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公开(公告)号：CN114790077A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210617959.4
申请日：2022-06-01
申请人： 江苏亨通光导新材料有限公司 , 江苏亨通光电股份有限公司 , 江苏亨通光纤科技有限公司
IPC分类号： C03B37/012
摘要： 本发明公开一种连续作业型光纤预制棒延伸装置及方法，该装置包括第一夹持装置、第二夹持装置、加热烤灯、延伸加热炉、第三夹持装置、第四夹持装置和导轨，第一夹持装置、第二夹持装置、第三夹持装置、第四夹持装置和加热烤灯分别设置于导轨上并分别沿导轨横向往复运动，第一夹持装置、第二夹持装置、第三夹持装置、第四夹持装置上的光纤预制棒胚棒在沿导轨移动时始终保持同步旋转状态。本发明取消了现有技术中光纤预制棒胚棒拉伸前需要在胚棒两端焊接夹持手柄的过程，实行胚棒与胚棒的直接焊接，减少了胚棒焊接次数，装卸胚棒无需停止延伸装置，消除了预热、冷却过程，可使延伸装置持续处于作业状态，从而提高了设备的效率，减少能耗和资源消耗。
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公开(公告)号：CN114349327A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210053187.6
申请日：2022-01-18
申请人： 江苏亨通光导新材料有限公司 , 江苏亨通光电股份有限公司 , 江苏亨通光纤科技有限公司
IPC分类号： C03B37/014 , C03B37/027
摘要： 本发明提供了一种弯曲不敏感单模光纤的低成本加工工艺，其能解决现有方法工艺复杂、制造成本高的问题。其先制备光纤预制棒、再对光纤预制棒进行拉丝处理；弯曲不敏感单模光纤包括中心的芯层、围绕并与芯层接触的包层，包层自内而外包括内包层和外包层；内包层至少包括两层且至少两层内包层自内而外形成至少一个类阶梯式的凹陷结构；光纤预制棒的制备，先应用VAD工艺通过沉积设备沉积得到由芯层和内包层形成的芯棒松散体；再将芯棒松散体依次经过烧结脱水处理、拉伸处理后得到透明玻璃芯棒；最后应用OVD工艺在芯棒外表面沉积形成外包层，经烧结得到光纤预制棒；其沉积设备的内包层喷灯至少设有两个且每一个内包层喷灯分别与一内包层一一对应。
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公开(公告)号：CN115201961A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210666099.3
申请日：2022-06-14
申请人： 江苏亨通光导新材料有限公司 , 江苏亨通光电股份有限公司 , 江苏亨通光纤科技有限公司
IPC分类号： G02B6/036 , C03B37/014 , C03B37/012 , C03B37/027
摘要： 本发明提供了一种陆地用G.654.E光纤，其不仅能解决现有光纤结构粘度匹配失衡的问题，还能解决现有光纤工艺制备复杂、成本高的问题；为此，本发明还提供了该陆地用G.654.E光纤的制作工艺。一种陆地用G.654.E光纤，其包括芯层和包层，包层包括自内而外围绕在芯层外周的内包层和外包层；芯层的相对折射率差Δ1为0％～0.2％，芯层的半径R1为6～7μm；内包层相对折射率差Δ2为‑0.2％～‑0.4％，内包层的半径R2为15～25μm；外包层相对折射率差Δ3为‑0.18％～‑0.3％。
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公开(公告)号：CN210945374U
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201920472677.3
申请日：2019-04-09
申请人： 江苏亨通光导新材料有限公司 , 江苏亨通光电股份有限公司
IPC分类号： C03B37/012
摘要： 本实用新型提供一种短套柱预制棒的送料装置，其包括：上料托盘、设置于上料托盘上的若干滚轮、设置于上料托盘上的垫块、支撑上料托盘的支撑架；上料托盘具有适于短套柱预制棒送料的通道，若干滚轮沿短套柱预制棒的送料方向依次间隔设置，任一滚轮的两端枢转连接于通道中，且滚轮的枢转轴与送料方向相垂直，任一滚轮的周向侧面为适于与短套柱预制棒相接触的凹形面，垫块位于通道中，并对称地分布于若干滚轮的两侧，任一侧的垫块具有适于与短套柱预制棒相接触的斜面。本实用新型的送料装置适于短套柱预制棒的上料输送，方便了将短套柱预制棒送入到三爪卡盘中，其节省了人力，方便了快速上料输送，充分满足了实际的作业需求。
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公开(公告)号：CN112876044B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202110150255.6
申请日：2021-02-03
申请人： 江苏亨通智能科技有限公司 , 江苏亨通光导新材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种高纯度低羟基高均匀性石英玻璃的化学沉积方法，包括：(1)在沉积腔体内，采用气相轴向沉积法将硅源沉积得到低密度SiO2松散体；在沉积过程中，控制沉积腔体内为负压环境，温度不高于500℃；(2)在充满脱羟气流和氧气的密闭环境中，将低密度SiO2松散体加热到1100～1300℃，使所述低密度SiO2松散体脱水、脱羟及致密化；接着，将低密度SiO2松散体置于惰性气体环境中，加热至1470～1600℃，使其玻璃化以形成透明石英玻璃；(3)对透明石英玻璃进行退火处理，得到高纯度低羟基高均匀性石英玻璃。本发明还公开了采用所述化学沉积工艺的装置。本发明的高纯度低羟基高均匀性石英玻璃的化学沉积方法，生产过程连续性高，且生产的石英玻璃中金属杂质含量极低。
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公开(公告)号：CN112876044A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110150255.6
申请日：2021-02-03
申请人： 江苏亨通智能科技有限公司 , 江苏亨通光导新材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种高纯度低羟基高均匀性石英玻璃的化学沉积方法，包括：(1)在沉积腔体内，采用气相轴向沉积法将硅源沉积得到低密度SiO2松散体；在沉积过程中，控制沉积腔体内为负压环境，温度不高于500℃；(2)在充满脱羟气流和氧气的密闭环境中，将低密度SiO2松散体加热到1100～1300℃，使所述低密度SiO2松散体脱水、脱羟及致密化；接着，将低密度SiO2松散体置于惰性气体环境中，加热至1470～1600℃，使其玻璃化以形成透明石英玻璃；(3)对透明石英玻璃进行退火处理，得到高纯度低羟基高均匀性石英玻璃。本发明还公开了采用所述化学沉积工艺的装置。本发明的高纯度低羟基高均匀性石英玻璃的化学沉积方法，生产过程连续性高，且生产的石英玻璃中金属杂质含量极低。
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