-
公开(公告)号：CN116410003A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111683090.5
申请日：2021-12-31
申请人： 江苏博睿光电股份有限公司 , 江苏诚睿达光电有限公司
IPC分类号： C04B35/582 , C04B35/622 , C04B37/02 , H01L23/14 , H01L33/48
摘要： 本发明提出一种Ti‑AlN陶瓷基板、制备方法及应用，包括以下步骤：制备AlN陶瓷胶片；制备Ti‑AlN陶瓷素片；将所述Ti‑AlN陶瓷素片进行反应烧结，获得Ti‑AlN陶瓷基板。本发明利用固相扩散法制备获得Ti‑AlN陶瓷基板，具有高导热率、低成本的优点；适用于第三代半导体器件及发光器件。
-
公开(公告)号：CN116410018A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111683104.3
申请日：2021-12-31
申请人： 江苏博睿光电股份有限公司 , 江苏诚睿达光电有限公司
摘要： 本发明提出一种AlN/Si3N4陶瓷基板及其制备方法、应用，包括以下步骤：选择氮化硅陶瓷基板；对所述氮化硅陶瓷基板进行表面处理；在所述氮化硅陶瓷基板表面生长氮化铝薄膜，得到复相陶瓷基板；将所述复相陶瓷基板进行退火处理，获得AlN/Si3N4陶瓷基板。本发明提出的氮化硅与氮化铝陶瓷的复合基板，利用了各自的优点，获得具有高强度、高导热率的封装基板。适用于第三代半导体器件及发光器件。
-
公开(公告)号：CN116410002A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111681137.4
申请日：2021-12-31
申请人： 江苏博睿光电股份有限公司 , 江苏诚睿达光电有限公司
IPC分类号： C04B35/582 , C04B35/584 , C04B35/622 , H01L33/48 , H01L33/64
摘要： 本发明提出一种陶瓷基板、制备方法及应用，包括以下步骤：制备Si3N4陶瓷素片；制备Al2O3‑C陶瓷素片；制备Al2O3‑C‑Si3N4陶瓷叠层素片；将所述Al2O3‑C‑Si3N4陶瓷叠层素片进行反应烧结，获得AlN/Si3N4陶瓷基板。本发明提出的氮化硅与氮化铝陶瓷的复合基板，利用了各自的优点，获得具有高强度、高导热率的封装基板；适用于第三代半导体器件及发光器件。
-
公开(公告)号：CN116814250B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202310723295.4
申请日：2023-06-16
申请人： 江苏博睿光电股份有限公司 , 江苏诚睿达光电有限公司
IPC分类号： C09K11/61 , C09K11/66 , C09K11/67 , F21K9/64 , G02F1/13357 , H01L33/50 , F21Y115/10
摘要： 本申请公开了一种用四价锰离子激活的红色荧光粉及其制备方法、应用，涉及发光材料技术领域，所述红色荧光粉的化学组成为A2M(1‑x)F6：xMn4+，其中，A选自碱金属元素中的至少一种，M选自ⅣA族元素或Ti元素中的至少一种且满足x的取值范围为0＜x≤0.05，所述红色荧光粉为颗粒状，所述红色荧光粉颗粒的中心至其表面的径向方向上的四价锰离子的浓度逐渐递减。本申请通过将所述红色荧光粉颗粒的中心至其表面的径向方向上的激活剂Mn4+的浓度设置为降梯度分布，以缓冲水汽对荧光粉粉体的侵蚀，提升其抗老化性能，进而延长服役周期。
-
公开(公告)号：CN116410002B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202111681137.4
申请日：2021-12-31
申请人： 江苏博睿光电股份有限公司 , 江苏诚睿达光电有限公司
IPC分类号： C04B35/582 , C04B35/584 , C04B35/622 , H01L33/48 , H01L33/64
摘要： 本发明提出一种陶瓷基板、制备方法及应用，包括以下步骤：制备Si3N4陶瓷素片；制备Al2O3‑C陶瓷素片；制备Al2O3‑C‑Si3N4陶瓷叠层素片；将所述Al2O3‑C‑Si3N4陶瓷叠层素片进行反应烧结，获得AlN/Si3N4陶瓷基板。本发明提出的氮化硅与氮化铝陶瓷的复合基板，利用了各自的优点，获得具有高强度、高导热率的封装基板；适用于第三代半导体器件及发光器件。
-
公开(公告)号：CN117165287A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310720698.3
申请日：2023-06-16
申请人： 江苏博睿光电股份有限公司 , 江苏诚睿达光电有限公司
IPC分类号： C09K11/61 , C09K11/66 , C09K11/67 , F21K9/64 , G02F1/13357 , H01L33/50 , F21Y115/10
摘要： 本申请涉及一种红色窄带荧光粉及其制备方法及应用，属于荧光粉材料技术领域。本申请的红色窄带荧光粉选自化学式I所示物质，化学式I：化学式I：A2M(1‑x)F6：xMn4+，本申请控制Mn4+的原子百分比在荧光粉最内层最低且在最外层最高，有利于提升荧光粉整体热稳定性能以及相应LED器件的发光效率，通过两方面的配合使相应LED器件在长时间服役状态下能够稳定保证高光效，具有寿命长、发光性能强的优势。
-
公开(公告)号：CN116409985B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202111675739.9
申请日：2021-12-31
申请人： 江苏博睿光电股份有限公司 , 江苏诚睿达光电有限公司
IPC分类号： C04B35/10 , C04B35/622 , H01L23/15 , H01L33/48 , C04B41/87
摘要： 本发明提供一种基板、制备方法及应用，属于封装基板技术领域。其中，本发明基板的制备方法包括：制备Al2O3‑C的复相陶瓷素片；在所述复相陶瓷素片的表面引入氮化铝层，以得到Al2O3/AlN复相陶瓷基板。本发明的制备方法通过先形成Al2O3‑C的复相陶瓷素片，之后通过烧结在该复相陶瓷素片表面上形成氮化铝层，以提高基板的综合热导率与强度，尤其改善界面连接处的热传导能力，实现结构‑功能相互补偿的目的。
-
公开(公告)号：CN116410000B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202111678975.6
申请日：2021-12-31
申请人： 江苏博睿光电股份有限公司 , 江苏诚睿达光电有限公司
IPC分类号： C04B35/581 , C04B35/622 , H01L33/48 , C04B35/64
摘要： 本发明提供一种基板、制备方法及应用，属于封装基板技术领域。其中，本发明基板的制备方法包括：制备AlN蜂窝，基于所述AlN蜂窝，形成AlN蜂窝‑AlN粉体陶瓷素坯，对所述陶瓷素坯进行烧结处理以得到氮化铝陶瓷基板。本发明通过AlN粉体与AlN蜂窝复合，蜂窝的特殊结构可以使得陶瓷粉体在烧结过程中形成约束，以使AlN粉体在烧结过程中保持压应力的状态，促进陶瓷颗粒的致密化速度，提高陶瓷材料的致密化程度。以及，由于AlN蜂窝和AlN粉体为同一材质，保证了蜂窝结构和陶瓷基体粉体之间的界面结合优异，具有同样的固体传质和扩散机制，不会影响陶瓷的界面强度，同时利用蜂窝结构的增强效果提高陶瓷材料的结构强度，且具有较高的热导率。
-
公开(公告)号：CN117165287B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202310720698.3
申请日：2023-06-16
申请人： 江苏博睿光电股份有限公司 , 江苏诚睿达光电有限公司
IPC分类号： C09K11/61 , C09K11/66 , C09K11/67 , F21K9/64 , G02F1/13357 , H01L33/50 , F21Y115/10
摘要： 本申请涉及一种红色窄带荧光粉及其制备方法及应用，属于荧光粉材料技术领域。本申请的红色窄带荧光粉选自化学式I所示物质，化学式I：化学式I：A2M(1‑x)F6：xMn4+，本申请控制Mn4+的原子百分比在荧光粉最内层最低且在最外层最高，有利于提升荧光粉整体热稳定性能以及相应LED器件的发光效率，通过两方面的配合使相应LED器件在长时间服役状态下能够稳定保证高光效，具有寿命长、发光性能强的优势。
-
公开(公告)号：CN116814251A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310724565.3
申请日：2023-06-16
申请人： 江苏博睿光电股份有限公司 , 江苏诚睿达光电有限公司
IPC分类号： C09K11/61 , C09K11/66 , C09K11/67 , F21K9/64 , G02F1/13357 , H01L33/50 , F21Y115/10
摘要： 本申请涉及一种抗劣化红色荧光粉及其制备方法与应用，属于荧光粉材料技术领域。本申请的抗劣化红色荧光粉具有核壳结构，所述核壳结构包括内核和外壳，所述内核和所述外壳独立地选自化学式I所示物质，化学式I：A2M(1‑x)F6：xMn4+。本申请通过控制Mn4+的原子百分比在内核最内层最低，在内核最外层最高，配合设置Mn4+含量极少甚至没有的外壳包覆荧光粉内核，提高了荧光粉的耐湿性和抗劣化能力，同时与内核配合有利保持较高的发光效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
39 条记录 (耗时 0.056 秒)
