利用率，进而提高驱动的效率。