公开(公告)号：CN116399506A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310412971.6

申请日：2023-04-18

申请人： 江苏理工学院

发明人： 许马会 ,  冯勇建 ,  单文桃 ,  韩振华 ,  黄麒麟

IPC分类号： G01L21/00 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L27/00

摘要： 发明公开了一种宽量程MEMS电容真空传感器及其制备方法，属于MEMS微机械加工领域和真空计量技术领域；包括玻璃盖板、SOI硅基底和硅基底；SOI硅基底的一面设有凹槽，凹槽内连接玻璃盖板；SOI硅基底的凹槽内设有硅感压膜，玻璃盖板用于保护硅感压膜；SOI硅基底的另一面与硅基底连接，硅基底的上端面设有腔体，SOI硅基底与硅基底直接键合，将硅基底的上端面的腔体形成真空参考腔；SOI硅基底上设有保护环，保护环将硅感压膜与SOI硅基底隔开；玻璃盖板上设有进气孔，进气孔贯穿玻璃盖板。本发明采用硅‑硅键合方式实现真空参考腔，避免将底部引线转移到外部，减少制造工艺的复杂程度，消除了批量制造的优势和可能导致潜在的可靠性问题，确保传感器的长期稳定性。

公开(公告)号：CN115744808A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211515157.9

申请日：2022-11-30

申请人： 江苏理工学院

发明人： 许马会 ,  冯勇建 ,  单文桃 ,  韩振华 ,  韩晓东

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  G01L9/12 ,  G01L21/00

摘要： 本发明公开了一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器，包括传感器芯片，以及用于安装传感器芯片的外壳，以及将传感器芯片封装在外壳内的上壳；传感器芯片包括硼硅感压膜、硅基底和玻璃基底，三者至上而下依次连接；硅基底的一面设有腔体，硅基底将设有腔体一面与硼硅感压膜直接键合，形成真空参考腔；真空参考腔内设有抽气孔，通过硅基底的另一面与玻璃基底阳极键合封堵抽气孔，真空参考腔形成高真空。本发明通过在真空参考腔内部设有抽气孔，将形成真空参考腔的技术转变为硅‑硅直接键合和硅‑玻璃阳极键合相结合的方式，简化了工艺流程，降低了真空传感器的测量下限；硼硅感压膜上设有保护环，减小传感器灵敏度的影响，提高真空传感器的分辨率。