公开(公告)号：CN117811321A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311665019.3

申请日：2023-12-06

Applicant: 江南大学

Inventor： 杨国锋 ,  秦世清 ,  王博翔 ,  叶炳杰 ,  陈华志 ,  姜茂林 ,  李都豪 ,  王江铖 ,  刘玉申 ,  谢峰 ,  陈飞宇 ,  钱维莹 ,  张向阳 ,  张秀梅

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/00 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明公开了一种基于SiC‑MOSFET的自举式无源钳位驱动电路，属于第三代宽禁带半导体碳化硅器件的驱动技术领域。该电路使用无源组件以控制简化驱动器，通过设置正负串扰抑制电路在电路工作的不同阶段提供不同的电流通路实现同时对正向串扰和反向串扰的抑制作用；该电路还通过在自举电路中设置自举充放电电荷收集电容C1，正负串扰抑制电路中设置栅极电荷平衡电容C2，在SiC‑MOSFET开关导通期间对其寄生电容Cgs进行电荷充放，以此来平衡其在栅极处积累的多余的电荷，并将其多余的电荷收集至C1中，形成三个电容存储和收集电荷相互平衡的状态，提高电荷在栅极回路中的利用率，进而提高驱动的效率。

公开(公告)号：CN114553033A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210266088.6

申请日：2022-03-15

Applicant: 江南大学

Inventor： 曹通 ,  杨国锋 ,  秦世清 ,  谢峰 ,  蒋学成 ,  叶炳杰 ,  李婷 ,  何映谊 ,  张秀梅 ,  陈国庆

IPC: H02M7/219 ,  H02M1/42 ,  H02M1/14 ,  H02M1/36 ,  H02M1/08

Abstract: 本发明公开了降压‑反激集成式单开关管功率因数校正变换器，属于开关电源技术领域。所述变换器包括：输入交流电源、整流桥BR、降压功率因数校正变换器、反激功率因数校正变换器、GaN功率开关管、输出电容C、输出负载RL和控制电路；本发明采用降压‑反激集成式拓扑，针对降压单元中输入电压低于输出电压是输入电流纯在死区现象，反激单元的导通消除了输入电流死区的影响，降低总谐波失真，提高变换器功率因数，使变换器达到IEC61000‑3‑2 C类标准；此外，通过将降压单元与反激单元采用输入并联输出并联结构共用一个GaN开关管，使变换器只需一套控制电路，降低了电路的复杂程度，成本低，可靠性高。

公开(公告)号：CN117673188A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311653005.X

申请日：2023-12-05

Applicant: 江南大学

Inventor： 杨国锋 ,  谷燕 ,  王博翔 ,  陈华志 ,  叶炳杰 ,  谢峰 ,  钱维莹 ,  张向阳 ,  张秀梅 ,  刘玉申 ,  陈国庆

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于非对称肖特基势垒的自驱动日盲紫外探测器，属于半导体器件制造技术领域。紫外探测器从下而上依次包括：衬底层、AlN缓冲层、Al0.65Ga0.35N层、Al0.4Ga0.6N有源层、Al0.55Ga0.45N势垒层和金属电极层。本发明通过仅在一侧的电极与Al0.4Ga0.6N有源层之间插入Al0.55Ga0.45N势垒层，构成不对称的MSM结构，利用不同的势垒高度诱导能带弯曲，形成不对称的能带，显著促进光生载流子的分离和输运，从而解决了对称MSM结构探测器高功耗的问题，实现了自驱动特性。形成的不对称的异质结构，增强了Al0.4Ga0.6N层的极化场，进而增加光电流的产生，大幅度提高了0V下的响应度。此外，本发明的制造的外延结构螺位错密度较低，从而器件获得超低的暗电流，提高了器件的灵敏度。