公开(公告)号：CN113193113B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202110410299.8

申请日：2021-04-16

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 吴卫华 ,  戚佳怡 ,  汤瑶 ,  朱小芹 ,  薛建忠

IPC: H10N70/00

Abstract: 本发明公开一种蘑菇型结构神经突触仿生器件，是采用0.13μm CMOS工艺制备而得的蘑菇型结构，该器件结构自下至上依次包括Si(100)基片制备的衬底、Al材料底电极、SiO2中间介质层、在中间介质层上形成的W加热电极、Ti‑Zn‑Sb存储介质层、TiN粘附层和Al材料顶电极。Tix(ZnySb100‑y)1‑x相变材料作为神经突触仿生器件中的存储介质，可以在5 500 ns电信号脉冲宽度~作用下实现多态阻值之间的转换，其中间态电阻值能够提供约8 bit的分辨率，开关电阻差异约为2个数量级。在相同脉冲操作下可以实现电阻对脉冲个数的线性响应，符合突触仿生器件的电学性质要求。

公开(公告)号：CN111276609A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN202010175608.3

申请日：2020-03-13

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 吴卫华 ,  朱小芹 ,  薛建忠

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开一种类超晶格结构ZnSb/SbSe相变存储薄膜及其制备和应用，该相变存储薄膜的总厚度为40-60 nm，结构通式为[ZnSb(a)/SbSe(b)]n，其中，a和b分别表示单个周期中ZnSb薄膜和SbSe薄膜的厚度，且1

公开(公告)号：CN106252508B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201610794092.4

申请日：2014-03-28

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 朱小芹 ,  胡益丰 ,  薛建忠 ,  吴卫华 ,  眭永兴 ,  郑龙 ,  袁丽 ,  江向荣

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法，相变薄膜材料由Zn、Sb、N三种元素组成，其化学组成通式为Nx（Zn15Sb85）1‑x，其中0.40≤x≤0.41。制备时通过在射频溅射沉积Zn15Sb85薄膜的过程中同时通入氩气和氮气，得到的相变薄膜材料中掺杂氮元素。本发明的掺氮改性相变薄膜材料与纯的Zn15Sb85薄膜相比，改性后的薄膜具有较快的晶化速度，大大提高相变存储器的存储速度；而且改性后的薄膜的晶化温度和激活能较高，数据保持能力得到加强；掺氮改性相变薄膜材料的晶态电阻和非晶态电阻更高，使得RESET功耗降低，有限降低用其制作的相变存储器的操作功耗。

公开(公告)号：CN105514266B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201510876374.4

申请日：2015-12-03

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 邹华 ,  胡益丰 ,  朱小芹 ,  薛建忠 ,  张建豪 ,  孙月梅 ,  郑龙 ,  吴世臣 ,  袁丽 ,  吴卫华 ,  眭永兴

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜制备方法，稀土掺杂Sb基相变薄膜材料的化学分子式为SbxAy；其中0

公开(公告)号：CN106374043A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610852690.2

申请日：2016-09-26

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 胡益丰 ,  朱小芹 ,  邹华 ,  张建豪 ,  孙月梅 ,  薛建忠 ,  吴世臣 ,  袁丽 ,  吴卫华 ,  郑龙 ,  翟良君

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18

CPC classification number: H01L45/06 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明属于半导体材料领域，公开了一种Si-Sb-Se纳米相变薄膜材料，所述相变薄膜材料化学组成通式为Six(Sb2Se)1-x,其中0.05≤X

公开(公告)号：CN103887430B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201410123117.9

申请日：2014-03-28

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 朱小芹 ,  胡益丰 ,  薛建忠 ,  吴卫华 ,  眭永兴 ,  郑龙 ,  袁丽 ,  江向荣

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法，相变薄膜材料由Zn、Sb、N三种元素组成，其化学组成通式为Nx（Zn15Sb85）1‑x，其中0.29≤x≤0.49。制备时通过在射频溅射沉积Zn15Sb85薄膜的过程中同时通入氩气和氮气，得到的相变薄膜材料中掺杂氮元素。本发明的掺氮改性相变薄膜材料与纯的Zn15Sb85薄膜相比，改性后的薄膜具有较快的晶化速度，大大提高相变存储器的存储速度；而且改性后的薄膜的晶化温度和激活能较高，数据保持能力得到加强；掺氮改性相变薄膜材料的晶态电阻和非晶态电阻更高，使得RESET功耗降低，有限降低用其制作的相变存储器的操作功耗。

公开(公告)号：CN104900807A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510317313.4

申请日：2015-06-10

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 邹华 ,  胡益丰 ,  朱小芹 ,  眭永兴 ,  郑龙 ,  吴卫华 ,  吴世臣 ,  袁丽 ,  薛建忠 ,  张剑豪

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料，为多层复合膜结构，由Ga40Sb60层和Sb层交替沉积复合而成，将Ga40Sb60层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ga40Sb60层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。本发明的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料利用超晶格结构中多层界面的夹持效应，减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间，抑制晶化，使材料在提高热稳定性的同时加快相变速度；并且Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料在相变过程中体积改变小，这就保证了相变层与电极材料之间良好的接触，最终提高相变存储器件的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN112821867B

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202110070090.1

申请日：2021-01-19

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 吴卫华 ,  姬丰欣 ,  王海峰 ,  王云松 ,  朱小芹 ,  张勇 ,  薛建忠

IPC: H02S50/10

Abstract: 本发明公开一种硅半导体太阳能电池参数测量仪，利用LM358制作的A/D前端电路用于控制输入信号能够在A/D模块检测范围内；利用继电器模块制作的可编程电阻充当A/D前端电路的负载，连续线性的变化从而精准测量参数；LCD屏幕显示太阳能电池的参数以及触屏控制单片机工作模式；在STM32F407芯片里完成电压电流的测量，实时计算电池在不同负载情况下的输出功率，绘制出电流‑电压曲线和功率‑电压曲线、获得最大功率点的同时计算得到填充因子。该测量仪利用现代电子技术和先进单片机技术实现太阳能电池输出功率的智能化计算及最大功率点的自动化搜寻，具有测量精度高、测速快、结果直观、成本低、实验效率高等优点。

公开(公告)号：CN107507914B

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201710755340.9

申请日：2015-02-09

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 朱小芹 ,  潘佳浩 ,  吴小丽 ,  胡益丰 ,  薛建忠 ,  袁丽 ,  吴卫华 ,  张建豪 ,  江向荣

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法，材料的化学组成通式为（Ge10Sb90）xN1‑x，其中x=0.68、0.63、0.60。本发明的制备方法通过控制磁控溅射时通入的氮气流量来控制GeSb基掺氮纳米薄膜材料中氮元素的含量，氮元素的含量能够得到精确的控制。

公开(公告)号：CN109904310A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201711295269.7

申请日：2017-12-08

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 吴卫华 ,  朱小芹 ,  薛建忠 ,  袁丽 ,  胡益丰 ,  邹华

IPC: H01L45/00

Abstract: 一种环境友好型Sn-Sb-Ti纳米复合相变薄膜，其化学组成符合化学通式(SnxSb1-x)1-yTiy，其中，0.05