公开(公告)号：CN108258114A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201810155240.7

申请日：2015-04-27

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 胡益丰 ,  潘佳浩 ,  吴小丽 ,  朱小芹 ,  吴世臣 ,  邹华 ,  袁丽 ,  吴卫华 ,  张建豪 ,  眭永兴

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明公开了一种用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法，上述相变薄膜材料为多层复合膜结构，由GeTe层和Sb层交替沉积复合而成，将一层GeTe层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的GeTe层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。经试验证实，本发明的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料反射率发生突变的时间约为5.3ns，而单层Ge2Sb2Te5传统相变薄膜材料反射率发生突变的时间约为39ns；说明与传统单层Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比，本发明的相变薄膜材料具有更快的相变速度，从而使得用其制备的相变存储器具有更快的操作速度，有利于提高PCRAM信息读写的速度。

公开(公告)号：CN104659209B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201510067700.7

申请日：2015-02-09

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 朱小芹 ,  潘佳浩 ,  吴小丽 ,  胡益丰 ,  薛建忠 ,  袁丽 ,  吴卫华 ,  张建豪 ,  江向荣

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法，化学组成通式为（Ge10Sb90）xN1‑x，其中x=0.50～0.90。与传统的Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比，本发明的GeSb基掺氮纳米薄膜材料具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；另外GeSb基掺氮纳米薄膜材料具有较高的晶化温度和激活能，从而能够极大的改善PCRAM的稳定性。

公开(公告)号：CN104795494B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201510205799.2

申请日：2015-04-27

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 胡益丰 ,  潘佳浩 ,  吴小丽 ,  朱小芹 ,  吴世臣 ,  邹华 ,  袁丽 ,  吴卫华 ,  张建豪 ,  眭永兴

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明公开了一种用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料，为多层复合膜结构，由GeTe层和Sb层交替沉积复合而成，将一层GeTe层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的GeTe层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。经试验证实，本发明的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料反射率发生突变的时间约为5.3ns，而单层Ge2Sb2Te5传统相变薄膜材料反射率发生突变的时间约为39ns；说明与传统单层Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比，本发明的相变薄膜材料具有更快的相变速度，从而使得用其制备的相变存储器具有更快的操作速度，有利于提高PCRAM信息读写的速度。

公开(公告)号：CN107507914A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710755340.9

申请日：2015-02-09

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 朱小芹 ,  潘佳浩 ,  吴小丽 ,  胡益丰 ,  薛建忠 ,  袁丽 ,  吴卫华 ,  张建豪 ,  江向荣

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法，材料的化学组成通式为（Ge10Sb90）xN1-x，其中x=0.68、0.63、0.60。本发明的制备方法通过控制磁控溅射时通入的氮气流量来控制GeSb基掺氮纳米薄膜材料中氮元素的含量，氮元素的含量能够得到精确的控制。

公开(公告)号：CN108258114B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201810155240.7

申请日：2015-04-27

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 胡益丰 ,  潘佳浩 ,  吴小丽 ,  朱小芹 ,  吴世臣 ,  邹华 ,  袁丽 ,  吴卫华 ,  张建豪 ,  眭永兴

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明公开了一种用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法，上述相变薄膜材料为多层复合膜结构，由GeTe层和Sb层交替沉积复合而成，将一层GeTe层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的GeTe层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。经试验证实，本发明的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料反射率发生突变的时间约为5.3ns，而单层Ge2Sb2Te5传统相变薄膜材料反射率发生突变的时间约为39ns；说明与传统单层Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比，本发明的相变薄膜材料具有更快的相变速度，从而使得用其制备的相变存储器具有更快的操作速度，有利于提高PCRAM信息读写的速度。

公开(公告)号：CN107507914B

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201710755340.9

申请日：2015-02-09

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 朱小芹 ,  潘佳浩 ,  吴小丽 ,  胡益丰 ,  薛建忠 ,  袁丽 ,  吴卫华 ,  张建豪 ,  江向荣

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法，材料的化学组成通式为（Ge10Sb90）xN1‑x，其中x=0.68、0.63、0.60。本发明的制备方法通过控制磁控溅射时通入的氮气流量来控制GeSb基掺氮纳米薄膜材料中氮元素的含量，氮元素的含量能够得到精确的控制。

公开(公告)号：CN104795494A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201510205799.2

申请日：2015-04-27

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 胡益丰 ,  潘佳浩 ,  吴小丽 ,  朱小芹 ,  吴世臣 ,  邹华 ,  袁丽 ,  吴卫华 ,  张建豪 ,  眭永兴

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明公开了一种用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料，为多层复合膜结构，由GeTe层和Sb层交替沉积复合而成，将一层GeTe层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的GeTe层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。经试验证实，本发明的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料反射率发生突变的时间约为5.3ns，而单层Ge2Sb2Te5传统相变薄膜材料反射率发生突变的时间约为39ns；说明与传统单层Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比，本发明的相变薄膜材料具有更快的相变速度，从而使得用其制备的相变存储器具有更快的操作速度，有利于提高PCRAM信息读写的速度。

公开(公告)号：CN104659209A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510067700.7

申请日：2015-02-09

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 朱小芹 ,  潘佳浩 ,  吴小丽 ,  胡益丰 ,  薛建忠 ,  袁丽 ,  吴卫华 ,  张建豪 ,  江向荣

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法，化学组成通式为（Ge10Sb90）xN1-x，其中x=0.50～0.90。与传统的Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比，本发明的GeSb基掺氮纳米薄膜材料具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；另外GeSb基掺氮纳米薄膜材料具有较高的晶化温度和激活能，从而能够极大的改善PCRAM的稳定性。