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公开(公告)号:CN112692722A
公开(公告)日:2021-04-23
申请号:CN202011554118.0
申请日:2020-12-24
申请人: 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号: B24B37/07 , B24B53/017
摘要: 本发明公开了一种打磨设备、打磨盘的加工方法以及碳化硅晶片的加工方法,所述打磨设备包括:第一转动设备,所述第一转动设备用于安装砂轮,且能够带动所述砂轮转动,或所述第一转动设备用于支撑载体盘,且能够带动所述支撑载体盘转动;所述支撑载体盘用于安装碳化硅晶片;第二转动设备,所述第二转动设备用于放置打磨盘,能够带动所述打磨盘沿其圆心轴线转动。应用本发明提供的技术方案,通过在打磨盘表面增加非规律性几何纹理,使碳化硅晶片表面在机械研磨或抛光时,在碳化硅晶片表面达到均匀研磨,减弱特定位置出现的特定浅而宽的沟槽,提升碳化硅晶片表面品质,提高产成率。
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公开(公告)号:CN214980279U
公开(公告)日:2021-12-03
申请号:CN202023173344.2
申请日:2020-12-24
申请人: 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号: B24B53/017 , B24B37/07
摘要: 本实用新型公开了一种打磨设备,所述打磨设备包括:第一转动设备,所述第一转动设备用于安装砂轮,且能够带动所述砂轮转动,或所述第一转动设备用于支撑载体盘,且能够带动所述支撑载体盘转动;所述支撑载体盘用于安装碳化硅晶片;第二转动设备,所述第二转动设备用于放置打磨盘,能够带动所述打磨盘沿其圆心轴线转动。应用本实用新型提供的技术方案,通过在打磨盘表面增加非规律性几何纹理,使碳化硅晶片表面在机械研磨或抛光时,在碳化硅晶片表面达到均匀研磨,减弱特定位置出现的特定浅而宽的沟槽,提升碳化硅晶片表面品质,提高产成率。
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