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公开(公告)号：CN115365921A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210820513.1
申请日：2022-07-13
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本申请技术方案公开了一种用于晶片打磨设备的加工垫组件以及打磨方法，所述加工垫组件包括第一加工垫、第二加工垫以及离型粘结层，第一加工垫和第二加工垫通过离型粘结层粘结固定，其中，对晶片进行打磨时，第一加工垫用于与上打磨盘粘结固定，第二加工垫用于与下打磨盘粘结固定，去除离型粘结层后，将晶片置于第一加工垫和第二加工垫之间进行打磨，在第一加工垫和上打磨盘粘结固定时以及第二加工垫和下打磨盘粘结固定时均采用正面下压式的粘贴方法，通过使用这种加工垫可以极大的降低加工垫在粘贴过程中的气泡和褶皱的发生率，从而可有效降低晶片表面损伤，降低晶片双面加工破损率，提高双面加工良率。
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公开(公告)号：CN118291089A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410399716.7
申请日：2024-04-03
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明涉及碳化硅晶片加工领域，具体是再造金刚石研磨液和废弃金刚石研磨液的回收再利用方法及应用该方法的装置。本发明提供的再造金刚石研磨液，其包括添加剂和废弃金刚石研磨液；所述添加剂选自分散剂或者润滑剂中的一种或多种；所述添加剂的临界胶束浓度为0.015mol/L～0.060mol/L；所述添加剂的胶束粒径为10nm～100nm。本发明提供的回收再利用方法能够将废弃金刚石研磨液回收得到再造金刚石研磨液，回收得到的金刚石研磨液的性能能够恢复至和使用前的性能相当，符合再利用要求；通过提高废弃研磨液的质量，实现研磨液的循环利用，从而降低了机械研磨工艺的成本，且循环利用的工艺简单，易于实现操作。
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公开(公告)号：CN112692722A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011554118.0
申请日：2020-12-24
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： B24B37/07 , B24B53/017
摘要： 本发明公开了一种打磨设备、打磨盘的加工方法以及碳化硅晶片的加工方法，所述打磨设备包括：第一转动设备，所述第一转动设备用于安装砂轮，且能够带动所述砂轮转动，或所述第一转动设备用于支撑载体盘，且能够带动所述支撑载体盘转动；所述支撑载体盘用于安装碳化硅晶片；第二转动设备，所述第二转动设备用于放置打磨盘，能够带动所述打磨盘沿其圆心轴线转动。应用本发明提供的技术方案，通过在打磨盘表面增加非规律性几何纹理，使碳化硅晶片表面在机械研磨或抛光时，在碳化硅晶片表面达到均匀研磨，减弱特定位置出现的特定浅而宽的沟槽，提升碳化硅晶片表面品质，提高产成率。
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公开(公告)号：CN215617435U
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202121865631.1
申请日：2021-08-10
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： B24B57/02 , B24B37/34 , B24B37/015 , B24B37/005
摘要： 本实用新型公开了一种晶片加工供液系统，包括：原料仓，所述原料仓的数量为多个；混料及供液仓，所述混料及供液仓的进料口连接由多个连接管路，多个所述连接管路与多个所述原料仓的出料口一一对应连接，多个所述连接管路上均具有控制所述连接管路内流体流量的控制阀；加工工位，所述混料及供液仓的出口与所述加工工位对应设置；组分含量传装置，所述组分含量传装置具有多个用于检测不同原料的组分含量传感器，所述组分含量传感器的数量与所述原料仓的数量相同，多个所述组分含量传感器用于检测由所述混料及供液仓向所述加工工位流动的研磨液成分。本实用新型提供的晶片加工供液系统，提高了加工性能。
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公开(公告)号：CN214980279U
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202023173344.2
申请日：2020-12-24
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： B24B53/017 , B24B37/07
摘要： 本实用新型公开了一种打磨设备，所述打磨设备包括：第一转动设备，所述第一转动设备用于安装砂轮，且能够带动所述砂轮转动，或所述第一转动设备用于支撑载体盘，且能够带动所述支撑载体盘转动；所述支撑载体盘用于安装碳化硅晶片；第二转动设备，所述第二转动设备用于放置打磨盘，能够带动所述打磨盘沿其圆心轴线转动。应用本实用新型提供的技术方案，通过在打磨盘表面增加非规律性几何纹理，使碳化硅晶片表面在机械研磨或抛光时，在碳化硅晶片表面达到均匀研磨，减弱特定位置出现的特定浅而宽的沟槽，提升碳化硅晶片表面品质，提高产成率。
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公开(公告)号：CN212071345U
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202020619385.0
申请日：2020-04-22
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本实用新型提供了一种碳化硅晶片加工用盘及单面研磨机，碳化硅晶片加工用盘的盘面上开设有深沟槽和浅沟槽；深沟槽和浅沟槽间隔设置，且深沟槽的深度大于浅沟槽的深度，深沟槽至少一端延伸出碳化硅晶片加工用盘，浅沟槽用于容纳研磨液，深沟槽用于将研磨液及研磨下的碎屑排出碳化硅晶片加工用盘。使用时，将碳化硅晶片加工用盘安装在单面研磨机上对碳化硅晶片进行单面研磨，研磨液分别进入浅沟槽和深沟槽内，由于深沟槽和浅沟槽间隔设置，因此，进入浅沟槽内的碎屑能够随着研磨液流入深沟槽内，并随着深沟槽的出口将碎屑排出，避免了碎屑划伤晶片，因此，提高了晶片表面有效的外延面积，减少了碳化硅表面的缺陷，提升了碳化硅晶片的成品率。
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公开(公告)号：CN217914427U
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202221807864.0
申请日：2022-07-13
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本申请技术方案公开了一种用于晶片打磨设备的加工垫组件，所述加工垫组件包括第一加工垫、第二加工垫以及离型粘结层，第一加工垫和第二加工垫通过离型粘结层粘结固定，其中，对晶片进行打磨时，第一加工垫用于与上打磨盘粘结固定，第二加工垫用于与下打磨盘粘结固定，去除离型粘结层后，将晶片置于第一加工垫和第二加工垫之间进行打磨，在第一加工垫和上打磨盘粘结固定时以及第二加工垫和下打磨盘粘结固定时均采用正面下压式的粘贴方法，通过使用这种加工垫可以极大的降低加工垫在粘贴过程中的气泡和褶皱的发生率，从而可有效降低晶片表面损伤，降低晶片双面加工破损率，提高双面加工良率。
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