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公开(公告)号：CN117263507A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311290496.6
申请日：2023-10-07
Applicant: 江苏大学 , 江苏大学镇江智能柔性机械电子产业技术研究院
IPC: C03B27/02 , C03B27/04 , C03B27/012
Abstract: 本发明属于超薄玻璃物理钢化制造领域，具体为一种超薄玻璃物理钢化用高效热传递冲击射流阵列结构。其包括带有回流孔的射流孔板和射流靶板。所述的小间隙即射流孔板到射流靶板的距离H与射流孔的等效直径D的比值H/D仅在0.1‑0.2，所述的射流孔板上射流孔和回流孔错排分布。小间隙下，受限空腔内的射流流型为贴壁射流管道流，这种流动引起高的局部湍流强度，从而增强局部传热；此外，三角形射流孔的射流三维发展较强，提高冲击表面的传热均匀性；通过添加回流孔的设计减小相邻射流干扰作用，消除横流劣化影响，进一步改善传热均匀性，提高传热速率；同时，从回流孔流出的高温气体可进入热循环系统，实现循环利用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109505006B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201811587901.X
申请日：2018-12-25
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及水平提拉硅带成型设备技术领域，具体涉及一种水平提拉硅带成型设备的入料装置及其入料方法。本发明的用于水平提拉硅带成型设备的入料装置能够根据入料要求，通过质量传感器、闭合开关、传送带速度以及运动状态的控制将定量的硅料送入炉内坩埚，并通过气体置换的方法防止空气进入炉内，由此满足硅料的连续无污染的熔化要求。
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公开(公告)号：CN109778307B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201910117365.5
申请日：2019-02-15
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及单晶硅材料制备技术领域，尤其涉及一种适用于单晶硅水平生长机构的过程控制系统。其包括：熔融区域温度控制模块，冷却区域控制模块，提拉籽晶模块。在所述熔融区域控制模块中，包含有4段可设置的升温模块；在所述的冷却区域控制模块中包含了2段可设置的升温模块；在所述的籽晶提拉模块中，包含有可控制的籽晶杆进退模块。利用上述过程控制系统，并配合水平提拉法生产单晶硅装备，能够实现连续生长超薄单晶硅片。
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公开(公告)号：CN106645791B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201710075309.0
申请日：2017-02-13
Abstract: 本发明涉及一种适用于多场耦合条件下的小孔射流测速实验装置，包括支架、高温循环风机、PIV系统以及角度调节系统，支架上设置有上气仓和下气仓，上气仓和下气仓上下相对设置，上气孔板和下气孔板之间形成观察区，观察区的左右两侧分别形成进料口和出料口；PIV系统位于观察区前侧，所述PIV系统包括可做XYZ三向位置调节的PIV数字相机和双脉冲激光器。本发明实验装置简单，用于模拟多个工业领域中热流固多场耦合条件下的小孔射流测速，并实现流体中示踪粒子的回收利用，具有拍摄区域可调性、实验参数多样性及拍摄位置准确性等优点。
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公开(公告)号：CN109778307A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910117365.5
申请日：2019-02-15
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及单晶硅材料制备技术领域，尤其涉及一种适用于单晶硅水平生长机构的过程控制系统。其包括：熔融区域温度控制模块，冷却区域控制模块，提拉籽晶模块。在所述熔融区域控制模块中，包含有4段可设置的升温模块；在所述的冷却区域控制模块中包含了2段可设置的升温模块；在所述的籽晶提拉模块中，包含有可控制的籽晶杆进退模块。利用上述过程控制系统，并配合水平提拉法生产单晶硅装备，能够实现连续生长超薄单晶硅片。
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公开(公告)号：CN109505006A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811587901.X
申请日：2018-12-25
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及水平提拉硅带成型设备技术领域，具体涉及一种水平提拉硅带成型设备的入料装置及其入料方法。本发明的用于水平提拉硅带成型设备的入料装置能够根据入料要求，通过质量传感器、闭合开关、传送带速度以及运动状态的控制将定量的硅料送入炉内坩埚，并通过气体置换的方法防止空气进入炉内，由此满足硅料的连续无污染的熔化要求。
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